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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种源瓶恒温阱-CN201320042606.2有效
发明人：白留飞;苏正宾;王广军;陈华伟 -专利权人：洛阳尚德太阳能电力有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本实用新型提供一种源瓶恒温阱。现有技术源瓶只能水平放置在源瓶恒温阱中会导致源瓶中残留较多的源液从而造成浪费。本实用新型的源瓶恒温阱具有基座和设置在基座中且与源瓶相匹配的凹槽，所述凹槽的底面与基座的放置面间的夹角的范围为5度至60度，从而使源瓶倾斜设置在源瓶恒温阱中。本实用新型可提高源液利用率，降低生产成本，并且减少有毒物质的排放，有效减轻环境污染。
一种恒温

[发明专利]2TSONOS闪速存储器-CN201680020662.2在审
发明人：许富菖 -专利权人： NEO半导体公司
申请日： 2016-04-04 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一方面，一种装置包括一个控制栅极晶体管，具有沉积在一个N阱中的源极和漏极扩散区，形成在与所述源极和漏极扩散区重叠的所述N阱上的一个电荷捕获区，以及形成在所述电荷捕获区的一个控制栅极。在所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度小于90nm。该装置还包括一个选择栅极晶体管，具有沉积在所述N阱中的一个选择源极扩散区。所述选择栅极晶体管的一个漏极侧共享所述源极扩散区。在所述选择源极扩散区和所述源极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度也小于90nm。
tsonos 存储器

[实用新型]一种MO源瓶支架装置-CN201921330901.1有效
发明人：施文贞 -专利权人：福州中科光芯科技有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种MO源瓶支架装置，包括支架框，支架框上设置有竖直截面形状为“L”字形的MO源瓶支撑座。该MO源瓶支架装置的结构简单，放置方便，采用奥氏体不锈钢结构，随MO源瓶浸泡水中，不需要取出，不易生锈，精致小巧，可放置于水浴槽中间，将新装的MO源瓶紧贴着MO源瓶支撑座的垂直面安装，即可保证MO源瓶垂直不易倾斜，大大改善了MO源瓶倾斜与偏离的问题。
一种 mo 支架装置

[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造-CN201610090150.5有效
发明人：蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层(104)上印刷掺杂物源(105、106)。对掺杂物源(105、106)进行固化，以将来自掺杂物源(105、106)的掺杂物扩散至多晶硅层(104)中，从而形成扩散区(107、108)，并对掺杂物源(105、106)进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源(105、106)之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源(106)的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源(105)中。
具有防止补偿掺杂太阳能电池制造

[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造-CN201180032257.X有效
发明人：蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层（104）上印刷掺杂物源（105、106）。对掺杂物源（105、106）进行固化，以将来自掺杂物源（105、106）的掺杂物扩散至多晶硅层（104）中，从而形成扩散区（107、108），并对掺杂物源（105、106）进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源（105、106）之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源（106）的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源（105）中。
具有防止补偿掺杂太阳能电池制造

[实用新型]一种香味扩散器-CN202222283006.7有效
发明人：刘青飞;黄红艳;赖国银;丁亚伟 -专利权人：广东铭康香精香料有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A61L9/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及香味扩散器领域，尤其涉及一种香味扩散器，包括香液瓶主体，香液瓶主体的底端设置有托盘底座，香液瓶主体的顶端开设有螺纹线，香液瓶主体的顶端螺纹安装有圆形盖壳。本实用新型通过设置有圆形盖壳和搅拌机构，托盘底座一侧通过充电接口接通电源，使得托盘底座内部的加热板加热，使得香液瓶主体内部的香水增温，能够使得香液瓶主体内部的温度提升，增加香水的分子运动，加速香味的扩散，使得在冬季也能够闻到快速的闻到香味，伺服电机启动，使得主动蜗杆发生旋转，使得从动蜗轮在带动下发生转动，第二转动杆发生旋转，使得搅拌叶片能够搅拌香水，增加香水气味的扩散，使其从散气孔散出。
一种香味扩散器

