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[实用新型]一种大电流场效应管的封装结构-CN202023166304.5有效
发明人：谭丛辉;王言豪 -专利权人：深圳市新芯矽创电子科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型属于场效应管技术领域，且公开了一种大电流场效应管的封装结构，包括场效应管机构、导电基座、电路板、场效应管主体和微型风扇，所述场效应管机构包括导电基座，所述场效应管机构的顶端安装有电路板，所述电路板的顶端均匀安装有场效应管主体，所述导电基座的顶端设置有封装机构，所述封装机构包括连接块，所述场效应管主体的外侧设置有散热机构。本实用新型使得用户可方便的对导电基座、电路板和场效应管主体进行封装，降低了用户安装和拆卸的难度，方便用户对场效应管主体的使用情况进行查看和分辨，可在场效应管主体运转时进行散热，避免因为场效应管主体过热，而影响场效应管主体的正常运转。
一种电流场效应封装结构

[发明专利]编码动态触觉效应-CN201810371898.1在审
发明人： H·达考斯塔;安丰天;C·J·尤尔里奇 -专利权人：意美森公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本公开涉及编码动态触觉效应。提供了编码一种或多种动态触觉效应的系统。该系统把动态触觉效应定义为包括多个关键帧，其中每个关键帧都包括一个插入值和对应的触觉效应。插入值是规定插入在哪里发生的值。该系统生成触觉效应文件，并且把动态触觉效应存储在该触觉效应文件中。
动态触觉效应触觉效应关键帧系统生成存储

[发明专利]编码动态触觉效应-CN201310471458.0有效
发明人： H·达考斯塔;安丰天;C·J·尤尔里奇 -专利权人：意美森公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本公开涉及编码动态触觉效应。提供了编码一种或多种动态触觉效应的系统。该系统把动态触觉效应定义为包括多个关键帧，其中每个关键帧都包括一个插入值和对应的触觉效应。插入值是规定插入在哪里发生的值。该系统生成触觉效应文件，并且把动态触觉效应存储在该触觉效应文件中。
动态触觉效应触觉效应关键帧系统生成存储

[发明专利]一种自补偿的气敏集成场效应管结构-CN202110084730.4有效
发明人：袁震;太惠玲;蒋亚东;梁俊阁;赵秋妮;段晓辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了气敏集成场效应管结构，属于气体传感器技术领域，具体涉及一种自补偿的气敏集成场效应管结构，该结构包括主敏感单元场效应管与补偿单元场效应管，采用双同型场效应管共极结构，利用主敏感单元与补偿单元场效应管敏感栅的吸附敏感功能，调制双场效应管分压，实现气敏场效应管结构对主测试气体的选择性自补偿信号输出。本发明所述的自补偿气敏集成场效应管结构可消除特定干扰气体对气敏场效应管敏感特性的影响，提升气敏场效应管的气敏选择性，提高气敏场效应管输出信号可靠性，在环境监测、食品安全及军事等领域均具有广泛的应用前景。
一种补偿集成场效应结构

[实用新型]一种场效应管固定装置-CN202122181647.7有效
发明人：吴迪;李聪浩 -专利权人：迪龙新能源科技河北有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场效应管固定装置，该场效应管固定装置由接触部分、连接部分与固定部分构成，且该连接部分的内凹位置为弧形结构，且该场效应管固定装置用于固定场效应管，所述场效应管上开设有连接孔，所述场效应管与场效应管固定装置之间安装有绝缘垫片该一种场效应管固定装置，在将场效应管安装到散热腔上时，场效应管固定装置不需要螺栓穿过场效应管和绝缘垫片的中间圆孔，只需要用螺栓穿过固定部分的安装孔就可以实现场效应管的固定，节省了操作时间，方便操作。
一种场效应固定装置

