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[发明专利]半结晶高分子材料高分子链的仿生编辑方法及仿生体编辑方法-CN202211002834.7在审
发明人：李涤尘;张倍宁;杨春成;石长全 -专利权人：西安交通大学;陕西聚康高博医疗科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B29C64/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种半结晶高分子材料高分子链的仿生编辑方法及仿生体编辑方法，所述仿生编辑方法利用半结晶高分子材料的特性能够加工出仿生体的局部部件，增强了局部部件的力学功能性，使局部部件呈现出仿生体局部所需的功能使仿生体呈现出强韧一体、变形硬化等仿生功能，进一步增强半结晶高分子材料的力学功能性，打破了仿生体采用单一结晶状态的局面，扩大了半结晶高分子材料的应用范围。
结晶高分子材料高分子仿生编辑方法

[发明专利]一种高结晶温度的间规聚丙烯复合材料及其制备方法-CN202111249433.7有效
发明人：杨军忠;李嘉慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高结晶温度的间规聚丙烯复合材料及其制备方法；该复合材料包括以下重量计的组分：间规聚丙烯80.8～90.7；乙烯‑丙烯酸共聚物0.5～6；聚乙烯1～10；均聚聚丙烯1～10；成核剂0.1～将上述组分通过双螺杆挤出机混炼挤出造粒获得间规聚丙烯复合材料。所得复合材料同时具有较高的结晶度和结晶温度，能够解决间规聚丙烯因结晶温度和结晶度偏低而导致加工困难的问题，并拓展其在相关领域的应用。
一种结晶温度聚丙烯复合材料及其制备方法

[发明专利]一种电子束冷床炉水冷铜结晶器及钛合金制备方法-CN201810635506.8在审
发明人：李向明;魏岑 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B22D11/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子束冷床炉水冷铜结晶器及钛合金制备方法，属于合金材料制备技术领域。该电子束冷床炉水冷铜结晶器包括结晶器和拉锭机构，结晶器包括结晶器主体、上浇道、水冷外壳、固定板，结晶器主体设置在水冷外壳内，结晶器主体内部竖直设置有结晶腔体，结晶器主体与水冷外壳之间形成的腔体为冷却腔，上浇道设置在结晶器主体的顶部，固定板固定设置在水冷外壳底部；拉锭机构从底部插入到结晶器主体内部的结晶腔体中并可在结晶器主体的结晶腔体中上下移动。本发明的电子束冷床炉水冷铜结晶器结构简单、操作方便、铸坯受冷均匀，其生产的产品质量高，材料的形成率高。
结晶器主体电子束冷床炉水冷铜结晶器水冷结晶腔体拉锭机构固定板结晶器上浇道钛合金制备制备技术领域固定设置合金材料上下移动竖直设置冷却腔腔体铸坯生产

[发明专利]PZT材料结晶层的制造方法和外延生长PZT材料结晶层的衬底-CN201980021417.7在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产PZT材料的结晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述PZT材料的结晶层。
pzt 材料结晶制造方法外延生长衬底

[发明专利]含能晶体材料的高品质细颗粒制备方法-CN201110160995.4有效
发明人：康彬;徐瑞娟;黄辉;姜燕;陈娅;夏云霞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C30B30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含能晶体材料的高品质细颗粒制备方法，核心内容是在降温结晶过程中引入功率超声技术，采用超声降温结晶方法制备平均粒径约10μm至50μm的含能晶体材料的高品质细颗粒产品。即：(1)将普通含能晶体材料高温溶解于不同溶剂中形成饱和结晶溶液；(2)将结晶溶液按一定速率降温，同时搅拌并超声处理；(3)等结晶溶液温度接近设定温度时，停止超声、降温和搅拌，过滤，洗涤，干燥，得到含能晶体材料的高品质细颗粒产品采用本发明的超声降温结晶方法制备的含能晶体材料的高品质细颗粒产品晶体缺陷少，晶体表观密度达到晶体理论密度的99.9％以上，颗粒形态好，球形度高，粒度分布窄，冲击波感度显著降低。
晶体材料品质颗粒制备方法

[发明专利]用于制备结晶有机半导体材料的方法-CN201580056273.0在审
发明人： T·魏茨;I·弗拉基米罗夫;T·基奥多;T·塞弗里德 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备结晶有机半导体材料的新颖方法，其中结晶的条件导致在气液界面形成具有有利半导体性质的结晶，该获得的结晶有机半导体材料及其于制造有机半导体装置，特别地是有机场效晶体管及有机太阳能电池的用途
用于制备结晶有机半导体材料方法

