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[发明专利]一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备-CN201610124844.6在审
发明人：梁栋;王凯旋;李伟;袁洪亮;马力;尤杨;武晓娟;陈会顺;彭晓青;毕谣;张子敬;郑琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子设备技术领域，公开了一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备，其中，电子设备壳体包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能和抗菌性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。
一种电子设备壳体及其涂层制备方法

[发明专利]一种三方硼镁石及其制备方法-CN202310070403.2在审
发明人：彭姣玉;董亚萍;杨克利;李武 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B35/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种三方硼镁石及其制备方法，将盐湖水氯镁石或盐湖老卤加入硼酸钠溶液中进行反应制备得到。以盐湖副产的水氯镁石或老卤为原料制备三方硼镁石，解决了三方硼镁石纯度低、成本高、能耗高等技术问题，同时提高了盐湖硼镁、硼资源利用效率，拓宽了盐湖镁硼资源的高值化利用途径。
一种三方硼镁石及其制备方法

[发明专利]包含方硼石晶体的非线性光学器件-CN201810196573.4有效
发明人：龙西法;王祖建 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明提供一种非线性光学器件，所述非线性光学器件包含方硼石晶体，其中，所述方硼石晶体经过周期性极化。所述非线性光学器件是将至少一束入射电磁辐射通过至少一块方硼石晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。所述入射电磁辐射的波长范围为0.155～4.0μm。方硼石晶体是一种具有铁电性和深紫外非线性的光电信息功能晶体，用方硼石晶体制造的非线性光学器件，通过准相位匹配技术(所述准相位匹配是采用周期性极化的方法，通过对方硼石晶体施加脉冲电压，实现铁电畴的周期性反转
包含方硼石晶体非线性光学器件

[发明专利]一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法-CN202110534979.0有效
发明人：赵长春;郭杰森;孙瑞锦;孟德忠;马宇欣;张泽宇;陈飞;刘天明;汪强强;武岳彤;侯东旭 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法，所述方法包括：将锰方硼石晶体粉末置于石英管中，以5‑10℃/min的升温速率，升到950‑1050℃，保温2‑4h；然后在第一时间段内降温至700‑900℃，接着在第二时间段内降温至400‑500℃，之后炉冷，得到所述锰方硼石单晶热释电材料。本发明的熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法制备的锰方硼石单晶热释电材料，具有优异的热释电，且该方法制备成本低。
一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料方法

[发明专利]一种锰方硼石尾矿陶瓷砖的制备方法-CN201610158177.3有效
发明人：吴圣贤;栾萍萍;朱禹豪 -专利权人：烟台智本知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C04B33/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰方硼石尾矿陶瓷砖的制备方法，通过对于锰方硼石尾矿进行煅烧预处理、石油钻井废液浸渍、再优化制备陶瓷砖的原料组成及其含量，调节陶瓷砖的物化性能，制备出耐压、低密度的锰方硼石尾矿陶瓷砖。
一种锰方硼石尾矿陶瓷砖制备方法

[发明专利]包含方硼石晶体的深紫外窗口器件-CN201810196576.8有效
发明人：龙西法;王祖建 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种深紫外窗口器件，所述深紫外窗口器件包含方硼石晶体。所述深紫外窗口器件能透过深紫外入射电磁辐射。所述入射电磁辐射的透过范围为0.155～4.0μm。本发明中使用方硼石晶体制备深紫外窗口器件，其中，方硼石晶体是一种新的深紫外光学晶体，具有稳定的物理、化学性质，不易潮解，没有开裂问题，适合于光学器件。并且，本发明人通过对采用本发明提供的方法生长得到的方硼石晶体的光学性能进行表征，发现了其具有宽的光学透过范围，非常适合于深紫外窗口器件。
包含方硼石晶体深紫窗口器件

