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[发明专利]微插损强耦合光纤光栅组所合成的合波分波器及制作方法-CN200610171583.X无效
发明人：简水生;简伟;延凤平;裴丽 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明“微插损强耦合光纤光栅组所合成的合波分波器”是由多个不同波长的强耦合光纤光栅组串联而成。这种强耦合光纤光栅组是双芯光纤用一块相位掩模板利用248nm波长的激光器刻制而成，其插入损耗＜1dB，利用不同周期的相位掩模板可以刻制出不同波长的强耦合光纤光栅组。本发明“微插损强耦合光纤光栅组所合成的合波分波器”造价比目前的阵列波导合波分波器降低1个数量级，经济效益和社会效益十分显著。
微插损强耦合光纤光栅合成合波分波器制作方法

[发明专利]一种用于细胞微损诱导的监测装置及明场监测方法-CN202111608802.7在审
发明人：胡亚欣;李玲茜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于细胞微损诱导的监测装置及明场监测方法，其中监测装置包括进样单元、超声发生单元、光学检测单元和处理单元，处理单元将明场图像输入到第一神经网络，将特征分割处理得到的关于细胞和微泡的初始分割图像再优化处理得到细胞分割图像和微泡分割图像，对细胞分割图像进行目标细胞的特征提取，以及对微泡分割图像进行目标微泡的特征提取，得到细胞微损特征参数、微泡微损特征参数和联合微损特征参数，将微损特征参数输入到第二神经网络，通过微损特征的分类处理得到目标细胞微损程度的分类结果技术方案提供了一种新的细胞微损监测方式，能够准确且精细化的分析得到目标细胞微损程度的分类结果。
一种用于细胞诱导监测装置方法

[发明专利]基于线谱对和三次插值搜索的管网漏损识别与定位方法-CN202010352747.9有效
发明人：刘书明;郭冠呈;吴雪 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： F17D5/02 文献下载
摘要：本公开是一种基于线谱对和三次插值搜索的城市供水管网漏损识别与定位方法，包括：漏损数据的采集和传输；建立基于线谱对的随机森林漏损识别模型，并利用该随机森林漏损识别模型识别城市供水管网是否发生漏损；建立基于管网拓扑结构的三次插值搜索漏损定位模型，并利用该漏损定位模型确定城市供水管网发生漏损的位置。本公开将漏损信号处理技术、线性预测技术、启发式搜索定位技术相结合，能够较为准确的识别出供水管网的漏损事故，并进行高精度的漏损点定位。该方法计算效率高、实用性强，适合在大规模复杂管网中使用。本公开扩展了现有的管网漏损识别与定位方法的研究内容，为自来水公司做出科学合理的决策提供依据。
基于线谱三次搜索管网识别定位方法

[发明专利]合路器插入损耗的计算方法及装置-CN201510229790.5有效
发明人：潘桂新;黄晓明;李卫;何飚;严峻;王健全;蔡庆宇;莫俊彬;葛慧明;施玉晨 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H04W24/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种合路器插入损耗的计算方法及装置，涉及通信技术领域，能够解决在LTE FDD宽带合路系统中，现有技术计算出的插损值较小，进而导致隔离带较大，占用过多的频率资源，造成资源浪费的问题。本发明的方法包括根据预设比例，将合路通道的频带划分为边缘插损带和典型插损带，典型插损带为合路系统中性能达到预设标准的频带，边缘插损带合路系统中性能未达到预设标准的频带；计算典型插损带的插损值，并根据典型插损带的插损值计算边缘插损带的插损值；将典型插损带的插损值和边缘插损带的插损值确定为合路器的插损值。
合路器插入损耗计算方法装置

[发明专利]一种不锈钢弯头管件无损成型工艺-CN202210155435.8有效
发明人：王成武;陈其争;李甫谦;陈阳阳;孙建芳;孙建波 -专利权人：华博管业有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B21D7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种不锈钢弯头管件无损成型工艺，属于弯管成型领域，一种不锈钢弯头管件无损成型工艺，通过分布式散点棒的设置，在对管坯进行挤压塑形之前，可以对管坯弯折范围小的一侧进行加热，从而使得管坯靠近偏小弯折处受热微熔，此时控制抗损颗粒下落，并落在管坯微熔处，从而能够凝结抗损颗粒形成止损补强层，一方面可以有效提高不锈钢管件弯折处的强度，延长使用寿命，有效弥补其在弯折时对该处强度的影响，另一方面，在使用时，当弯折处受力或者受到摩擦时，止损补强层会存在一定的磨损，此时附近的内液孔因磨损而使得金属修补剂溢出，进而有效抑制磨损情况的继续增大，进而显著延长本不锈钢弯头的使用寿命。
一种不锈钢弯头无损成型工艺

