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- [发明专利]无定形图形的接合和扩展方法-CN00807355.4无效
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肯尼思·S·麦圭尔
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宝洁公司
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2000-04-06
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2002-05-22
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B31F1/07
- 形成二度空间有约束Voronoi棋盘形布置的步骤是1)配置成核点;2)形成成核点的Delauney三角形;3)从Delauney三角形空间中抽取多边形。通过只改变算法的成核点部分进行拼接工作。用于生成由具有至少二个可以拼接在一起的相对边缘的互锁二维几何形状组成的无定形二维图形的方法包括步骤(a)规定在二个相对边缘之间X方向测量的图形宽度Xmax;(b)沿着位于Xmax距离处的边缘将宽度为B的计算边界区域加在图形上;(c)计算生成X坐标在0与Xmax之间的成核点坐标(x,y);(d)选择X坐标为在零和B之间的成核点,并通过将Xmax加上x坐标值上,把该成核点复制在计算边界区上;(e)将计算生成的成核点,和在计算边界上的相应的复制的成核点,与所有先前生成的成核点进行比较;(f)重复步骤(c)～(e),直至生成所希望数目的成核点为止。为了完成生成图形的过程,该方法还包括步骤(g)在成核点上形成Delaunay三角形;(h)在成核点上进行Voronoi棋盘形布置形成的二维几何形状。
- 无定形图形接合扩展方法
- [发明专利]一种异位成核的双层MoS2-CN202210992813.8在审
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周喻;李成;范秀莲;邹路玮
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中南大学
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2022-08-18
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2022-10-11
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B22F1/054
- 本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
- 一种成核双层mosbasesub
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