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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]擦除快闪存储器单元的方法及应用此方法的快闪存储器装置-CN200610058653.0有效
发明人：陈宗仁 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：在一种擦除快闪存储器单元的方法中，快闪存储器单元组织成可选定的储存块，擦除步骤包括施加擦除脉冲电压到至少一个选定和至少一个非选定储存块的共同偏压的单元井上，所述方法包括以下步骤：将擦除脉冲电压提高到低于目标擦除脉冲电压的第一中间电压；在第一时期内将擦除脉冲电压维持在第一中间电压；在第一时期后，将擦除脉冲电压提高到目标擦除脉冲电压；并在擦除操作期间内，将擦除脉冲电压维持在目标擦除脉冲电压。
擦除闪存单元方法应用装置

[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置-CN201810664594.4有效
发明人：马思博;罗啸;陈春晖;王者伟 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司;上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：获取非易失存储器中的当前擦除脉冲状态；根据所述当前擦除脉冲状态，确定调节电压；确定当前擦除脉冲对应的第一电压；根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一擦除脉冲对应的第二电压；在所述下一擦除脉冲中，根据所述第二电压进行擦除操作。本发明实施例中，第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际擦除情况确定的，在下一擦除脉冲中根据第二电压进行擦除操作，可以实现对非易失存储器的整个擦除过程中，进行可靠且高效的擦除操作。
一种非易失存储器处理方法装置

[发明专利]非易失性存储器的两遍擦除-CN201080020458.3无效
发明人：达纳·李;尼马·莫赫莱西;阿努夫霍·克汗代勒沃尔 -专利权人：桑迪士克技术有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：这里公开了用于擦除非易失性存储单元的技术。使用试验擦除脉冲擦除存储单元。基于试验擦除脉冲的幅度和收集的关于在试验擦除之后的阈值电压分布的数据确定第二脉冲的适当幅度。使用第二擦除脉冲擦除存储单元。在一种实现中，在第二擦除之后不验证存储单元的阈值电压。可以在第二擦除之后执行软编程。可以基于试验擦除脉冲确定软编程脉冲的幅度。在一种实现中，在软编程之后不验证存储单元的阈值电压。限制擦除脉冲和软编程脉冲的数目节省了时间和功率。确定第二擦除脉冲的适当幅度最小化或者消除了过擦除。
非易失性存储器擦除

[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置-CN201810664595.9在审
发明人：马思博;舒清明 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：获取非易失存储器中的当前数据擦除状态；根据所述当前数据擦除状态，确定调节电压；确定当前擦除脉冲对应的第一电压；根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一擦除脉冲对应的第二电压；在所述下一擦除脉冲中，根据所述第二电压进行擦除操作。本发明实施例中，第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际擦除情况确定的，在下一擦除脉冲中根据第二电压进行擦除操作，可以实现对非易失存储器的整个擦除过程中，进行可靠且高效的擦除操作。
非易失存储器擦除脉冲擦除操作数据擦除擦除

[发明专利]闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质-CN202211677531.5在审
发明人：李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差；根据第一阈值电压差和第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值；该方法基于第一阈值电压差和第二阈值电压差更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值能在存储单元的使用特性下降时及时更新合适的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值，以确保擦除操作能高效、顺利地完成执行
闪存芯片擦除电压配置方法装置设备存储介质

[发明专利]存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作-CN202211667045.5在审
发明人：卢景煌;Y·董;S·K·瑞特南;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本公开涉及存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作。存储器装置中的控制逻辑执行编程操作以将一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平。执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平，所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平的第一擦除脉冲施加到所述存储器单元。执行第二擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第二阈值电压电平，所述第二擦除子操作包含将具有第二擦除电压电平的第二擦除脉冲施加到所述存储器单元，其中所述第一擦除脉冲的所述第一擦除电压电平低于所述第二擦除脉冲的所述第二擦除电压电平
存储器子系统中的单元阶段擦除操作

[发明专利]智能擦除方案-CN202110582713.3在审
发明人：武凡琪;曾怀远;S·普腾热亚当 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：公开一种在非易失性存储装置上执行擦除操作的方法。所述方法包括：在所述擦除操作的多个擦除循环中的第一擦除循环中将第一擦除电压脉冲施加到一组非易失性存储元件；在施加所述第一擦除电压脉冲之后确定所述一组非易失性存储元件的阈值电压分布的上尾部；基于所述一组非易失性存储元件的所述阈值电压分布的所述上尾部来确定第二擦除电压脉冲；及在所述多个擦除循环中的第二擦除循环中将所述第二擦除电压脉冲施加到所述一组非易失性存储元件。
智能擦除方案

[发明专利]一种存储器的擦除方法和系统-CN201810941473.X有效
发明人：贺元魁;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器的擦除方法和系统。存储器的擦除方法包括以下步骤：擦除时序C1时向存储单元施加脉冲擦除电压；校验时序Y1时向存储单元施加校验电压；若校验失败，在擦除时序C1后则再次向存储单元施加具有增幅Dvers的脉冲擦除电压以再次进行校验，具有增幅的脉冲擦除电压的脉冲宽度T按时序减少。存储器的擦除方法和系统具有提高存储器寿命的优点。
一种存储器擦除方法系统

