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[发明专利]有机发光二极管显示面板-CN202011590751.5在审
发明人：廖栢圣;叶佳元 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机发光二极管显示面板包括控制基板、平坦层、像素定义层、第一围墙、第二围墙与模封层。控制基板具有显示区与第一非显示区。第一非显示区围绕显示区。平坦层设置于控制基板上，并分布于显示区与第一非显示区。像素定义层设置于平坦层上。第一围墙与第二围墙皆设置于第一非显示区内的平坦层上，并围绕显示区。第一围墙与第二围墙之间形成位于平坦层上方的第一沟槽。第一围墙与第二围墙两者相对于平坦层的高度皆高于显示区内的像素定义层相对于平坦层的高度。模封层全面性地覆盖平坦层、像素定义层、第一围墙与第二围墙。
有机发光二极管显示面板

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202210333179.7在审
发明人：鲁栋良;宋亮;王江林;胡静;李信;许家豪;杨增刚;韩文强;姜龙;张继川;刘肖楠;廖鹏宇;李相喆;赵吾阳;史伟杰;张宇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括显示区和围绕显示区的外围区，显示面板包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管层、第一平坦化层、走线层、第二平坦化层、阳极金属层；走线层位于显示区内，第一平坦化层和第二平坦化层由显示区延伸至外围区，阳极金属层包括位于显示区内的阳极层和位于外围区内的对位标记。通过在显示面板中设置两层平坦化层，并在第二平坦化层表面制作对位标记，避免了在第一平坦化层上制作对位标记时，由于第一平坦化层表面损伤而造成的对位标记不平整，既保证了对位标记的平整度，降低了对位标记发黑和难以被识别的风险
显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]用于改善薄膜封装的处理-CN202180016947.X在审
发明人：吴文豪;陈志坚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：描述了一种用于在有机发光二极管(OLED)图案化基板上形成封装层的方法和设备。侧壁平坦化层填充所述OLED图案化基板上的壁特征的扇形侧壁中的空隙。在与所述侧壁平坦化层的沉积相同的腔室中固化所述侧壁平坦化层。在所述侧壁平坦化层上形成阻挡层。所述侧壁平坦化层提供平坦化表面以用于所述阻挡层在所述侧壁平坦化层之上的良好粘附，这最小化因渗透所述OLED图案化基板的氧的水分而对所述OLED图案化基板造成缺陷的可能性。
用于改善薄膜封装处理

[发明专利]显示面板-CN201811528684.7有效
发明人：杨杰;张明 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示面板还包括平坦化层和设置于所述平坦化层上的绝缘层；其中，所述有机发光元件的阳极位于所述平坦化层上；所述绝缘层位于所述平坦化层上，以覆盖所述平坦化层并暴露所述有机发光元件的阳极。
显示面板

[实用新型]电子设备及其全彩显示面板-CN202222145943.6有效
发明人：李泽尧;李荣荣 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：全彩显示面板包括生长基板、光转化层、第一平坦层、第二平坦层、驱动电路层、第一封装层、漏极电极和公共延伸电极；生长基板包括缓冲层和单色发光单元；光转化层设置于缓冲层远离单色发光单元的一侧，且对应单色发光单元设置；第一平坦层封装单色发光单元；第一平坦层远离缓冲层的一侧设置有电极孔，以裸露单色发光单元的电极；至少部分第二平坦层覆盖单色发光单元；漏极电极和公共延伸电极设置于第一封装层靠近缓冲层的一侧。通过在驱动电路层与第一平坦层之间设置第二平坦层，不仅可以保护第一平坦层，还可以减小显示面板的厚度；进一步地，通过设置光转化层实现显示面板的全彩化。
电子设备及其全彩显示面板

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202010947273.2有效
发明人：任维 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种阵列基板及其制作方法、显示面板，所述阵列基板包括：基板、像素电极和平坦化层；所述平坦化层设置在所述基板一侧；所述像素电极设置在所述基板背离所述平坦化层的一侧，所述像素电极分为正像素电极和负像素电极，所述正像素电极与所述负像素电极交替设置；所述正像素电极下方的平坦化层为第一平坦化层，所述负像素电极下方的平坦化层为第二平坦化层，所述第一平坦化层的厚度与所述第二平坦化层的厚度相异，即所述正像素电极和所述负像素电极不处于同一水平面上
阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置-CN202180001747.7在审
发明人：张震;李付强;张振宇;邸云萍;王利忠;方正;韩佳慧;王亚薇;张晨阳;徐成福;宁策;梁蓬霞;周飞虎;孟宪芹;彭玮婷;王秋里;童彬彬;黄睿;周天民;杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：显示基板包括衬底，设置在衬底一侧的第一电极层，第一电极层包括第一电极图案；设置在第一电极层背离衬底一侧的第一平坦层，第一平坦层上设置有通孔，通孔贯穿第一平坦层，以使第一电极图案裸露；层叠设置在第一平坦层背离衬底一侧的第二电极层、第二平坦层以及第三电极层，其中，第二电极层靠近衬底设置，第二电极层在衬底上的正投影覆盖通孔在衬底上的正投影，第二电极层连接第一电极图案以及第三电极层，第二平坦层填充于通孔内以平坦化通孔。
显示及其制备方法显示装置

