|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1050765个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种多晶硅铸锭炉用铸锭装置-CN202120574745.4有效
-
周继承;冯天舒
-
中南大学
-
2021-03-22
-
2021-11-09
-
C30B29/06
- 本实用新型公开一种多晶硅铸锭炉用铸锭装置，包括石英坩埚，所述石英坩埚内部两侧可拆卸连接有石英板，所述石英坩埚顶部可拆卸连接有盖体，所述石英坩埚外部套设有石墨护板，所述石墨护板外部套设有加热器，所述石墨护板与所述加热器之间设有石墨炭毡套本实用新型有效减少了硅晶体凝固膨胀时受到坩埚约束产生的热应力，缓解了硅锭四周位错的产生与增殖，并且，由于石英坩埚开口逐渐扩大，更利于硅锭脱模。在取出炉中硅锭，放置在环境中冷却时，热应力的减小使硅锭四周开裂的可能性减小。最终使得硅锭四周区域少子寿命提高，杂质含量降低，优化了太阳能电池的输出性能。
- 一种多晶铸锭装置
- [实用新型]建盏电窑炉-CN202121266340.0有效
-
张昌硕
-
南平市建阳区九目建盏陶瓷有限公司
-
2021-06-07
-
2021-12-03
-
F27B17/00
- 本实用新型公开了建盏电窑炉，其包括炉体及炉盖，所述炉体的内腔形成烧成室，所述烧成室的底部设有用于托承建盏的硅板，所述烧成室的四室壁上设有加热组件，所述加热组件为若干碳硅棒，各碳硅棒平行于水平面设置，相连室壁间的碳硅棒相错设置本实用新型将各碳硅棒平行于水平面设置，且相连室壁间的碳硅棒相错设置，如此，在碳硅棒数量一定的情况下，各壁间形成错层的发热源(即相比于现有技术，由单整圈的发热源变为双半圈的发热源，从竖直方向上说，发热源数量多一倍
- 建盏电窑炉
- [实用新型]一种硅棒外观检测工装-CN202120772219.9有效
-
李磊
-
无锡展照精密机械科技有限公司
-
2021-04-15
-
2021-12-07
-
G01N33/00
- 本实用新型属于检测工装技术领域，尤其为一种硅棒外观检测工装，包括左夹紧气缸,所述左夹紧气缸的一端对称安装有右夹紧气缸，所述右夹紧气缸底部设置有工装板，所述工装板的底部安装有底部顶升气缸，所述底部顶升气缸的顶出端与工装板的底部相固定本实用新型通过设置工装板、底部顶升气缸、旋转夹紧块和下降拉升气缸，检测时，下降拉升气缸使旋转夹紧块与硅棒的两端对齐夹紧，使硅棒不会再发生转动或偏移，避免对硅棒两端造成伤害，同时检测工装能够使被夹紧的硅棒进行转动，手动转动便可对硅棒外观进行查看，方便了工作人员对硅棒外观进行检测。
- 一种外观检测工装
- [实用新型]边皮卸料装置及硅棒切磨一体机-CN202023185583.X有效
-
钱春军;顾斌;潘雪明
-
上海日进机床有限公司
-
2020-12-25
-
2021-12-10
-
B28D5/04
- 本申请公开一种边皮卸料装置及硅棒切磨一体机，所述硅棒切磨一体机包括机座、切割装置、研磨装置以及硅棒转换装置，所述切割装置包括切割单元和调距单元，所述切割单元包括两条正交的切割线锯，所述两条正交的切割线锯用于对待切割硅棒进行切割以形成两个正交的侧面；所述边皮卸料装置包括：边皮提升单元，用于提升所述边皮以使得所述边皮顶端凸出所述已切割硅棒；边皮夹持转运单元，用于夹持边皮并将所述边皮予以转运。本申请所公开的技术方案，可完成硅棒的开方及研磨多工序的一体化作业，更能对硅棒开方切割后形成的边皮经无碍地卸载，操作便利，提高生产效率及产品加工作业的品质。
- 卸料装置硅棒切磨一体机
- [实用新型]一种硅棒粗磨精磨设备-CN202121352762.X有效
-
朱晓平;姚亚君
-
科莱思半导体智造（浙江）有限公司
-
2021-06-17
-
2022-01-18
-
B24B25/00
- 本实用新型涉及单晶硅加工技术领域，具体涉及一种硅棒粗磨精磨设备，包括底座、第一台体和第二台体，还包括控制器、固定机构和打磨机构，固定机构设在第一台体的顶部以用来固定硅棒，固定机构包括夹持组件和两个搭接块，打磨机构设在第二台体的顶部以用来打磨硅棒，打磨机构包括砂轮、角度调节组件、高度调节组件和滑动组件，夹持组件、角度调节组件、高度调节组件和滑动组件与控制器均为电性连接，本实用新型的一种硅棒粗磨精磨设备，能够精确调节砂轮的打磨高度和角度，从而满足精磨和粗磨的要求，同时能够在固定硅棒的同时，对其进行保护，防止造成硅棒的损坏，有效降低损失。
- 一种硅棒粗磨精磨设备
- [实用新型]碳化硅单晶生长控制装置-CN202120483498.7有效
-
林大野;王治中;蔡钦铭
-
广州爱思威科技股份有限公司
-
2021-03-05
-
2022-01-04
-
C30B25/16
- 本实用新型提供一种碳化硅单晶生长控制装置，包括壳体、加热装置、硅源气体管道和碳源气体管道。壳体内形成有反应腔室，反应腔室内设有碳化硅籽晶置放位；加热装置设于壳体，用以控制反应腔室的内部温度；硅源气体管道用以向反应腔室内通入硅源气体，碳源气体管道用以向反应腔室内通入碳源气体；硅源气体管道设有第一质量流量控制器，用以监测和控制硅源气体的流量；碳源气体管道设有第二质量流量控制器，用以监测和控制碳源气体的流量。本实用新型能够调节和控制硅源气体流量和碳源气体流量之比，使得反应腔室内硅源气体中的Si与碳源气体中C的比例为1:1，从而能够制备出高纯度高质量的SiC单晶。
- 碳化硅生长控制装置
|