[发明专利]六方氮化硼紫外光探测器及制备方法-CN202010063708.7有效
发明人：张兴旺;刘恒;王烨;尹志岗 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法，该六方氮化硼紫外光探测器包括：衬底；绝缘层，形成于衬底的一表面上，并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口，露出衬底；第一石墨烯层，形成于绝缘层上，且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域；六方氮化硼层，原位形成于第一石墨烯层上；第二石墨烯层，原位形成于六方氮化硼层上；正面电极，形成于窗口之外的第二石墨烯层上；以及背面电极，形成于衬底的另一表面上。本发明采用离子束辅助设备原位生长石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结，可减小异质结界面污染和缺陷，可保证器件具有高的响应速度及响应度，同时采用纵向器件结构，提高器件的集成度。
氮化紫外光探测器制备方法

[发明专利]一种锰方硼石的富集方法-CN201510909922.9有效
发明人：刘玉林;谭琦;赵毅;李一波;刘新海;倪文山;刘长淼 -专利权人：中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰方硼石的富集方法，所述方法包括破碎，筛分为0.5mm,‑0.5mm～+0.15mm,‑0.15mm三个粒级产品；+0.5mm粒级产品擦洗磨矿脱泥得到精矿一，‑0.15mm粒级产品浮选得精矿二本发明的有益效果是只有粗粒级擦洗磨矿，大大减少入磨量，减少能耗，擦洗磨矿环节不用磨矿介质；利用本发明的富集方法可以将锰方硼石含量为50％左右的锰方硼石精矿仅通过筛分与一次粗选即可将精矿中锰方硼石的品位提高到
一种锰方硼石富集方法

[发明专利]增强抗永久变形的石膏组合物-CN01805133.2有效
发明人： S·维拉马萨内尼;Q·余;M·P·谢克 -专利权人：美国石膏公司
申请日： 2001-04-11 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： C04B11/00 文献下载
摘要：一方面，含凝固石膏组合物包括由至少烧石膏、水和增强材料形成的含凝固石膏的联锁基体。增强材料选自(i)有机多膦酸化合物，或它们的混合物；(ii)选自钠硼解石、硬硼钙石或它们的混合物的硼酸盐；(i)和(ii)的混合物。另一方面，以增强材料处理这种含凝固石膏组合物，增强材料选自(i)有机膦酸化合物；(ii)选自钠硼解石、硬硼钙石或它们的混合物的硼酸盐；(iii)羧酸化合物或它们的混合物；或(i)、(ii)和/或(iii
增强永久变形石膏组合

[发明专利]石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探测器及制备方法-CN201810004657.3在审
发明人：刘恒;张兴旺;尹志岗;孟军华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：一种石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探测器，包括：一衬底；一绝缘层，其制作在衬底上，起到绝缘的作用；一第一石墨烯层，其制作在绝缘层上的中间部位，该第一石墨烯层为条状；一六方氮化硼层，其制作在第一石墨烯层上的一侧，并覆盖部分绝缘层；一第二石墨烯层，其制作在六方氮化硼层上，并覆盖部分绝缘层；一第一电极，其制作在绝缘层上，并与第一石墨烯层的一端接触；一第二电极，其制作在绝缘层上，并与第二石墨烯层的一端接触。
绝缘层石墨烯层石墨烯制作紫外光探测器六方氮化硼衬底六方氮化硼层氮化硼层第二电极第一电极纵向器件集成度响应度覆盖绝缘制备响应保证

[发明专利]碘方硼石的固相制备方法-CN201210371924.3有效
发明人：吴立明;黄一枝;王秀丽 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明提供碘方硼石的固相制备方法。以MO、M2O3、M3O4中任意一种金属氧化物与B2O3、B、I2混合置于真空氛围，加热，恒温，降至室温，即可得碘方硼石M3B7O13I的多晶粉体。
碘方硼石制备方法

