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[发明专利]一种耐弯折钙钛矿太阳能电池及制备方法-CN201710839590.0在审
发明人：谈利承;陈义旺;黄增麒;胡婷 -专利权人：南昌大学
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：一种耐弯折钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底、负极、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层、正极，其特征是所述钙钛矿活性层由钙钛矿材料和添加剂组成；所述的添加剂为聚氨酯；所述的钙钛矿材料为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3‑xClx或(FAPbI3)1‑x(MAPbBr3)x；添加剂聚氨酯按0.01 wt%~5wt%质量浓度添加至钙钛矿前驱体溶液。本发明通过对钙钛矿前驱体溶液引入聚氨酯，在调控钙钛矿晶体成核、减缓其结晶速率的同时，提高了钙钛矿薄膜的耐弯折性能，为制备高性能柔性钙钛矿太阳能电池提供了新的思路，以实现钙钛矿太阳能电池柔性卷对卷的商业化生产
一种耐弯折钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202210293906.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括钙钛矿前驱体配置和钙钛矿太阳能电池制备。本申请通过调控一价阳离子及阴离子的种类和比例得到带隙可控，室温相稳定的钙钛矿。通过向钙钛矿前驱体里引入添加剂消除有机阳离子空位和不饱和配位的铅阳离子，钝化缺陷实现钙钛矿光伏器件1100mV以上的高开压，提高钙钛矿太阳能电池性能。此制备方法，不但能够推动单节钙钛矿电池产业化进程，而且在全钙钛矿叠层，硅/钙钛矿叠层以及化合物薄膜/钙钛矿叠层方面有着巨大的应用前景。
一种高开压钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件-CN202310088070.6在审
发明人：徐觅;程一兵 -专利权人：佛山仙湖实验室
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明涉及制备光电材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件。该制备方法包括如下步骤：钙钛矿前驱液在基底上形成钙钛矿前驱液液膜，钙钛矿前驱液包括第一溶剂和钙钛矿前驱材料；在容器内，形成气体氛围，保持容器的气密性，对钙钛矿前驱液液膜进行加热使温度升高到第一温度，使容器的内部气压上升到预设气压，预设气压大于容器的外界气压5‑300kPa；改变容器的气密程度维持预设气压，加热，干燥，制得钙钛矿干膜；退火处理，制得钙钛矿薄膜。该方法可以有效减少钙钛矿/基底界面处的孔隙和缺陷，制备出无孔洞高质量的钙钛矿薄膜以及高效稳定的太阳能电池。
钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池光电器件

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211670905.0在审
发明人：吴宇坤;胡李纳;张晨曦;李仕奇;郝玉英 -专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请实施例涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于受阻胺类光稳定剂修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：导电基底，所述导电基底为阳极；钙钛矿光敏层，位于所述导电基底上；阴极，位于所述钙钛矿光敏层上；钙钛矿下界面修饰层，位于所述导电基底和所述钙钛矿光敏层之间；受阻胺类光稳定剂膜层，位于所述钙钛矿光敏层与所述阴极之间覆盖到所述钙钛矿光敏层的上表面与所述钙钛矿光敏层的上表面接触。所述钙钛矿光敏层在受阻胺类光稳定剂膜层的修饰下，不仅可以提高器件的光伏性能，还可以加强钙钛矿的水氧稳定性和热稳定性。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法和用途-CN202211608889.2在审
发明人：樊超;戴兴良;何海平 -专利权人：浙江大学温州研究院
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法和用途。所述制备方法包括以下步骤：(1)将卤化铅和卤化铯混合研磨，然后进行煅烧，得到钙钛矿粉末；(2)将硅片倒扣在钙钛矿粉末上方，在低压和氮气氛围中加热钙钛矿粉末，使钙钛矿固相粉末蒸发为气相并沉积在上方的硅片表面，最终形成钙钛矿薄膜/硅异质结。本申请在制备钙钛矿薄膜/硅异质结过程中，通过垂直气相沉积的方法来提升钙钛矿在硅表面成核和生长的均匀性，通过低压来提高钙钛矿在硅表面沉积过程中的成核密度，这可以增加钙钛矿薄膜的致密程度，减少针孔密度，从而获得高质量钙钛矿薄膜
一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法用途