[发明专利]一种集成电光调制器-CN202211419372.9在审
发明人：徐路;胡晓;陈代高;王磊;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电光调制器，涉及光通信及微波光子技术领域，包括光传输波导和耦合双微环，且所述光传输波导位于所述耦合双微环的其中一个微环的侧面并与该微环相互耦合，所述耦合双微环的两微环处均设有接地电极和射频电极所述耦合双微环包括第一微环和第二微环，所述光传输波导位于第一微环的侧面并与第一微环相互耦合。本发明电光转换效率高且插损低。
一种集成电光调制器

[发明专利]安全锂离子电芯-CN201510267802.3有效
发明人：安长学;侯杨 -专利权人：潍坊天泽新能源有限公司
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：电解液和外壳，隔膜包括第一隔膜和第二隔膜，按照第一隔膜、正极片、第二隔膜和负极片的顺序组装成卷芯，所述卷芯外部包裹外壳，电解液注入在外壳之内，所述正极片上设置极耳，该正极片上设置的极耳为铝极耳，所述铝极耳是微损的，微损程度为流过铝极耳的电流超过锂离子电池最大放电电流的两倍以上时，铝极耳微损处熔断。通过在锂离子电池极耳上加工微损区域，从而增大微损区域处的电阻，当锂电池输出电流过大时，因微损区域的极耳电阻较大，温度升高较快，造成微损区域的极耳熔断，达到提高电池安全性的目的。
安全锂离子

[发明专利]插损评估方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202010675987.2在审
发明人：张利华;刘诗涛;李一峰 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F30/31 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种插损评估方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括：接收用户输入的待制造PCB的设计参数，其中，所述设计参数包括插损值；根据所述设计参数从预设数据库中获取与所述设计参数相匹配的相同设计；调用所述相同设计的历史插损数据；根据所述历史插损数据利用预设规则进行处理得到插损标准值；根据所述插损标准值判断所述插损值是否满足预设条件，在满足所述预设条件的情况下，判定所述待制造PCB符合插损要求。通过实施本发明实施例的方法可在待制造PCB生产前对其插损能力进行评估，避免在制造PCB时出现不合格的情况，提高PCB的良品率，降低生产成本。
评估方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]WDM波长通道识别方法、装置、设备及可读存储介质-CN202111671764.X在审
发明人：杨春;胡春琳;张玺;管子霆 -专利权人：武汉网锐检测科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本申请涉及一种WDM波长通道识别方法、装置、设备及可读存储介质，涉及通信光路测试技术领域，包括获取波长通道支路的包含波长数组和插损数组的二维数组；根据插损数组中的最小插损值与预设插损值得到和插损值；从波长数组中获取与和插损值相邻的第一插损值对应的第一波长值及第二插损值对应的第二波长值，且计算得到通道中心波长值和与预设插损值对应的带宽值，并确定出波长通道支路的初始WDM类型，再获取与通道中心波长值之间的差值最小的通道标称中心波长值；最后基于通道中心波长值、通道标称中心波长值和初始WDM
wdm 波长通道识别方法装置设备可读存储介质

[发明专利]波分系统的光纤线告警门限路保护方法-CN200910070988.8有效
发明人：喻杰奎;胡强高;孙莉萍;谭曼;杨睿;周治柱;罗清 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：一种波分系统的光纤线告警门限路保护方法，具体是用配对光保护单元的发射端口的光功率减去本端光保护单元的接收光功率，得到该根纤芯的线路插损值，依次检测出主用纤芯和备用纤芯的线路插损值；采用线路插损作为切换判据有两个切换判据，一个是主用线路切换至备用线路的判据：当主用纤任何一根纤芯线路插损值超过设定的线路插损的切换门限值，且两根备用纤芯的线路插损值均在设定的线路插损的告警门限之上；一个是备用线路切换至主用线路的判据：当两根备用纤芯中任何一根备用纤芯线路插损超过设定的切换门限，且主用两根纤芯的线路插损均值在设定的告警门限之上。本发明采用线路插损作为波分系统线路保护的切换判据，有效地解决了波分系统多跨段的保护难题。
分系统光纤告警门限保护方法