[发明专利]阳极效应抑制与熄灭的方法-CN201110109898.2有效
发明人：杨晓东;周东方;马恩杰;张钦菘;符勇;殷小宝 -专利权人：沈阳铝镁设计研究院有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C25C3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于预焙阳极电解槽的阳极效应抑制与熄灭的方法，包括下述步骤：确定即将发生阳极效应的阳极；电解槽通过下料口对即将发生阳极效应的阳极进行下料；如果发生阳极效应，根据发生阳极效应的阳极位置只抬压局部母线即可熄灭阳极效应本发明的优点效果：通过有针对性的局部补充氧化铝能够有效抑制阳极效应的产生以及通过抬压局部母线可以熄灭已经发生的阳极效应。本发明能对出现阳极效应特征的阳极通过单点局部下料来抑制阳极效应的发生，避免了全部下料口同时下料对电解槽状态的破坏，有利于稳定电解槽运行，同时，通过抬压局部母线来熄灭阳极效应可以达到节能降耗的效果。
阳极效应抑制熄灭方法

[发明专利]压缩视频中分块效应的消除方法-CN200510029936.8有效
发明人：王青海 -专利权人：逐点半导体（上海）有限公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H04N7/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种压缩视频中分块效应的消除方法，其包括以下步骤：输入图像的数据；检测并统计获取所述图像的分块效应强度向量以及分布状况数据；将分块效应强度向量作为分块效应滤波的控制参数；根据分布状况数据获得所述分块效应的位置信息；将控制参数及分块效应的位置信息送到图像滤波模块；图像滤波模块依据所述控制参数及所述分块效应的位置信息对所述图像进行分块效应滤波处理；输出该处理后的图像。本发明通过检测解码的视频图像中是否存在分块效应、分块效应的强度以及分块效应的分布状况，为控制图像滤波模块进行自适应滤波处理提供了参考，能够改善图像质量，更好的保护图像中细节。
压缩视频分块效应消除方法

[发明专利]一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构及制作方法-CN201711446763.9有效
发明人：尚恩明;胡少坚;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构，包括：半导体衬底，上下堆叠设于所述半导体衬底上的围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管，所述围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管之间以介质层相隔离本发明可实现独立控制CMOS中的N型场效应管和P型场效应管，能有效消除短沟道效应和量子效应产生的不利影响，避免平行CMOS器件中可能存在的闩锁效应，提高器件的性能，并可明显缩小CMOS器件的面积占比。本发明还公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构的制作方法。
一种堆叠式围栅纳米 cmos 场效应结构制作方法

[实用新型]一种蜂鸣器应用电路及设备-CN201822266330.1有效
发明人：钟添荣;陈小墙;符道永 -专利权人：厦门实锐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G10K9/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蜂鸣器应用电路及设备，包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、蜂鸣器；第一场效应管的G极用于与MCU相连，第一场效应管的S极与地相连，第一场效应管的D极与第二场效应管的G极相连，第二场效应管的S极与地相连，第二场效应管的D极与第三场效应管的G极相连，第三场效应管的D极与蜂鸣器的第一端相连，第三场效应管的S极用于与电源相连，蜂鸣器的第二端用于与电源相连，第四场效应管的D极与蜂鸣器第一端相连，第三场效应管的S极与地相连，第四场效应管的G极用于与MCU相连。基于本实用新型，通过蜂鸣器外接场效应管的布置，使得在蜂鸣器不工作的状态下，实现了在不工作的情况下的器件无消耗。
场效应管蜂鸣器本实用新型电源应用电路外接消耗

[发明专利]单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备-CN202011440540.3在审
发明人：李科举;刘宝生 -专利权人：富满微电子集团股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备，所述单刀双掷开关包括四个场效应管单元，分别为第一场效应管单元、第二场效应管单元、第三场效应管单元和第四场效应管单元，每个场效应管单元均包括三个场效应管，每个场效应管单元的三个场效应管串联；所述第一场效应管单元的两端分别连接第一开关节点和第二开关节点；所述第二场效应管单元的两端分别连接所述第一开关节点和第三开关节点；所述第三场效应管单元的两端分别连接所述第二开关节点和地；所述第四场效应管单元的两端连接所述第三开关节点和地；在其中的N个场效应管单元中，同一场效应管单元中三个场效应管的衬底均连接于对应的一个衬底电阻单元，其中1≤N≤4。
单刀开关信号处理电路以及电子设备