[发明专利]一种反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310946761.5在审
发明人：陈传露;朱鹏臣;朱嘉 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法，反型钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿膜层，所述钙钛矿膜层材料包括钙钛矿材料和添加剂，所述钙钛矿材料为形成钙钛矿ABX3该反型钙钛矿太阳能电池在钙钛矿膜层增加添加剂，通过添加剂材料与钙钛矿晶界和表面的缺陷进行锚定，有效地对钙钛矿晶界和表面缺陷进行钝化，并且减少了深能级缺陷的复合中心，进而提高电池的效率，增强电池的稳定性。
一种反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于雾化气液固热沉积法制备钙钛矿材料的设备和方法-CN201910646084.9有效
发明人：杨世和;肖爽;钱微 -专利权人：深圳市惠能材料科技研发中心（有限合伙）
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07C209/00 文献下载
摘要：本申请提供一种基于雾化气液固热沉积法制备钙钛矿材料的设备，包括雾化部件，用于将钙钛矿材料前驱体溶于溶剂中所得的钙钛矿材料前驱体溶液进行持续雾化，以产生钙钛矿前驱体雾化流；沉积部件，用于允许钙钛矿材料前驱体雾化流在其上持续沉积，以形成包含溶剂的钙钛矿材料前驱体沉积物；和加热部件，用于对沉积部件进行持续加热，在包含溶剂的钙钛矿材料前驱体沉积物形成的同时，使溶剂挥发而生长出钙钛矿材料。本申请还提供采用该设备制备钙钛矿材料的方法。本申请的设备和方法采用雾化、沉积和加热固化实时进行，属于气液固方法，对钙钛矿材料前驱体溶液利用率高，可以制备厚度可调且均匀、晶粒尺寸大的钙钛矿材料。
基于雾化气液固热沉积法制备钙钛矿材料设备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法-CN202110455751.2有效
发明人：张翔晖;沈杰;胡永明;顾豪爽;吴子田 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法，该钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将溴化铯、溴化铅和2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸溶于溶剂中，搅拌后得到钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液涂覆至基底上，加热，即得到钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜的制备方法，通过加入2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸，其能够增加钙钛矿溶液中溴化铯的溶解度，从而为钙钛矿薄膜的形成提供了丰富的Cs+离子，且2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸能提供更多的成核点，从而导致大量的相对较小的晶体形成，从而完全覆盖整个基底，提高薄膜覆盖率，减小钙钛矿薄膜针孔以及钙钛矿的晶体尺寸。
一种钙钛矿薄膜 led 器件及其制备方法

[发明专利]一种新型的增加钙钛矿薄膜寿命的方法-CN201911048866.9有效
发明人：许美凤;翟志淳;许田;宋方凯 -专利权人：南通大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的增加钙钛矿薄膜寿命的方法，包括如下步骤：步骤一、收集在各种条件下退化的钙钛矿薄膜；步骤二、确定钙钛矿薄膜是部分退化还是完全退化；步骤三、对于部分退化的钙钛矿薄膜处理：根据中间产物采用物理方法等减缓或阻止薄膜的进一步退化；步骤四、对于完全退化的钙钛矿薄膜处理：完全退化的钙钛矿薄膜采用化学方法进行多次修复。本发明通过对退化的钙钛矿的修复和重建来提高钙钛矿薄膜的寿命，从修复和重建的角度出发提高钙钛矿薄膜的稳定性，阻止部分退化的钙钛矿薄膜的进一步退化，使完全退化的钙钛矿薄膜能重新变成结晶度好、性能优良的薄膜。
一种新型增加钙钛矿薄膜寿命方法

[发明专利]一种杂化钙钛矿微晶发光材料的制备方法及其应用-CN201810490370.6有效
发明人：钟海政;黄胜;任延东;张小丽 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿微晶材料，所述杂化钙钛矿微晶材料包括化学式如式I所示的钙钛矿和化学式如式II所示的钙钛矿；AM2X5式I；A4MX6式II；所述如式I所示的钙钛矿嵌入如式II所示的钙钛矿中；其中，A选自CH3钙钛矿微晶材料发光效率高、稳定性好。
一种杂化钙钛矿微晶发光材料制备方法及其应用