[发明专利]一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器及其制备方法-CN202211414685.5在审
发明人：李少鹏;解雅洁 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：太赫兹波主动调制器包括六方氮化硼，六方氮化硼的两侧面分别设置有第一石墨烯条带和第二石墨烯条带，第一石墨烯条带和第二石墨烯条带为周期性排布的石墨烯条带，第二石墨烯条带铺设在聚二甲基硅氧烷柔性衬底上，由于石墨烯条带和六方氮化硼为超薄厚度和材料本身的柔软弯曲特性以及聚二甲基硅氧烷柔性衬底的透明柔软特性第一石墨烯条带上方设置有离子液体栅极，实现对石墨烯费米能级的电压调控。该太赫兹波调制器的动态调控且调制速率快。
一种基于二维异质结赫兹主动调制器及其制备方法

[实用新型]一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器-CN202223012543.4有效
发明人：李少鹏;解雅洁 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：太赫兹波主动调制器包括六方氮化硼，六方氮化硼的两侧面分别设置有第一石墨烯条带和第二石墨烯条带，第一石墨烯条带和第二石墨烯条带为周期性排布的石墨烯条带，第二石墨烯条带铺设在聚二甲基硅氧烷柔性衬底上，由于石墨烯条带和六方氮化硼为超薄厚度和材料本身的柔软弯曲特性以及聚二甲基硅氧烷柔性衬底的透明柔软特性第一石墨烯条带上方设置有离子液体栅极，实现对石墨烯费米能级的电压调控。该太赫兹波调制器的动态调控且调制速率快。
一种基于二维异质结赫兹主动调制器

[发明专利]一种锆莫来石氮化硼碳侧封板及制造方法-CN201811113210.6在审
发明人：田守信;申娟娟;张兆路;田守民;王新建;蒲锡鹏;田伟杰 -专利权人：阳谷信民耐火材料有限公司;山东柯信新材料有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：一种锆莫来石氮化硼碳侧封板，其成分（质量比）为：锆莫来石5~30%，六方氮化硼10~80%，添加剂1~20%，石墨0.5~5%，（外加）0.1~5%，碳素结合剂(外加)5~20%。其制造方法是先按照上述配比将六方氮化硼、石墨、碳纤维和部分锆莫来石细粉进行预混合，得到粉体A，把单质硼放在碳素结合剂里进行搅拌均匀，得到复合结合剂B。将不同颗粒的锆莫来石放在混料机里，并加入复合结合剂B，搅拌混合均匀后，添加粉体A进行充分混合，得到混合均匀料，困料后，进行常温模压成型。
锆莫来石侧封板复合结合剂六方氮化硼氮化硼结合剂石墨粉体碳素磨床常温模压充分混合高温碳化浸渍处理抗热震性摩擦系数耐侵蚀性投资设备复合材料单质硼高耐磨混料机碳纤维预混合质量比薄带回火困料磨平配比双辊细粉铸轧添加剂成型制造

[发明专利]一种球磨铸铁件用球粘土型砂及其制备方法-CN201610135929.4在审
发明人：赵光明 -专利权人：繁昌县琪鑫铸造有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： B22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种球磨铸铁件用球粘土型砂及其制备方法，其由以下重量份的原料制成：球粘土 32‑44、山砂 15‑25、蛇纹石尾矿16‑28、埃洛石10‑20、锆英砂 21‑33、钠硼解石 12‑18、灰钙粉5‑10、蓝方石14‑22、异氰酸丙基三乙氧基硅烷2‑4、冶金废渣5‑10、硅酸锂4‑8、聚乙烯亚胺6‑9、改进剂 130‑150。本发明通过使用球粘土制得的粘土型砂分散性好，可塑性好，粘结性好，通过使用蛇纹石尾矿、埃洛石、钠硼解石、灰钙粉、蓝方石，型砂透气性好、耐热性好，通过添加异氰酸丙基三乙氧基硅烷、硅酸锂、聚乙烯亚胺，提高了型砂的湿压强度
一种铸铁件粘土型砂及其制备方法

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