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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学膜及其制造方法、防眩膜、具有光学层的偏光片以及显示装置-CN200980100124.4有效
发明人：长浜勉;芳贺友美;松村伸一;铃木良 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学膜，包括：基材；以及设置在所述基材上的光学层。将含有微粒和树脂的涂覆材料涂布到基材上、利用在涂覆材料中产生的对流将微粒在一些区域密集地分布并在其他区域稀疏地分布、以及固化涂覆材料；树脂包含按重量计3％以上且按重量计20％以下的聚合物；微粒是具有2μm以上且8μm以下的平均粒径的有机微粒；微粒的平均粒径D与光学层的平均膜厚T的比率((D/T)×100)为20％以上且70％以下；以及用具有0.125mm宽度的光梳测得的透射图像的清晰度值为45以上。
光学及其制造方法防眩膜具有偏光以及显示装置

[发明专利]基于石英振荡式膜厚监视器的膜厚控制方法-CN201510262480.3有效
发明人：小林康信 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种非常优异的基于石英振荡式膜厚监视器的膜厚控制方法，其误差校正精度极大提高，且膜厚测定精度极大提高。该基于石英振荡式膜厚监视器的膜厚控制方法在成膜工序前使用事先测定用石英振子对每个不同振荡频率下的测定用基板的薄膜的膜厚进行测定，计算通过所述事先测定用石英振子测定的目标膜厚与在所述各振荡频率的每个频率下测定的测定用基板的薄膜的实际膜厚的比率作为校正比率，在成膜工序中，将成膜时的通过所述石英振子测定的(成膜用)基板的薄膜的膜厚或者成膜速度乘以所述各校正比率中与振荡频率相应的校正比率来校正(成膜用)基板的薄膜的膜厚或者成膜速度从而控制膜厚。
基于石英振荡式膜厚监视器控制方法

[发明专利]表面被覆硬质合金切削工具-CN200610073394.9无效
发明人：本间哲彦;植田稔晃;大鹿高岁 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：表面被覆的硬质合金切削工具，在碳化钨为主要成分的硬质合金基体表面具有硬质被覆层，此硬质被覆层的结构为(a)下层，为平均层厚0.5～20μm的、由下列中的1层或2层以上叠层形成的Ti化物层，(b)中间层，为平均层厚1～25μm的加热变态α型结晶结构的氧化铝层，(c)上层，为具有平均层厚0.3～10μm的且结晶结构为α型的蒸镀形成的氧化铝层以及根据需要的(d)表面层，其为具有0.1～5μm的平均层厚蒸镀形成的氮化钛层
表面被覆硬质合金切削工具

[发明专利]利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法-CN201310371881.3有效
发明人：李寿胜;邹建安;谢年生 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，包括以下步骤：（1）制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻；b.将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.将陶瓷厚膜电阻器单元与厚膜电路键合；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。本发明显著优点是：利用陶瓷厚膜电阻器单元能够替代直接淀积在基板上的厚膜电阻器，易于更换，能够修复激光功能微调不合格的电路，一旦微调失败，只需要更换新的陶瓷厚膜电阻器单元对电路进行修复即可，而不需要报废整只电路
利用陶瓷电阻器单元修复混合集成电路方法

[发明专利]氧化膜厚测量装置以及该方法-CN201980066338.8有效
发明人：乾昌广;高松弘行;中西良太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发光亮度的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发光亮度变化之比处于设定范围内，多个发光亮度测量部各自以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度，针对多个发光亮度测量部各自测量的钢板表面的各发光亮度，通过使用与该发光亮度测量部相对应的膜厚转换信息，求出与该测量的发光亮度相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
氧化测量装置以及方法

[发明专利]氧化膜厚测量装置以及该方法-CN201980066366.X有效
发明人：乾昌广;高松弘行;中西良太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
氧化测量装置以及方法

[实用新型]一种厚膜射频衰减器-CN202122952307.X有效
发明人：李振国 -专利权人：安伦通讯设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种厚膜射频衰减器，包括：陶瓷基板、导体电极、导体、导体电路及厚膜电阻，陶瓷基板为一个矩形结构的陶瓷薄片，用以承载导体电极、导体、导体电路及厚膜电阻；厚膜电阻包括第一厚膜电阻及第二厚膜电阻，第一厚膜电阻及第二厚膜电阻同设在陶瓷基板的正面。导体电极、导体、导体电路、厚膜电阻、陶瓷基板一起作为射频电路的组成部分形成了一个微带电路，实现射频信号衰减器的功能。第一厚膜电阻及第二厚膜电阻构成两个电阻的衰减器，减少了一个电阻，简化了电路结构，增加了第一厚膜电阻及第二厚膜电阻的面积，提高了产品的热传导性能，使得产品体积更小、产品性能更优、生产工艺更加简、生产效率更高
一种射频衰减器

[发明专利]片式电阻器-CN200880017675.X有效
发明人：松井贵弘;永田久和;唐泽诚治 -专利权人：兴亚株式会社
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01C1/142 文献下载
摘要：本发明提供一种片式电阻器，具备：分别配置在陶瓷基板(11)的上下表面的一对厚膜上表面电极(22、23)、和一对厚膜下表面电极(14、15)；跨越一对厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体(16)；覆盖厚膜电阻体的保护膜(17)；配置在陶瓷基板的端面的连接厚膜上表面电极与厚膜下表面电极的端面电极(18、19)；以及覆盖未被保护膜覆盖的厚膜上表面电极的部分、端面电极、及厚膜下表面电极的镀层(20、21)，包含在厚膜上表面电极
电阻器

