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[发明专利]宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法及电路-CN202010921341.8有效
发明人：刘毅;廖新芳;李静;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供一种宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法及电路，旨在更为简便、低成本地实现高压二极管抗单粒子烧毁加固设计，为宇航系统提供元器件保障。该方法针对宇航系统中采用的多个高压快恢复整流二极管Di，将每个高压快恢复整流二极管Di替换为同规格的至少两个高压快恢复整流二极管串联结构；相应地，对于屏栅电源输出整流滤波电路，原高压快恢复整流二极管D1、D2、D3、D4构成桥式整流电路，高压快恢复整流二极管D5、D6分别作为CDD缓冲网络中的箝位二极管和续流二极管，分别单独替换为同规格的至少两个高压快恢复整流二极管串联结构。
宇航高压二极管粒子烧毁系统加固方法电路

[实用新型]快恢复大电流整流二极管模块-CN200720110060.4无效
发明人：李长春 -专利权人：李长春
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快恢复大电流整流二极管模块，属于电力设备中半导体器件技术领域，包括安装有主电极且带底座的壳体，所述主电极与底座之间并联有多个快恢复二极管；所述快恢复二极管的阳极引脚与主电极相连通，阴极引脚与底座相连通本实用新型快恢复大电流整流二极管模块利用快恢复二极管能自动均流的特点，将多个小电流的快恢复二极管并联使用，大大提高了快恢复二极管模块的整流电流，且具有低能耗、高效率及浪涌吸收的能力。
恢复电流整流二极管模块

[发明专利]多通道交错型功率因数校正整流器的拓扑结构-CN200810236416.8无效
发明人：刘进军;方倩;胡金库;王浩 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道交错型功率因数校正整流器的拓扑结构，包括多个子电路，其特征在于，每个子电路中均设有一个电感与一个开关器件串联后，与输入交流电源并联，其中电感与开关器件串联点连接一个上支路的快恢复二极管阳极和一个下支路的快恢复二极管阴极；各子电路开关器件与交流电源的连接端连接第一整流二极管阳极和第二整流二极管阴极；上支路的快恢复二极管阴极和第一整流二极管阴极连接滤波电容和负载的一端；下支路的快恢复二极管阳极和第二整流二极管阳极连接滤波电容和负载的另一端本发明特有的电路拓扑结构使得在任意时刻电流流通路径上只有两个半导体器件，导通损耗因而很小，提高了整流器的效率。
通道交错功率因数校正整流器拓扑结构

[实用新型]一种电源过压自恢复式霍尔编码器的保护电路-CN201720649001.8有效
发明人：王学利 -专利权人：北京京唐德信轨道设备有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电源过压自恢复式霍尔编码器的保护电路，包括整流二极管D1、整流二极管D2、稳压二极管D3和pptc快恢复保险F1，所述整流二极管D1的正极接到电源的输入端，在电源的输入端接入电容C4并接地；所述整流二极管D1的负极接整流二极管D2的正极，整流二极管D2的负极接pptc快恢复保险F1的一端，pptc快恢复保险F1的另一端接到电阻R2、电阻R3、电阻R5和电阻R6的一个并联端口。本电源过压自恢复式霍尔编码器的保护电路，编码器供电电压采用12V设计，允许最大供电电压32V，保证编码器不被外部供电电压过高而损坏；连接一个100mA的pptc快恢复保险F1，限制电流流过，保护系统元件不被损坏；当外部电压恢复正常后，系统仍可正常工作。
一种电源恢复霍尔编码器保护电路

[发明专利]一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法-CN202111442883.8在审
发明人：莫日根;廖新芳;梅博;袁强;于庆奎;孙毅;吕贺;范晓明 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法，旨在提升航天器用高压快恢复整流二极管抗辐照能力，为新一代航天器提供元器件保障。针对高能粒子辐照下高压快恢复整流二极管容易在主结边缘处形成失效点这一现象，本发明提出主结边缘局域载流子寿命控制技术，利用高能氦离子注入在主结边缘处形成局域晶格损伤从而引入额外复合中心，提高主结边缘处载流子的复合效率，从而降低主结边缘处的电流密度和热量累积，实现高压快恢复整流二极管抗辐照能力提升目的。本发明提出的高压快恢复整流二极管抗辐照加固制备方法具有工艺制备流程简单、技术成熟、抗辐照加固效果显著、可同时兼顾器件电学性能等技术优势，具有较高的应用价值。
一种粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法