[发明专利]高分子压电材料注塑成型体、压电元件、高分子压电材料注塑成型体的制造装置及制造方法-CN202210093490.9在审
发明人：米村贵幸;角谷彰彦;村山浩一 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：本发明涉及高分子压电材料注塑成型体、压电元件、高分子压电材料注塑成型体的制造装置及制造方法，提供表现出在围绕b轴旋转的方向上具有应力施加方向的压电现象，容易应用于实用的器件等的高分子压电材料注塑成型体及压电元件，以及能够制造所述高分子压电材料注塑成型体的高分子压电材料注塑成型体的制造装置及制造方法。一种高分子压电材料注塑成型体，其特征在于，具有压电性，包含螺旋手性高分子结晶，该螺旋手性高分子结晶由高分子链构成，具有以a轴、b轴以及c轴为结晶轴的单位晶格，且结晶轴的长度为b轴a轴c轴，所述c轴与所述高分子链的长链方向平行，所述螺旋手性高分子结晶是所述b轴单轴取向的结晶。
高分子压电材料注塑成型元件制造装置方法

[发明专利]减少氮氧化物和挥发性有机物排放的太赫兹材料的制备方法-CN202310276517.2在审
发明人：王宗爽;顾闫悦;徐舒 -专利权人：中国环境科学研究院
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明公开减少氮氧化物和挥发性有机物排放的太赫兹材料的制备方法，包括如下步骤：原料混合：将二氧化硅、三氧化二铁和钨酸钙混合均匀，得到混合原料粉；熔融结晶：将混合原料粉进行熔融后冷却结晶，将结晶得到的混合结晶体重新粉碎得到混合结晶粉；压制成型：向混合结晶粉中加入改性氧化石墨烯和/或纳米硅基氧化物，混合均匀，得到太赫兹粉体；将太赫兹粉体压制成型，得到太赫兹材料块；加热处理：将太赫兹材料块置于煅烧炉中烧结，烧结结束后冷却并粉碎，得到太赫兹材料；辐照强化处理：将太赫兹材料置于太赫兹辐照线环境下进行辐照强化处理。将该太赫兹材料用于燃烧源减少氮氧化物和挥发性有机物排放时，其减排效能稳定性好。
减少氧化物挥发性有机物排放赫兹材料制备方法

[实用新型]PET塑料片材挤出生产线-CN201821133220.1有效
发明人：王传达 -专利权人：东莞市茂熙塑胶电子有限公司
申请日： 2018-07-14 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B29C48/25 文献下载
摘要：变频交流电机右端电性连接有与机筒螺杆为一体的变速箱，且机筒螺杆下端并位于装置本体上端安装有若干个冷却风机，装置本体右端上部固定连接有收集箱，该PET塑料片材挤出生产线，由于机筒螺杆下端安装有若干个冷却风机，当原材料从进料漏斗二中流向机筒螺杆上时，原材料通过冷却风机和机筒螺杆的工作进行冷却结晶，而此时，有部分原材料结晶不完全，因为结晶不完全的材料颗粒较小，所以结晶不完全的材料会通过漏料口内的漏网掉到收集箱内进行收集，便于区分结晶完全和结晶不完全的材料
机筒螺杆装置本体片材挤出生产线冷却风机变频交流电机上端下端本实用新型材料颗粒进料漏斗冷却结晶上端固定变速箱端电性可控制收集箱筒螺杆漏网漏料

[发明专利]一种快速结晶的生物降解奶瓶用材料及其制备方法-CN202111405576.2在审
发明人：孟庆栓;吕锦权 -专利权人：深圳国至新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：本发明属于奶瓶用材料技术领域，本发明具体公开了一种快速结晶的生物降解奶瓶用材料及其制备方法，所述的快速结晶的生物降解奶瓶用材料由以下重量份原料制备而成：60~90份聚乳酸、6~12份增韧剂、3~6份成核剂组合物本发明所述的奶瓶用材料能够快速结晶，显著降低生产时间，且耐变形温度搞，具有良好的拉伸强度。本发明所述的由改性滑石粉、改性碳纳米管、柠檬酸锌组成的成核剂能够有效的降低结晶时间，提高结晶能力，结晶速率，显著提高耐变形温度、拉伸强度，提高生产效率，所述的成核剂能够促进聚乳酸形成晶核，所述的成核剂能够均匀的分散到聚乳酸中
一种快速结晶生物降解奶瓶用材料及制备方法

[发明专利]结晶器铜板修复方法-CN200410084779.6无效
发明人：方园;崔健;张俊宝;宋洪伟 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：结晶器铜板修复方法，采用气动力喷涂的方法，用高压压缩气体驱动微小金属颗粒以足够高的速度撞击结晶器需要修复的表面，微小颗粒发生足够的塑性变形而粘结在结晶器的表面上形成新的表面，填充裂缝或磨损凹槽等。本发明具有如下优点：在结晶器的表面沉积新的表面层，并按照结晶器的表面形状要求进行一次性修复；不会因热输入导致基体材料和涂层自身材料的氧化而引起化学成分的改变；也不会因热输入导致基体材料和涂层自身材料组织发生转变；同时也不会因热输入导致基体发生热胀变形，保证结晶辊的结构特性，可实现不同的涂层厚度，修复层内部均匀致密。
结晶器铜板修复方法

