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- [发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法-CN201780045654.8有效
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国吉太;三野修嗣
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日立金属株式会社
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2017-09-26
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2021-06-29
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H01F41/02
- 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:在R-T-B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序;使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr-Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R-T-B系烧结磁体原材料表面的涂布区域的附着工序;和以R-T-B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度进行热处理而使粒度调整粉末所含的Pr-Ga合金从R-T-B系烧结磁体原材料的表面向内部扩散的扩散工序。设定粒度调整粉末的粒度,使得将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R-T-B系烧结磁体原材料的全部表面而形成1层以上3层以下的颗粒层时,粒度调整粉末所含的Ga量相对于上述R-T-B系烧结磁体原材料以质量比计为
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]镁基复合材料及其制备方法-CN201410563511.4在审
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刘莉;王爽;邱晶;刘晓东;黄明明
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苏州莱特复合材料有限公司
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2014-10-22
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2015-02-18
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B22F1/00
- 本发明公开了一种镁基复合材料及其制备方法,该复合材料含有以下质量百分含量的组分:粒度20~30μm、纯度≥99.8%的镍粉10~15%,粒度5~100μm、纯度≥99.9%的铜粉5~10%,粒度10~50μm、纯度≥99.5%的硅化钛1~2%,粒度1~50μm、纯度≥99.8%的硫化铜4~5%,粒度20~30μm、纯度≥99.3%的硫化锌4~6%,粒度60~80μm、纯度≥99.8%的石墨化碳4~6%,粒度100~200μm、纯度≥99.1%的氧化铅2~3%,其余为粒度40~200μm、纯度≥99.9%的镁粉。本发明复合材料的摩擦力为63.8~70.8N,摩擦系数为0.40~0.43,具有良好的耐摩擦性能。
- 复合材料及其制备方法
- [发明专利]一种气溶胶的原位检测方法-CN202010340998.5在审
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张昱;刘强;崔成强;叶怀宇;张国旗
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深圳第三代半导体研究院
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2020-04-26
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2020-09-22
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B82B3/00
- 本发明公开了一种气溶胶的原位检测方法,使用由依次连通的制备装置(3)、激光粒度仪(5)和收集装置(6)组成的制备系统。将所制备纳米材料的本体放入纳米材料的制备装置(3),通入气体,对制备装置(3)施加条件,使其制备纳米材料,随气体的通入,所制备的纳米颗粒随气体进入激光粒度仪,进行纳米颗粒粒度分布的检测,被检测的纳米颗粒随气体被带入到收集装置中,沉积到收集装置的基底上,从而得到了粒径和粒度分布可控的高纯度纳米材料。此方法可以简便快捷地获得粒径可控的纳米材料,大大减少了纳米材料的制备和检测工艺流程,也减少了测试过程中其他因素的干扰,从而获得纯度较高的纳米材料。
- 一种气溶胶原位检测方法
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