[发明专利]一种高压快恢复整流二极管的制作方法-CN201711411505.7在审
发明人：党楠;古进;龚昌明;吴王进;杨波 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以很好的兼容反向工作电压、反向恢复时间、正向压降这三个电性参数，满足反向工作电压1500V以上、反向恢复时间100ns以下、正向压降3V以下的工作要求。
快恢复整流二极管反向工作电压反向恢复正向压降制备硼酸二极管制作电性参数工作要求合理配比测试管硼扩散硝酸铝结深制作兼容

[发明专利]一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法-CN201010589316.0无效
发明人：毛建军;陈福元;冷思明;朱志远;胡煜涛;王铮 -专利权人：杭州杭鑫电子工业有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在N-型半导体轻掺杂硅片正反面分别扩散入P+型和N+型杂质，得到P+N-N+硅整流二极管扩散片；2）P+N-N+硅片表面喷砂打毛。#液清洗P+N-N+硅片，经过纯水冲洗；再用电子化学清洗2#液清洗，硅片甩干；3）高温下金、铂、钯多重金属同时一次扩散进入P+N-N+硅片中；4）P+N-N+硅片双表面喷砂打毛，双表面镀上镍层，锯切成快恢复整流二极管芯片；5）通过隧道炉将快恢复整流二极管芯片与封装底座焊接；6）用混合酸液对快恢复整流二极管毛坯上的芯片外露部分进行化学腐蚀清洗、上保护胶、压模成型封装。本发明简化快恢复整流二极管的制造工艺流程，降低成本，提高产品性价比。
一种多重金属扩散恢复二极管及其制备方法

[实用新型]大电流快恢复整流二极管-CN201120185826.1有效
发明人：陈建平 -专利权人：江苏威斯特整流器有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及快恢复整流二极管，特别是大电流的快恢复整流二极管。本实用新型提供一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管，芯片由硅基片N区1，硅基片P区2和钼片3组成，其特征在于：芯片的直径为48mm。本实用新型从而从而提供了体积小的大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管，芯片的直径从原来的101mm降到了48mm。
电流恢复整流二极管

[实用新型]一种硅塑封快恢复整流二极管-CN201120549218.4有效
发明人：孔明 -专利权人：常州福达电子有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，尤其是一种硅塑封快恢复整流二极管，包括二极管本体、引脚和塑封外壳，二极管本体位于塑封外壳内，二极管本体由P型半导体层、N型半导体层、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层组成，P型半导体层和N型半导体层各焊接有一根引脚，引脚位于塑封外壳外，塑封外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单，二极管本体在塑封外壳内确保其电气特性不受影响，塑封外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，在更换硅塑封快恢复整流二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了硅塑封快恢复整流二极管击穿损坏。
一种塑封恢复整流二极管

[实用新型]交流电压整流调压器-CN201220340707.3有效
发明人：赵辅兴 -专利权人：重庆汉兴电器有限公司
申请日： 2012-07-14 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种交流电压整流调压器，其包括闭环式电性连接的整流器、取样滤波稳压器及触发控制器，所述整流器为桥式可控硅整流器，触发控制器为一向可控硅提供触发信号的三极管复合开关，该桥式可控硅整流器内包括有整流二极管，该整流二极管为快恢复二极管。本实用新型的交流电压整流调压器，其在整流电路中采用快恢复二极管作整流，可以极大地减少热损失，提高整流效率，进而提高产品的可靠性。
交流电压整流调压器