[发明专利]一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法-CN201711045283.1有效
发明人：张伟彬 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了本发明的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平坦涂布层及多晶硅突起通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。通过上述方法，可以较好的将粗糙不平坦的多晶硅层表面平坦化，进而降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题，进而提高了低温多晶硅器件生产良率。
一种低温多晶器件制作方法平坦方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201611044666.2在审
发明人：吴俊毅;李亮峣;蔡宗杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一种制造半导体装置的方法中，第一介电层形成于设置于基板上的下方结构上。抗平坦化层形成于第一介电层上。第二介电层形成于第一介电层及抗平坦化层上。对第二介电层、抗平坦化层及第一介电层执行平坦化作业。抗平坦化层由异于第一介电层的材料所制成。
制造半导体装置方法

[发明专利]阵列基板-CN201810784035.7有效
发明人：陈铭耀;黄国有;洪晧智 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：阵列基板包括一金属层、一平坦层、一第一保护层以及一导电层。平坦层位于金属层上。第一保护层位于平坦层上，第一保护层具有一开口部，开口部位于显示区内，且开口部露出平坦层而未露出金属层。导电层位于第一保护层上并填入开口部中，以覆盖开口部露出的平坦层。
阵列

[实用新型]显示面板及显示装置-CN202221559676.0有效
发明人：邵源 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：显示面板包括基板、平坦层和支撑部，平坦层设置在基板的一侧，支撑部凸设在平坦层背离基板的一侧，支撑部与平坦层一体成型。本申请采用将支撑部凸设在平坦层上，且支撑部与平坦层一体成型的方式，在通过支撑部保证显示面板结构稳定性的同时，后续膜层能够直接形成在平坦层背离基板的一侧，从而能够避免因材料表面张力差异导致的粘接力不足，提高显示面板的生产良率
显示面板显示装置

[发明专利]半导体器件及电子器件-CN202210892203.0在审
发明人：李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及电子器件，半导体器件包括：绝缘基板；非平坦层，非平坦层位于绝缘基板上，非平坦层包括非平坦结构，非平坦结构包括侧壁；有源图案，有源图案的至少部分位于非平坦结构的侧壁上，有源图案包括位于侧壁上的沟道；其中，非平坦结构在非平坦层的厚度方向上的尺寸与有源图案的厚度的比值小于或等于7。
半导体器件电子器件

[发明专利]有机EL设备的制造方法-CN202010721889.8在审
发明人：鸣泷阳三;岸本克彦 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机EL设备(100)的制造方法包含：在基板(1)上形成驱动电路层(2)的工序、在驱动电路层上形成无机保护层(2Pa)的工序、在无机保护层上形成有机平坦化层(2Pb)的工序、使有机平坦化层中所含的水分减少的工序、以及在使水分减少工序之后于有机平坦化层上形成有机EL元件层(3)的工序，并且，在形成有机平坦化层之后且加热有机平坦化层的工序之前，进而还包含形成将有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序、以及除去有机高分子膜的工序
有机 el 设备制造方法

[发明专利]有机EL设备的制造方法-CN201780003621.7有效
发明人：鸣泷阳三;岸本克彦 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：有机EL设备(100)的制造方法包含：在基板(1)上形成驱动电路层(2)的工序、在驱动电路层上形成无机保护层(2Pa)的工序、在无机保护层上形成有机平坦化层(2Pb)的工序、将有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序、以及在加热工序之后于有机平坦化层上形成有机EL元件层(3)的工序，并且，在形成有机平坦化层之后且加热有机平坦化层的工序之前，进而还包含形成将有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序、以及除去有机高分子膜的工序
有机 el 设备制造方法

[发明专利]一种发光器件、制备方法和显示装置-CN202110604452.0在审
发明人：马彬彬;张伟;吴欣慰;李杰;陈昱伶;王凌飞;朱大勇;郭建磊;唐新淞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、制备方法和显示装置，发光器件包括：平坦层，平坦层的一侧设有第一电极；像素界定层位于平坦层的设有第一电极的一侧；隔绝层，隔绝层位于平坦层上的非像素区域，部分像素界定层与平坦层之间设有隔绝层，在平坦层上设有凹槽，凹槽围绕隔绝层的周向延伸，且凹槽的部分延伸至隔绝层的朝向平坦层的一侧，像素界定层上与凹槽相对应的位置设有沿像素界定层的厚度方向贯穿的贯通槽，贯通槽与凹槽连通。
一种发光器件制备方法显示装置