[发明专利]稀土厚膜电路电热芯片及其制备工艺-CN201310737978.1有效
发明人：王克政 -专利权人：王克政
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土厚膜电路电热芯片及其制备工艺，其特征在于，它包括抑菌铜Cu+铝复合金属基板及其上制备的稀土厚膜电路，稀土厚膜电路包括稀土厚膜介质层和弯曲盘绕多层叠加的稀土厚膜电阻电路、稀土厚膜控制电路、稀土厚膜电极衔接电路及稀土厚膜功能电路，稀土厚膜功能电路集成、组合衔接有分裂电子元器件、温控元器件的输出端口。本发明“膜”的致密度高、均匀性好、性能优异，具有生产周期短、工序少、能耗低、材料损耗小等特点。
稀土电路电热芯片及其制备工艺

[发明专利]一种化学机械抛光方法、装置、系统及控制设备-CN201910276853.0在审
发明人：赵慧佳;赵德文;王同庆;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种化学机械抛光方法、系统及控制设备，其中方法包括：在抛光期间对晶圆膜厚进行在线测量，以获取晶圆的第一膜厚形貌和预设时间后的第二膜厚形貌；根据所述第一膜厚形貌、所述第二膜厚形貌以及期望膜厚形貌，计算实际去除速率和期望去除速率，其中，所述实际去除速率为晶圆由所述第一膜厚形貌抛至所述第二膜厚形貌的实际膜厚去除速率，所述期望去除速率为使晶圆由所述第二膜厚形貌达到所述期望膜厚形貌所需的膜厚去除速率；
一种化学机械抛光方法装置系统控制设备

[发明专利]图像形成装置、图像形成方法、存储介质以及计算机装置-CN201811305968.X有效
发明人：松野泰英;吉见贵博;南真司 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及图像形成装置和图像形成方法，其目的在于以相较于推算膜厚更高的精度来计算与当前时刻的行走距离对应的预测膜厚范围。图像形成装置具备根据有关充电辊上的充电偏压的电压V以及有关感光体中的输出电流的电流I求出感光体膜厚的膜厚计算部(30a)、计算感光体在带电状态下的行走距离L的行走距离计算部(30h)、将求出的计算膜厚Dc与行走距离L相关联保存的计算膜厚保存部(30i)、根据取得的多个时刻的计算膜厚Dc和行走距离L求出当前时刻的推算膜厚De的膜厚推算部(30c)、以及根据推算膜厚De求出与当前时刻的行走距离L对应的预测膜厚范围Dmin～Dmax的膜厚范围预测部(30d)。
图像形成装置方法存储介质以及计算机

[实用新型]一种可调节功率的厚膜加热器-CN201821487375.5有效
发明人：方文平 -专利权人：广东吉宝电器科技有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可调节功率的厚膜加热器，包括厚膜加热主体，其特征在于，厚膜加热主体上并联设有至少两路厚膜加热电路，所述其中一路的厚膜加热电路电连接有功率调节装置，其它路的厚膜加热电路电连接有开关装置或功率调节装置本实用新型的多路低功率的厚膜加热电路并联共同构成大功率的厚膜加热器，实现大功率厚膜加热器的加热功率可调节，同时，低功率的厚膜加热电路所需的功率调节装置也小，其对厚膜加热器、电网的电磁干扰相对也小，令大功率可调节功率的厚膜加热器的电磁兼容性也能够达到
厚膜加热器厚膜加热电路可调节功率调节装置本实用新型加热主体低功率电连接电磁兼容性并联设有电磁干扰加热功率认证要求并联多路两路电网

[发明专利]包覆模具及其制造方法-CN201680023253.8有效
发明人：本多史明 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种包覆模具，其是在表面具有硬质覆膜的包覆模具，其特征在于，所述硬质覆膜包括：膜厚是5μm以上的由氮化物形成的A层；由类金刚石碳覆膜形成的B层，所述B层位于比所述A层靠外表面侧的位置，所述B层的表面满足算术平均粗糙度
模具及其制造方法

[发明专利]发光元件和有机电致发光显示装置-CN200980129950.1无效
发明人：山田二郎;根岸英辅;中村弘史;中村明史;吉永祯彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H05B33/24 文献下载
摘要：发光元件以这样的顺序包括第一电极(21)、包括由有机发光材料构成的发光层的有机层(23)、半透射/反射膜(40)、电阻层(50)和第二电极(22)。第一电极(21)反射来自发光层的光，第二电极(22)透过已透过半透射/反射膜(40)的光。在有机层(23)上的半透射/反射膜(40)的平均膜厚在1nm到6nm的范围内。
发光元件有机电致发光显示装置

[发明专利]带有绝缘覆膜的平板导电板及其制造方法-CN202280008150.X在审
发明人：山崎和彦;佐古渚 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：该带有绝缘覆膜的平板导电板(1)具有作为冲切加工品的平板导电板(10)和包覆所述平板导电板(10)的至少一部分的绝缘覆膜(20)，所述绝缘覆膜(20)为电沉积膜，所述绝缘覆膜(20)包含聚酰胺酰亚胺树脂和氟系树脂，相对于所述聚酰胺酰亚胺树脂和所述氟系树脂的合计含量，所述氟系树脂的含量在72质量％以上且95质量％以下的范围内，所述绝缘覆膜(20)的在25℃的相对介电常数在2.2以上且2.8以下的范围内，并且平均膜厚在
带有绝缘平板导电及其制造方法

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