[发明专利]一种新型大面积钙钛矿太阳能电池器件-CN201910609268.8在审
发明人：彭勇;刘胜康;王武峰;王雷冲;杨蓉 -专利权人：中山市武汉理工大学先进工程技术研究院
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种新型大面积钙钛矿太阳能电池器件，能减少电池的电阻，提高器件的光电效率，其特征在于：包括多个并联连接的电池单元，每一个电池单元分别由P‑i‑N结构和N‑i‑P结构的两个钙钛矿太阳能电池串联而成采用并联式结构的大面积钙钛矿太阳能电池的新型器件，能有效避免传统大面积钙钛矿太阳能电池串联式结构的电阻大等问题，提高器件的光电效率，有利于低成本透明导电基板的应用。该新型器件从上到下的顺序不局限于电子传输层，钙钛矿活性层和空穴传输层，从上到下的顺序也可以为空穴传输层，钙钛矿活性层和电子传输层，从而增加基板的选择性，减少成本。
钙钛矿太阳能电池太阳能电池器件电子传输层空穴传输层从上到下电池单元光电效率新型器件活性层电阻透明导电基板并联式结构串联式结构并联连接低成本基板串联电池局限应用

[发明专利]一种钙钛矿薄膜气相钝化层的制备方法及基于其的光伏器件-CN202211403558.5在审
发明人：罗派峰;张宇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜气相钝化层的制备方法及基于其的光伏器件，所述方法包括以下步骤：制备PbX2薄膜作为前驱体薄膜；将MAI或者FAI粉末与PbI2薄膜置于管式炉中，通过反应生成钙钛矿薄膜；将tBPAX粉末和钙钛矿薄膜分别置于管式炉中进行双温区加热进行反应。光伏器件由下至上依次设置的FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、作为光吸收层钙钛矿薄膜、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Ag电极。本发明有效明显减少薄膜的缺陷，改善钙钛矿晶粒的结晶性能，提高空穴层提取载流子的能力，进一步提高器件光电转换效率，与此同时利用4‑叔丁基苯胺基的疏水性实现提高钙钛矿薄膜防水性能，大大提高了器件的稳定性。
一种钙钛矿薄膜钝化制备方法基于器件

[发明专利]一种钙钛矿层及其制备方法和应用-CN202310706123.6在审
发明人：陶冉;钱斌辉;王学雷 -专利权人：极电光能有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿层及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上制备钙钛矿籽晶钝化层；(2)在所述钙钛矿籽晶钝化层上外延生长单晶钙钛矿吸光层；(3)在所述单晶钙钛矿吸光层上制备钙钛矿籽晶修饰层，得到所述钙钛矿层。本发明通过优化钙钛矿层的制备工艺，在底部钙钛矿籽晶钝化层和顶部钙钛矿籽晶溶液表面修饰的双重作用下，获得了低缺陷、高结晶度的钙钛矿层，有效提高了器件的光伏性能和稳定性。
一种矿层及其制备方法应用

[发明专利]钙钛矿电池及其应用-CN201910784152.8有效
发明人：沈承焕 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿电池及其应用，该钙钛矿电池包括：透明导电层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和电极层，所述钙钛矿层包括多层连续且具有不同带隙的钙钛矿材料层。该钙钛矿电池中不同带隙的钙钛矿材料层可吸收不同波长的光，与单一钙钛矿层的电池相比，能够产生更多的电流，且电压损失较小，同时该电池能使用与传统钙钛矿太阳能电池相同的工艺进行加工，即无需额外的工艺即可获得优于单一钙钛矿电池效率的电池由此，有利于提高钙钛矿电池的性能，同时不额外增加成本。
钙钛矿电池及其应用

[发明专利]用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂、钙钛矿-PMMA复合薄膜的制备方法-CN202210894521.0有效
发明人：王有生;王子旋;万梅秀;刘立明;麦耀华 -专利权人：暨南大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，包括乙酸乙酯和聚甲基丙烯酸甲酯；所述聚甲基丙烯酸甲酯的含量为0.1～0.4mg/mL。本发明还发明公开了一种钙钛矿‑PMMA复合薄膜的制备方法，在采用钙钛矿前驱体制备钙钛矿薄膜的过程中，采用上述的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂进行反溶剂处理，热处理后得到钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明同时公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括上述的钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，PMMA能同时占据钙钛矿薄膜晶界和“埋底界面”孔隙，有效钝化钙钛矿薄膜和减少界面非辐射复合，最终提升了钙钛矿太阳能电池的效率。
用于制备钙钛矿太阳能电池溶剂 pmma 复合薄膜方法