[发明专利]一种LED模组、LED驱动电路及驱动方法-CN201310548967.9有效
发明人：金昌洲;万叶华;沈锦祥 -专利权人：浙江生辉照明有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED模组、LED驱动电路及驱动方法，LED模组包括第一场效应管、第二场效应管以及与两个场效应管连接的电阻和LED；两个场效应管均为Ｎ型场效应管，第一场效应管的栅极与第二场效应管的源极连接，第一场效应管的漏极与第二场效应管的栅极连接，第二场效应管的栅极和第一场效应管的漏极接收PWM信号；LED与第二场效应管的漏极连接，所述电阻的一端与第一场效应管的栅极和第二场效应管的源极连接，电阻的另一端接地相较于现有技术，本发明采用场效应管来代替NPN晶体管，场效应管的驱动电压阀值受温度影响较NPN晶体管要小很多，所以限制的LED电流大小一致性和稳定性要更好，可以在各种温度状态下保持流过LED的电流恒定。
一种 led 模组驱动电路方法

[发明专利]终端-CN201811632158.5有效
发明人：蒋权 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H04R25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种终端，包括：编解码模块、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、电感、听筒；所述编解码模块的听筒信号正极管脚连接至所述第一场效应管和所述第二场效应管的漏极和所述听筒，所述编解码模块的听筒信号负极管脚连接至所述第三场效应管和所述第四场效应管的源极和所述听筒，所述第一场效应管的源极和所述第四场效应管的漏极连接至所述电感的一端，所述第二场效应管的源极与所述第三场效应管的漏极连接至所述电感的另一端，所述编解码模块的四个通用输入输出管脚分别连接所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管的栅极。
终端

[发明专利]一种电平转换电路-CN201910856649.6有效
发明人：宋登明 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：该电平转换电路包括连接于电源电压的第一场效应管和第二场效应管，连接于第一输入端的第三场效应管、第一高压native管和第一低压场效应管，连接于第二输入端的第四场效应管、第二高压native管和第二低压场效应管，第四场效应管、第二高压native管和第二低压场效应管还通过反相器连接于电路输出端；第一场效应管连接于第三场效应管、第四场效应管和第二高压native管；第二场效应管连接于第三场效应管、第四场效应管和第一高压native管；第一高压native管通过第一低压场效应管接地，第二高压native管通过第二低压场效应管接地。
一种电平转换电路

[发明专利]高线性度高速信号缓冲电路-CN201710470078.3有效
发明人：何天长 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高线性度高速信号缓冲电路，包括输入端、第一场效应管、第二场效应管、与第一场效应管相连的第一电流源、与第二场效应管相连的第二电流源、第三场效应管、与第三场效应管相连的第四场效应管、与第二电流源和第二场效应管相连的第一电容、第二电容及输出端，第一场效应管与第一电流源形成主要缓冲器，第二电流源、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管形成电流补偿子电路，第一电容与第二电容的电容值相等，第一电容为补偿电容，第二电容为负载电容，第二场效应管和第四场效应管采集负载电容的电流的变化，再通过第三场效应管补偿到主要缓冲器，来保证流过第一场效应管的电流不变。
线性高速信号缓冲电路

[实用新型]一种LED模组及LED驱动电路-CN201320700981.1有效
发明人：金昌洲;万叶华;沈锦祥 -专利权人：浙江生辉照明有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED模组及LED驱动电路，LED模组包括第一场效应管、第二场效应管以及与两个场效应管连接的电阻和LED；两个场效应管均为Ｎ型场效应管，第一场效应管的栅极与第二场效应管的源极连接，第一场效应管的漏极与第二场效应管的栅极连接，第二场效应管的栅极和第一场效应管的漏极接收PWM信号；LED与第二场效应管的漏极连接，所述电阻的一端与第一场效应管的栅极和第二场效应管的源极连接，电阻的另一端接地。相较于现有技术，本实用新型采用场效应管来代替NPN晶体管，场效应管的驱动电压阀值受温度影响较NPN晶体管要小很多，所以限制的LED电流大小一致性和稳定性要更好，可以在各种温度状态下保持流过LED的电流恒定
一种 led 模组驱动电路