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201380055163.3在审
发明人：山村官司;清水宏信;有田辉夫;内山淳;川上知巳;泽井敬一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明实现一种半导体器件的制造方法，其能够避免在一个半导体器件的制造过程作为在固相扩散中使用的扩散源的高浓度杂质层污染使用同一设备制造的其它半导体器件，并且能够抑制半导体器件的特性因密封树脂中的可动离子而变动半导体器件的制造方法包含利用固相扩散形成构成半导体器件(晶闸管)(100)的扩散区域(阴极区域)(103)的固相扩散工序，该固相扩散工序包含在半导体衬底(N型硅衬底)(101)上形成成为杂质的扩散源的高浓度杂质层，使得该高浓度杂质层与该半导体衬底的规定的区域有选择地接触的工序；利用热处理使杂质从该扩散源层扩散至该半导体衬底而形成该扩散区域的工序；和在进行了该热处理后除去该扩散源层的工序。
半导体器件制造方法

[发明专利]快闪存储器单元的制造工序-CN02125184.3无效
发明人：阿瑟·H·Y·王;彼得·拉布金;弗兰克·钱 -专利权人：海力士半导体美国有限公司
申请日： 2002-05-11 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在本发明中，利用共扩散步骤制造了一突变的漏极结和一渐变的源极结，其中，该共扩散步骤用于形成漏极结和源极结两者。一层氧化物隔衬在共扩散步骤之前出现在栅极叠上的情况下，共扩散步骤得以完成，导致更快的源极扩散和渐变的源极结，而漏极区中的较慢扩散导致突变的漏极结。
闪存单元制造工序

[发明专利]变体积恒压下气体在液体中扩散系数的测量装置及方法-CN201710007459.8有效
发明人：何茂刚;刘向阳;彭三国;张颖 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种变体积恒压下气体在液体中扩散系数的测量装置及方法，装置主要包括气体样品瓶、气体腔、扩散腔、恒温槽、阀门、真空泵、减压阀、控压气瓶、位移传感器、压力传感器、铂电阻温度计、数据采集系统。所述扩散腔采用带有石英玻璃的可视窗结构；所述扩散腔安装有压力传感器和位移传感器；所述扩散腔通过可移动活塞与控压气瓶来保持其在扩散过程中压力恒定；所述可移动活塞在测量过程中的移动距离通过位移传感器测量得到气体在液体中的扩散系数根据Fick第二定律计算得到。本发明实现了恒压下气体在液体中扩散系数的测量，具有装置简单、成本低、操作方便、系统稳定的优点。
一种体积压下气体液体扩散系数测量装置方法

[实用新型]一种测试药物穿透皮肤的实验装置-CN200720079932.5无效
发明人：阮卫明;张三钧 -专利权人：阮卫明;张三钧
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测试药物穿透皮肤的实验装置，它包括恒温水浴箱、控制箱、操作台、穿透扩散池、补液瓶和连接管；穿透扩散池的内瓶上部设有补液口；控制箱经电线分别于恒温水浴箱、操作台实现电路联接，恒温水浴箱经连接管与穿透扩散池的外瓶相连通，补液瓶经连接管与穿透扩散池的补液口相连通，穿透扩散池放置在操作台上。
一种测试药物穿透皮肤实验装置

[实用新型]一种新型氧气湿化瓶-CN201720175579.4有效
发明人：刘义廷;雷畅;邢军;程雪敏;何琳娜 -专利权人：刘义廷
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： A61M16/16 文献下载
摘要：本实用新型给出了一种新型氧气湿化瓶，包括瓶盖和瓶体，瓶盖中心设置一贯通通孔，在瓶盖上还设置一与贯通通孔相邻的出气管，在瓶体内还设置一进气管，进气管通过两支撑杆固定在瓶体内部，进气管的上部可贯穿在贯通通孔内，在进气管底部设置一下大上小的扩散口，在瓶体底部设置一与扩散口相对应的伞状分流锥，在瓶体的内侧壁上设置有一与扩散口上端相邻的第一环形导向板，在进气管的中部外侧设置有第二环形导向板。该湿化瓶内的扩散口和伞状分流锥，增大了氧气在湿化液内的扩散面积，从而减小了氧气气泡体积，在氧气爆破时，降低了爆破噪音，同时，第一环形导向板和第二环形导向板延长了氧气湿化路径，保证了氧气的湿化度。
一种新型氧气湿化瓶

