专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种器件及光孤子产生系统-CN201910286513.6有效
  • 姜校顺;肖龙甫;赵巾一;王瀚;肖敏 - 南京大学
  • 2019-04-10 - 2022-04-22 - H01S3/11
  • 本发明实施例提供一种器件及光孤子产生系统,器件包括:,所述包括中间部和,所述围绕所述中间部一周设置;所述呈环状,环状的所述的外侧半径与内侧半径的差值小于40μm;所述中间部呈圆盘状,圆盘状的所述中间部的厚度小于10μm;所述用于产生光孤子。本发明实施例提供一种器件及光孤子产生系统,以实现提供一种便于集成的光孤子产生器件,并减小光孤子产生器件的体积。
  • 一种微环芯器件孤子产生系统
  • [实用新型]一种-CN202020210832.7有效
  • 姜校顺;赵巾一;肖龙甫;张孟华;肖敏 - 南京大学
  • 2020-02-26 - 2021-01-05 - G02F1/355
  • 本实用新型涉及一种,所述的直径为400‑3000μm,所述直径为20‑40μm,本实用新型通过调控的尺寸,有效减少光学模式在一个FSR内的模式数目,从而减少了光学模式间的相互作用;且所述具有高光学品质因子和优良色散曲线;使得光学孤子的产生成为可能;本实用新型所述的制备方法采用分步激光回流,其所需的激光回流的功率低,对设备要求低。
  • 一种微环芯腔
  • [发明专利]一种具有面包结构的及其制备方法和应用-CN202310302466.6有效
  • 姜校顺;王宇男;施琪 - 南京大学
  • 2023-03-27 - 2023-06-13 - G02F1/355
  • 本发明提供一种具有面包结构的及其制备方法和应用,所述具有面包结构的为环状结构,包括和环状硅柱,所述包括环状平面和围绕所述环状平面的外边缘一周设置的,所述同样呈环状;所述环状硅柱与所述环状平面相连,用来支撑所述;本发明提供的上述具有环状结构的中的环状硅柱的体积较小,进而有效降低了激光回流过程的热损失,使得激光回流过程所需激光功率较低;同时在制备过程中仅需一次刻蚀和激光回流的步骤即可获得更高品质因子的,为回音壁模式微提供了一种新的结构。
  • 一种具有面包结构及其制备方法应用
  • [发明专利]同心纳米硅器件及其制备方法-CN201210217253.5无效
  • 钱波;李永垒;蒋春萍 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2012-06-28 - 2012-10-10 - B81B7/00
  • 本发明公开了一种同心纳米硅器件及其制备方法,属于半导体光电子器件技术领域。该同心纳米硅器件包括硅衬底和盘,所述盘包括同轴设置的外围盘和内围盘,内围盘直接形成于外围盘上,外围盘与内围盘的边缘部熔合形成环状盘结构,其中,内围盘为含有硅纳米量子点结构的薄膜层本发明将纳米硅量子点结构和结构有机结合,同时又把纳米硅发光区域与结构相分离,既利用了纳米硅良好的光增益特性,又减少了谐振过程中的非辐射自由载流子吸收,实现纳米硅同心的高效率的光发射,同时,该同心纳米硅器件制备工艺简单,参数精确可调,与现行成熟的硅工艺相兼容。
  • 同心纳米硅微盘微腔器件及其制备方法
  • [发明专利]一种芯片集成的2微米波长微型激光器-CN201410625717.5有效
  • 姜校顺;范会博;丁杨;肖敏 - 南京大学
  • 2014-11-07 - 2017-12-01 - H01S3/16
  • 本发明公开了一种芯片集成的2微米波长微型激光器,包括稀土掺杂氧化硅纳光纤,其中纳光纤处于所述氧化硅的一侧,所述氧化硅通过如下方法制备得到(1)通过溶胶凝胶法在硅片表面制备稀土掺杂的氧化硅薄膜;(2)在所述氧化硅薄膜表面上用光刻、刻蚀工艺制备出氧化硅;(3)利用二氧化碳激光器对所述氧化硅进行加热回流处理得到氧化硅。本发明的利用溶胶凝胶稀土掺杂方法制备得到的2微米波长微型激光器具有芯片集成、微型化、稳定、阈值低等特性,通过二氧化碳激光回流的功率及时间,可优化内的能量模式体积,得到品质更优的激光器。
  • 一种芯片集成微米波长微型激光器
  • [发明专利]纳米硅同心掺铒激光器件及其制备方法-CN201310432239.1在审
  • 李永垒;钱波;蒋春萍 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2013-09-22 - 2015-03-25 - H01S5/04
  • 本发明公开一种纳米硅同心掺铒激光器件及其制备方法。所述激光器件包括硅衬底和盘,所述盘经形成于所述硅衬底上的盘支柱与所述硅衬底连接,所述盘包括同轴设置的外围盘和内围盘,所述内围盘直接形成于外围盘上,所述外围盘的边缘烧熔形成结构,所述外围盘为边缘掺铒的氧化硅薄膜层,所述内围盘为含有硅纳米量子点结构的薄膜层。本发明的纳米硅同心掺铒激光器件利用纳米硅良好的光增益特性,对铒离子进行较高效的光泵浦,既提高了自发辐射几率,同时又不会把纳米硅中载流子的吸收和其他损耗因素引入到边缘铒离子的增益激光模式中去,从而可以获得高品质的通讯波段模式发射光。
  • 纳米同心微环芯掺铒激光器件及其制备方法
  • [发明专利]一种湿法刻硅制备的方法-CN202010299877.0在审
  • 龙桂鲁;胡蕴琪;杨宏;王敏;王涛;毛璇;谢冉冉;梁敬淯;秦国卿 - 清华大学
  • 2020-04-16 - 2021-10-22 - B81C1/00
  • 一种湿法刻硅制备的方法,步骤如下:取一片硅片,硅片表面为二氧化硅氧化层,使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法,在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形;其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀,得到;最后将表面光刻胶去除,并使用激光器对其进行热回流,完成的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀,提高了各向同性,使得该刻蚀方法适用于超高品质的制备,在1550nm波段实现了108以上的品质因子,
  • 一种湿法制备微芯环腔方法

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