[发明专利]半导体存储器设备-CN201110285490.0有效
发明人：名仓满;石原数也;山崎信夫;川端优 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：半导体存储器设备，其中不管作为写入动作（擦除和编程动作）的目标的存储器单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将可变电阻元件的电阻状态带入具有最低电阻值的擦除状态的擦除电压脉冲。此后，向编程动作目标存储器元件的可变电阻元件施加将可变电阻元件的电阻状态带入所需编程状态的编程电压脉冲。通过总是在施加擦除电压脉冲之后施加编程电压脉冲，可以避免连续地施加多个编程电压脉冲。而且，存储器单元阵列由偶数个子组块构成，且交替地执行一个子组块中擦除电压脉冲的施加和另一子组块中编程电压脉冲的施加。
半导体存储器设备

[发明专利]存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置-CN201610009723.7有效
发明人：陈宗仁 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准。判断未被选择的多个扇区。判断任一擦除脉冲次数或任一擦除电压位准是否大于等于一预定值。当擦除脉冲次数或擦除电压位准大于等于预定值时，使用第二刷新操作频率刷新未被选择的扇区。当擦除脉冲次数或擦除电压位准小于预定值时，使用第一刷新操作频率刷新未被选择的扇区。
存储器装置刷新方法可调整操作频率

[发明专利]半导体装置及擦除方法-CN202210124034.6在审
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及擦除方法，可控制擦除脉冲的施加次数。本发明的闪速存储器的擦除方法是先以不同的写入电平对区块内的多个牺牲存储单元进行编程，在响应于擦除命令而对选择区块进行擦除时，将监视用擦除脉冲(R1)施加至阱，然后，对多个牺牲存储单元进行检验(S_EV)，当检验不合格时，增加监视用擦除脉冲的电压之后施加监视用擦除脉冲(R2)，直至多个牺牲存储单元的检验合格为止，当检验合格时，基于监视用擦除脉冲(R2)的电压，将通常的擦除脉冲(Q1)施加至阱(Well)来对选择区块进行擦除。
半导体装置擦除方法

[发明专利]一种阈值电压调节方法-CN201910876123.4有效
发明人：李弦;张文豪;叶谦;王志刚 -专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请提供一种阈值电压调节方法，包括用于将闪存单元的阈值电压调节至目标值，通过预设初始编程(或擦除)电压，将阈值电压调到大于(或小于)目标值的状态，然后进行逐次擦除(或编程)操作，通过计算擦除(或编程)脉冲的幅度和宽度，进行多次擦除(或编程)操作，使得闪存单元的阈值电压逐渐接近目标值，达到将阈值电压调节到目标值的目的。由于后续的擦除(或编程)操作采用的擦除(或编程)电压脉冲幅度和脉冲宽度都是依据前一次擦除(或编程)后的阈值电压与目标值的差值进行计算得到的，从而使得阈值电压能够按照一定规律逐渐靠近目标值，进而达到目标值
一种阈值电压调节方法

[发明专利]等离子显示面板的驱动方法-CN200410075795.9无效
发明人：金晙渊 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：一种用于驱动等离子体显示面板(PDP)和在擦除周期中可靠地擦除壁电荷的方法。该PDP包括形成在X电极和Y电极之间的中间(M)电极。维持放电脉冲电压以脉冲串的形式周期地施加给X电极和Y电极。而且，复位波形、扫描脉冲电压和维持放电电压施加给中间电极。此外，为了避免强放电，在用相同的电压电平对X和Y电极进行偏置时，在擦除周期中擦除波形施加给M电极。或者，为了避免强放电，在用相同的电压电平(地电压)对M和Y电极进行偏置时，在擦除周期中擦除波形(逐渐上升波形)施加给X电极。
等离子显示面板驱动方法

[发明专利]执行擦除操作的设备及方法-CN201811496202.4在审
发明人： F·罗里;C·切拉福利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本申请案涉及用于执行擦除操作的设备及方法。一种实例性方法包含：对存储器单元阵列的一部分的存储器单元的第一组执行第一擦除验证；对所述阵列的所述部分的存储器单元的第二组执行第二擦除验证；如果所述第一组未通过所述第一擦除验证且如果所述第二组未通过所述第二擦除验证，那么将第一擦除电压脉冲同时施加到所述阵列的所述部分中的每一存储器单元；及如果所述第一组通过所述第一擦除验证且如果所述第二组未通过所述第二擦除验证，那么将第二擦除电压脉冲同时施加到所述阵列的所述部分中的每一存储器单元所述第二擦除电压脉冲不同于所述第一擦除电压脉冲。
擦除擦除电压脉冲存储器单元验证擦除操作存储器单元阵列施加申请案

[发明专利]一种对具有单独擦除栅极的分栅式非易失性浮置栅极存储单元进行编程的方法-CN201280065391.4有效
发明人： V.马科夫;J-W.俞;H.Q.阮;A.科托夫 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：在非易失性存储单元的编程期间，在电压脉冲被施加到单元的其它元件之后的一延迟时间，电压脉冲被施加到单元的擦除栅极。擦除栅极电压脉冲基本上在与其它电压结束的相同时间结束。
一种具有单独擦除栅极分栅式非易失性浮置存储单元进行编程方法

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