专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种圆测试平台及其检测方法-CN202310483823.3在审
  • 吕晨虹;盖涂泉;麻凯;李文格;王成坤;杨祎琪 - 河北圣昊光电科技有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-06-30 - G01R31/28
  • 一种圆测试平台及其检测方法,圆测试平台,包括:承载盘;相机机构,用于校准所述圆的位置;芯片角度调整机构,用于调整所述圆的水平方向角度;芯片位置调整机构,用于调整所述圆的水平位置;探针组件,所述探针组件上设有至少两根探针;所述探针组件用于对所述圆上的多个芯片进行同时检测,用于在所述圆上的多个芯片加电后测试芯片的暗场IV曲线;光纤测试机构,通过光纤发出的标准光束入射到芯片光敏面上,加电测试芯片光场数据。通过上述圆测试平台可以实现圆上多个芯片一同检测,解决现有的圆检测效率低的问题。
  • 一种测试平台及其检测方法
  • [发明专利]一种变速鼓及摩托车发动机变速机构-CN201310040506.0有效
  • 陈勇;陈汉雄;何瞳眬;王爱国;卢宇华;刘洋 - 远勤山
  • 2013-02-02 - 2013-05-01 - F16H63/30
  • 一种变速鼓及摩托车发动机变速机构,摩托车的五个档位中,I档和III档由第一线槽控制,II档由第三线槽控制,IV档和V档由第二线槽控制;三条所述线槽均为封闭的环形槽,0档位于所述变速鼓线槽中的平直线段内;I档对应的凹曲线段落后0档60°,II档对应的凹曲线段落后I档60°,III档对应的凹曲线段落后II档60°,IV档对应的凹曲线段超前III档11°54′,V档对应的凹曲线段落后IV档60°;I档―II档、II档―III档、III档―IV档、IV档―V档、V档―0档的转动角均为60°在保持原摩托车发动机双拨叉轴变档轻巧灵活等优点基础上,克服了国际档摩托车的空档难找,Ⅳ档、Ⅴ档退空档操作较麻烦的缺陷
  • 一种变速摩托车发动机机构
  • [实用新型]一种变速鼓及摩托车发动机变速机构-CN201320058836.8有效
  • 陈勇;陈汉雄;何瞳眬;王爱国;卢宇华;刘洋 - 远勤山
  • 2013-02-02 - 2013-08-07 - F16H63/30
  • 一种变速鼓及摩托车发动机变速机构,摩托车的五个挡位中,I挡和III挡由第一线槽控制,II挡由第三线槽控制,IV挡和V挡由第二线槽控制;三条所述线槽均为封闭的环形槽,0挡位于所述变速鼓线槽中的平直线段内;I挡对应的凹曲线段落后0挡60°,II挡对应的凹曲线段落后I挡60°,III挡对应的凹曲线段落后II挡60°,IV挡对应的凹曲线段超前III挡11°54′,V挡对应的凹曲线段落后IV挡60°;I挡―II挡、II挡―III挡、III挡―IV挡、IV挡―V挡、V挡―0挡的转动角均为60°在保持原摩托车发动机双拨叉轴变挡轻巧灵活等优点基础上,克服了国际挡摩托车的空挡难找,Ⅳ挡、Ⅴ挡退空挡操作较麻烦的缺陷
  • 一种变速摩托车发动机机构
  • [发明专利]一种人胎盘胶原的制备方法-CN201310448097.8有效
  • 林海;樊渝江;张兴栋 - 四川大学
  • 2013-09-27 - 2014-01-22 - C12P21/06
  • 本发明涉及一种人胎盘胶原的制备方法,所述方法以人胎盘组织为原料,依次进行预处理、酶消化、分级盐析,分别获得保持天然结构的人I、IIIIV和V医用胶原材料中的至少一种。该方法大幅度缩短了人胎盘I、IIIIV和V胶原材料的制备周期,提高了制备效率和产率,同时使产品的质量也更加稳定,所述方法还可以根据实际需要提取特定类型的胶原,还可以同期获得具有天然结构的人I、IIIIV和V胶原材料,充分利用人胎盘组织资源。
  • 一种胎盘胶原制备方法
  • [发明专利]互补式开关元件-CN201980092971.4在审
  • 富冈克广 - 国立大学法人北海道大学
  • 2019-12-25 - 2021-10-01 - H01L27/092
  • 本发明的互补式开关元件具有具备第一导电的沟道的第一TFET和具备第二导电的沟道的第二TFET。第一TFET及第二TFET各自具有:掺杂为第一导电IV族半导体基板;配置于IV族半导体基板上的由III‑V族化合物半导体构成的纳米线;与IV族半导体基板连接的第一电极;与纳米线连接的第二电极;以及向IV族半导体基板与纳米线之间的界面施加电场的栅极电极。纳米线包含与IV族半导体基板连接的第一区域和掺杂为第二导电的第二区域。第一TFET中,第二电极为源极电极,且第一电极为漏极电极。第二TFET中,第一电极为源极电极,且第二电极为漏极电极。
  • 互补开关元件

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