[发明专利]基于通道测试数据的DWDM器件识别方法、装置及设备-CN202111680712.9在审
发明人：杨春;胡春琳;管子霆;张玺 -专利权人：武汉网锐检测科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04B10/077 文献下载
摘要：本发明涉及通信光器件测试技术领域，公开了一种基于通道测试数据的DWDM器件识别方法、装置及设备，所述方法包括：根据DWDM器件通道测试数据得到目标中心波长；根据目标中心波长和目标替换通带带宽计算目标范围内的插损数据；根据目标替换通带数据对目标范围内的插损数据进行替换；根据当前插损数组、目标插损数组以及第一插损数据对DWDM器件进行识别；由于本发明是根据目标替换通带数据替换目标范围内的插损数据，再基于当前波长数组、目标插损数组以及第一插损数据对DWDM器件的识别结果确定对应的通道类型，相较于现有技术通过改变原始数据结构确定通道类型，能够有效提高识别DWDM器件的通道类型的效率。
基于通道测试数据 dwdm 器件识别方法装置设备

[发明专利]一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质-CN202310341613.0在审
发明人：齐伟;潘丽;王玲;白杨 -专利权人：安捷利（番禺）电子实业有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质。方法包括：获取胶膜层的介质损耗因子，在胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体，利用第一电路板前体制作第一微带线，并测量第一微带线的插损，将第一微带线的插损和胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度，基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型，由于等效粗糙度用于表征粗糙度和表面处理对插损的影响，从而基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型能够对金属箔表面的插损影响进行精确描述，提高插损计算模型的准确度
一种计算模型构建方法装置设备存储介质

[实用新型]一种交换机业务线卡-CN202220589601.0有效
发明人：张东俊;宋海洋;韩敬芝;崔云飞;凌涛;盛瑞瑞;贾李健;杨满智;傅强;梁彧;王杰;田野;金红;陈晓光 -专利权人：北京恒安嘉新安全技术有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H04L49/111 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种交换机业务线卡，包括前端芯片和交换芯片；前端芯片与交换芯片电连接，前端芯片与外部设备相连；前端芯片包括前端接口和插损补偿器；插损补偿器分别与前端接口和交换芯片电连接；前端接口与外部设备相连；前端接口用于在外部设备和插损补偿器之间进行信号传输；插损补偿器用于在前端接口和交换芯片之间进行信号传输；插损补偿器用于对所传输信号进行插损补偿。本实用新型实施例的技术方案，采用插损补偿器联通前端接口与交换芯片，从而为传输信号进行插损补偿，减小了因电路板硬件布置而导致的插入损耗，从而提高了数据传输效率。
一种交换机业务

[发明专利]资源分配方法、收发设备、电子设备及存储介质-CN202310835305.3在审
发明人：张志荣 -专利权人：中国电信股份有限公司技术创新中心;中国电信股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04W72/0453 文献下载
摘要：该方法包括：获取远端射频单元的发射链路上的带通滤波器的频段插损参数和功率放大器的频段增益参数；根据所述带通滤波器的频段插损参数和所述功率放大器的频段增益参数确定插损补偿信息；根据插损补偿信息确定资源分配策略该方法可以根据带通滤波器的频段插损参数和功率放大器的频段增益参数动态确定插损补偿信息，从而动态调整资源分配策略，实现不同插损补偿情况下的不同资源调度和映射策略。
资源分配方法收发设备电子设备存储介质

[发明专利]一种插入损耗测试方法与系统-CN201610917727.5有效
发明人：何英东 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H04B17/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种插入损耗测试方法和系统，该方法通过测试装置为待测试链路布置至少三条不同长度的传输线，当每一条传输线依次与待测试链路连通时，获取每一条传输线对应的链路插损总值，根据每两条传输线对应的链路插损总值，计算待测试链路对应的至少两个单位长度链路插损值，根据至少两个单位长度链路插损值，确定测试结果。该方法通过将至少两个单位长度链路插损值进行对比分析，可以确定在某一频率下的插损测试结果是否可信，提高了插损测试结果的可靠性。
一种插入损耗测试方法系统

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