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810929594.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底和栅极结构，栅极结构形成于半导体衬底上方；刻蚀位于栅极结构两侧的半导体衬底以形成第一凹槽；在第一凹槽内形成源/漏，栅极结构下方且位于源/漏之间的区域为沟道；刻蚀部分源/漏或部分半导体衬底以形成第二凹槽，第二凹槽与余下源/漏靠近栅极结构的一侧相邻；在第二凹槽的底部形成扩散阻挡结构，扩散阻挡结构中的离子类型与源/漏中的离子类型相反，扩散阻挡结构的顶部高于源/漏的底部，扩散阻挡结构的底部不高于源/漏的底部；和在第二凹槽内形成介质层。扩散阻挡结构能够有效避免电流在沟道下部和源/漏的下部泄漏，避免漏电，提高半导体器件的性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种复合磷扩散源及其制备方法和半导体掺杂加工的方法-CN202111395944.X在审
发明人：阮岳峰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：浙江尚能实业股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合磷扩散源及其制备方法和半导体掺杂加工的方法，这种复合磷扩散源按质量份数由正硅酸乙酯20‑22份，乙酸乙酯20‑40份，五氧化二磷1‑11份，乙醇35‑40份，水3‑5份混合而成。这种扩散源可以通过控制膜厚及复合磷扩散源中磷的含量来实现磷掺杂浓度的精确控制。并且更加环保，扩散过程中不需要离子注入机的参与，减少了该设备的资金投入，且操作简单，整个扩散工艺都在扩散炉中一次完成，不需二次退火，且可以满足大结深产品的加工需求，提高了生产效率。
一种复合扩散及其制备方法半导体掺杂加工

[发明专利]一种将重稀土靶材废料作为扩散源的磁体制备方法-CN202310298592.9在审
发明人：李建忠;姜华;金伟洋;时锐;王秦;周鸿波 -专利权人：宁波永久磁业有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种将重稀土靶材废料作为扩散源的磁体制备方法，将重稀土靶材废料制成扩散源粉末M与预备的扩散源粉末N加入有机溶液中形成重稀土混合液并涂覆至磁体表面，干燥、热扩散处理，得到符合使用性能的扩散磁体，物理气相沉积镀覆所产生的重稀土废料实现了高效利用，大幅降低了重稀土扩散源的使用成本，也减少了湿法的原料采购，同时实现了湿法、干法技术的工艺互补，提高了晶界扩散工艺的适应性，可合理覆盖不同产品厚度及不同一致性要求的产品
一种稀土废料作为扩散磁体制备方法

[实用新型]残铜清洁装置及自动光学检测仪-CN202221657740.9有效
发明人：张连利;付艺;刘彦明;何为;向铖;唐耀 -专利权人：珠海方正科技多层电路板有限公司;北大方正集团有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：残铜清洁装置包括真空发生器、收集件和吸尘管，真空发生器包括真空发生器本体，真空发生器本体的内部具有喷嘴、扩散室和扩压室，真空发生器本体具有气源接口、真空接口和排气接口；气源接口用于与气源连通，气源接口与喷嘴连通，以使气源经气源接口和喷嘴进入扩散室，并在扩散室形成负压区；真空接口与扩散室连通，吸尘管与真空接口连通，吸尘管用于吸附残铜，残铜经吸尘管和真空接口进入扩散室；收集件与排气接口连通，排气接口与扩压室连通，扩散室内的残铜经扩压室和排气接口进入收集件。
清洁装置自动光学检测

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