[实用新型]变频器输出抑制尖峰电压滤波器-CN201020575122.0有效
发明人：洪英杰 -专利权人：上海鹰峰电子科技有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变频器输出抑制尖峰电压滤波器，包括输出电抗器，其中，所述输出电抗器后接有起箝位作用的快恢复二极管桥式整流电路，所述快恢复二极管桥式整流电路包括由快恢复二极管D1～D6构成的三相桥式整流电路，每个快恢复二级管和RC支路并联以起到动态均压目的。本实用新型提供的变频器输出抑制尖峰电压滤波器，通过在输出电抗器后连接快恢复二极管桥式整流电路，可以将尖峰电压箝位在采样母线电压上，并将削弱的尖峰电压能量通过桥式整流二极管回馈到变频器的直流母线侧。
变频器输出抑制尖峰电压滤波器

[发明专利]一种隔离全桥变换器-CN202010765582.8在审
发明人：彭辉;张镠钟;游江;刘刚;刘洪胜;王西贝;周玮;李晓旭 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离全桥变换器，高频变压器副边绕组的一端连接第一高频电容的一端，第一快恢复二极管和第二快恢复二极管串联后与副边倍流整流器的输出滤波电容Co并联，第一高频电容的另一端连接第一快恢复二极管和第二快恢复二极管的连接点；高频变压器副边绕组的另一端连接第二高频电容的一端，第三快恢复二极管和第四快恢复二极管串联后与副边倍流整流器的输出滤波电容Co并联，第二高频电容的另一端连接第三快恢复二极管和第四快恢复二极管的连接点。本发明仅采用高频电容和快恢复二极管可以有效抑制隔离全桥变换器副边整流二极管整流电路在换流过程中的电压尖峰幅值，达到提高系统可靠性并降低电压尖峰对系统负面影响的目的。
一种隔离变换器

[实用新型]一种工作于开关频率的整流二极管电路-CN200820235033.4无效
发明人：卫延昌;张皖;姚月锋 -专利权人：深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工作于开关频率的整流二极管电路，包括整流二极管，以及与整流二极管串接的磁珠，在所述整流二极管与磁珠串联电路的两端并联一吸收电路，所述吸收电路单向导通且导通压降大于所述整流二极管正向导通压降，用于在所述整流二极管从关断状态向导通状态的切换过程中提供一临时电流通道，并在所述整流二极管导通后该吸收电路自动关断。该电路在不影响磁珠在整流二极管关断过程中其抑制反向恢复电流的前提下，消除了磁珠引起整流二极管开通速度降低的负面影响，限制了开关管源漏两端电压尖峰，而且不会增加额外的功耗，并使PCB的布局和走线更加方便简洁
一种工作开关频率整流二极管电路

[发明专利]照明电路-CN201010524392.3无效
发明人：张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种照明电路，包括：第一整流二极管、第二整流二极管，第三整流二极管，第四整流二极管，第一整流二极管的正极与第二整流二极管的负极连接，第一整流二极管的负极与第三整流二极管的负极连接，第三整流二极管的正极与第四整流二极管的负极连接，第四整流二极管的正极与第二整流二极管的正极连接；多个串联连接的发光二极管，连接在第一整流二极管的负极和第二整流二极管的正极之间，在交流电源的正半波周期时第一整流二极管、多个串联连接的发光二极管以及第四整流二极管导通；在交流电源的负半波周期时第三整流二极管、多个串联连接的发光二极管以及第二整流二极管导通。本发明不需要专门的整流电路，可以直接用交流电源进行供电。
照明电路

[发明专利]一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法-CN200710078012.6无效
发明人：程勇;孙建华 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，涉及硅整流二极管，尤其涉及其芯片的制造方法，方法包括以下工序：选取硅单晶片、硅片清洗、磷扩散、磨片、硼扩散、二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散、硼面轻喷砂、蒸铝本发明的快恢复硅整流二极管芯片的制造方法，在工艺流程中加入二次磷扩散、磷面蒸金、金扩散3个工序，使得N型硅中扩散杂质浓度发生改变，使N型硅与铝接触形成几乎完全的欧姆接触，并提高了生产的芯片性能；用本方法制造的玻璃钝化快恢复硅整流二极管芯片，在大电流下，正向压降得到降低的同时，恢复时间可达到30ns以下，并使产品的可靠性得到保证，能使正向压降小于0.875V；生产出的芯片体积小、重量轻、可靠性高、耐温度冲击。
一种恢复整流二极管芯片制造方法

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