[发明专利]形成结晶半导体材料的方法及形成晶体管的方法-CN201910780602.6在审
发明人： M·纳哈尔;达尔文·法兰塞达·范;刘君庭;米迦勒·米奇 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请案涉及形成结晶半导体材料的方法及形成晶体管的方法。一些实施例包含一种形成结晶半导体材料的方法。提供具有沿着表面的多晶区的模板。在从所述多晶区的颗粒生长结晶半导体结构的条件下沿着所述表面沉积半导体材料。所述沉积是在小于或等于500℃的温度下进行。一些实施例包含一种形成晶体管的方法。提供具有沿着表面的多晶区的模板。在从所述多晶区的颗粒生长结晶半导体结构的条件下沿着所述表面沉积半导体材料。所述半导体材料包含锗。掺杂所述结晶半导体结构以形成在第二部分上具有第一部分的配置。邻近于所述第二部分形成绝缘材料。沿着所述绝缘材料形成晶体管栅极。
形成结晶半导体材料方法晶体管

[发明专利]无源Q开关激光器、其部件的制造方法及电光系统-CN202210349790.9在审
发明人：阿里尔·达南;俄梅尔·卡帕奇;乌利尔·利维;乌拉罕·巴卡尔;纳达夫·梅拉穆德;约尼·普罗斯珀·沙利波;罗尼·多布林斯基;希莱尔·希莱尔 -专利权人：趣眼有限公司
申请日： 2020-10-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01S17/89 文献下载
摘要：所述无源Q开关激光器包括：增益介质，包括增益介质结晶材料，所述增益介质结晶材料包括陶瓷掺钕的钇铝石榴石；可饱和吸收体，被刚性耦合到所述增益介质，所述可饱和吸收体包括陶瓷的可饱和吸收体结晶材料，所述陶瓷的可饱和吸收体结晶材料选自于由以下材料组成的多种掺杂陶瓷材料的群组：一种掺三价钒的钇铝石榴石及多种掺二价钴结晶材料；及光腔，所述增益介质及所述可饱和吸收体位于所述光腔中，所述光腔包括高反射率镜及输出耦合器。
无源开关激光器部件制造方法电光系统

[发明专利]硬质相增强金属基复合材料生产工艺及其设备-CN01134145.9无效
发明人：丁刚;孙茂来;尤显卿;强颖怀 -专利权人：丁刚
申请日： 2001-11-03 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：一种硬质相增强金属基复合材料生产工艺，属于金属基复合材料生产工艺。使用该发明生产含有增强硬质相的金属基复合材料时，生产工艺简单、生产效率高；电耗低，并且产品的质量易于控制。该方法中是将基体金属熔化后或者金属固体颗粒在结晶内熔化后，与增强硬质相材料在水冷结晶器内经电磁场搅拌混合及超声波振动处理后，快速结晶而形成的产品，故其产品中的二相材料混合更加均匀，并使材料的等轴晶区域扩大，使结晶组织细化，从而可以得到均匀微细的结晶组织和内部十分纯净的组织，产品性能一致性好，二相结合力强，可以达到冶金结合而完全致密化，从而改善和提高了金属基复合材料的性能。
硬质增强金属复合材料生产工艺及其设备

[发明专利]一种基于聚对苯二甲酸乙二醇酯的复合材料及其制备方法-CN201710315396.2有效
发明人：范鑫群 -专利权人：宁波萱群材料科技有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚对苯二甲酸乙二醇酯的复合材料及其制备方法，所述复合材料的原料按重量份由PET材料一90～99.5份及PET材料二0.5～10份组成。所述PET材料一由以下步骤制备得到：将PET物料预加热，预加热温度为60～100℃，预加热时间为12～18min，再进入结晶釜，搅拌结晶，温度为110～160℃，结晶时间为2～6h，得PET材料一；所述PET材料二由以下步骤制备得到：按重量份，取PET物料80～98份，聚烯烃弹性体1～20份，成核剂0.02～6份，助剂0.02～5份，进入双螺杆挤出机，融熔共混，挤出造粒，得PET材料二。本发明制备得到的复合材料特性结晶性能好，结晶速率快，黏度适中，具有良好的加工特性，综合性能优异，满足制备高性能PET真空采血管的要求。
一种基于对苯二甲酸乙二醇复合材料及其制备方法

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