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[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法-CN202111490927.4在审
发明人：白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。
一种新型晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法及其应用-CN202310330648.4在审
发明人：高磊;张衡;屈庆源;王青松;吴海红 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，采用微晶硅薄膜晶化率测试样品作为拉曼基底进行拉曼光谱测试，所述微晶硅薄膜晶化率测试样品按照待研究的微晶工艺条件沉积在测试基底上的。所述微晶硅薄膜晶化率测试样品包括衬底和层叠于衬底上的本征氢化非晶硅膜。区别于传统衬底，本发明微晶硅薄膜晶化率测试基底具有本征氢化非晶硅膜，能够有效解决传统衬底影响微晶硅薄膜生长或诱导微晶硅薄膜结晶的缺点。从而本发明微晶硅薄膜晶化率测试样品能够准确地测定微晶硅薄膜的晶化率，进而监控微晶太阳电池硅薄膜的晶化率，为工艺调试中提供数据支撑，从而制备出高光电转化效率的太阳能电池。
微晶硅薄膜沉积工艺研究方法及其应用

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法-CN200910069034.5有效
发明人：张晓丹;孙福和;赵颖;许盛之;王光红;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
提高沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率制备方法

[发明专利]叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法-CN200710088746.2有效
发明人：田中淳;加纳博司 -专利权人：日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。
布线利用半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN202111429426.5在审
发明人：连维飞 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基片，所述N型单晶硅基片的正面设有一层n+掺杂层，在n+掺杂层的表面沉积一层第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的n型非晶硅/微晶硅膜，最外层的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第一导电膜；所述N型单晶硅基片的背面设有一层第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的p型非晶硅/微晶硅膜，最外层的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第二导电膜。本发明在N型单晶硅基片主表面形成一层n+掺杂层，形成高低结，对光生载流子起到一定的分离作用，减少光生载流子的复合。
一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池-CN201410242634.8有效
发明人：李孝峰;曹国洋;尚爱雪;李珂;张程 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n⁺型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n⁺型微晶硅层外的重掺杂p⁺型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n⁺型微晶硅层和重掺杂p⁺型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
一种微晶硅非晶硅径向纳米太阳能电池

[发明专利]微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201310332660.5无效
发明人：张津燕;胡安红;曲铭浩;郁操;杨少飞;徐希翔 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，包括：提供基板，在所述基板表面沉积导电层，在所述导电层表面沉积至少包括微晶硅电池的电池层，采用分步式阶梯沉积法沉积所述微晶硅电池的微晶硅薄膜发电层。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，通过多步沉积、优化微晶硅薄膜质量，能够在7A/s以上的沉积速率下，制备出转换效率在12％以上的非晶硅/微晶硅叠层电池。
微晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法-CN201010173784.X有效
发明人：田汉民;田学民;王伟;杨帆;杨瑞霞;赵红东;王立发 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成；所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合，所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点
固态染料纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种微晶硅薄膜太阳能电池-CN200820151742.4无效
发明人：郭群超;孔慧;林飞燕;邓柳;李启龙 -专利权人：上海交大泰阳绿色能源有限公司
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微晶硅薄膜太阳能电池，包括基底材料层、在基底材料层上方设有二氧化锡透明导电薄膜层，在二氧化锡透明导电薄膜层上方设有P型微晶硅层，在P型微晶硅层上方设有i型微晶硅层，在i型微晶硅层上方设有n型微晶硅层，在二氧化锡透明导电薄膜层与P型微晶硅层之间设有非晶硅层。本实用新型的优点是：采用廉价的二氧化锡导电膜作为微晶硅电池的前电极，利用P型非晶硅作为阻挡层，工艺简单，无需增加额外的设备，而且增加的P型非晶硅对电池的串联电阻和透光率无明显影响。
一种微晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201410321489.2有效
发明人：李新利;毛志平;马战红;李武会;任凤章;王宇飞;许荣辉;柳勇 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该电池包括衬底、透明导电薄膜、p型微晶硅薄膜窗口层、本征微晶硅薄膜吸收层、n型微晶硅层和背反射电极，所述p型微晶硅薄膜窗口层与本征微晶硅薄膜吸收层之间设有pi界面层，所述本征微晶硅薄膜吸收层与n型微晶硅层之间设有in界面层。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池，在掺杂层与本征层之间设置过渡界面层，改善了电池的界面性能和能带结构，有利于载流子的输出和收集，从而提高了电池的效率。
一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法-CN201210497911.0无效
发明人：贾河顺;姜言森;程亮;任现坤;张春艳;孙继峰;马继磊;徐振华 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。本发明结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。
基于衬底接触 hit 太阳电池结构制备方法

[实用新型]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构-CN201220643086.6有效
发明人：贾河顺;姜言森;程亮;任现坤;张春艳;孙继峰;马继磊;徐振华 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。本实用新型结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。
基于衬底接触 hit 太阳电池结构

[发明专利]一种微晶硅薄膜的沉积方法-CN201010206866.X无效
发明人：肖金泉;赵彦辉;崔连武;华伟刚;宫骏;孙超;黄荣芳 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，是一种微晶硅薄膜的制备方法。具体是在玻璃基板上沉积的非晶硅薄膜表面采用激光表面晶化的方法制备一薄层微晶硅层的方法。将直接沉积在玻璃板上的非晶硅薄膜，用激光加热晶化的方法使非晶硅薄膜部分转化为微晶硅；所用的激光加热晶化的方法是将非晶硅薄膜样品置于激光器的样品台上，用激光束进行照射，非晶硅薄膜吸收了激光的能量转换为自身能量，发生局部熔化再结晶，经表面晶化处理使得非晶硅转变为微晶硅。本发明可以解决现有技术中存在的生长速率低、结晶度低、迁移率低、光电转换效率低等问题，利用准分子激光晶化的微晶硅薄膜具有结晶度高、晶粒均匀、可实现大面积低温制备、工艺周期短等优点。
一种微晶硅薄膜沉积方法

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