专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]软性电路板-CN200910301507.X无效
  • 许寿国 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2009-04-13 - 2010-10-13 - H05K1/02
  • 一种软性电路板,包括至少一信号,所述信号的上方和下方分别设有一接地层,所述信号与相邻的接地层之间分别设有一绝缘介质,所述信号上布设一差分对,所述差分对包括两条差分传输线,所述两绝缘介质的相对介电常数不同,每一接地层上与所述差分对垂直相对的部分为一挖空区域,所述两接地层上挖空区域的两边缘分别与其相邻的差分传输线间具有一第一水平间距及一第二水平间距,且所述第一水平间距与所述第二水平间距不相等。
  • 软性电路板
  • [发明专利]一种多晶硅桥接断路的解决方法-CN201710985194.9有效
  • 王飞舟;张月雨;汪悦;于世瑞 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-10-20 - 2019-11-26 - H01L21/308
  • 本发明提出一种多晶硅桥接断路的解决方法,包括:获取多晶硅,以及有源区,接触孔等参考的完整设计版图,针对多晶硅选出线宽小于第一设定线宽,图形间距小于第一设定图形间距的图形,标记为问题图形;针对问题图形选出多晶硅线宽小于第二设定线宽,且到相邻图形间距小于第二设定图形间距的边,将其与相邻图形正对的部分进行扩大或合并操作;生成多晶硅切割图形,以初始问题图形邻边正对部分生成一个矩形,以此矩形中心为原点,填补一块设定尺寸大小的切割图形;对生成的多晶硅切割图形进行正常的OPC后续修正处理,得到OPC修正结果。本发明通过对多晶硅进行扩大或合并操作,同时添加相应的多晶硅切割图形,解决上述桥接或断路问题。
  • 一种多晶硅层桥接断路解决方法
  • [实用新型]LOFT建筑-CN201720034431.9有效
  • 姜天;朱清华;李卓;周其文;陈希;王鑫;玉竹 - 上海尤安建筑设计股份有限公司
  • 2017-01-11 - 2017-09-08 - E04H1/04
  • 本实用新型公开了一种LOFT建筑,包括第一结构,第二结构与第三结构,第一结构具有第一上升地板与第一下沉地板,第二结构具有第二下沉地板与第二上升地板,所述第三结构具有第三上升地板与第三下沉地板,第一上升地板与第二下沉地板的间距为4.2m,第一下沉地板与第二上升地板的间距为4.8m,第二下沉地板与第三上升地板的间距为4.8m,第二上升地板与第三下沉地板的间距为4.2m,第一下沉地板与第二上升地板间设置第一夹层地板,第一夹层地板与第一下沉地板的间距为2.45m,第一夹层地板与第二上升地板的间距为2.35m;第二下沉地板与第三上升地板间设置第二夹层地板,第二夹层地板与第二下沉地板的间距为2.45m,第二夹层地板与第三上升地板的间距
  • loft建筑
  • [发明专利]一种在厚铜PCB板上制作小间距图形的方法-CN202110399386.8在审
  • 王永军;许强;陆丽明;周爱华 - 昆山沪利微电有限公司
  • 2021-04-14 - 2021-08-10 - H05K3/00
  • 本发明公开了PCB板制作技术领域的一种在厚铜PCB板上制作小间距图形的方法,包括:压膜,在厚铜PCB板的铜表面上压一干膜;图形曝光,将给定的图形转移至带有干膜的铜表面上;显影,将图形覆盖区域的干膜显影掉,裸露出铜面;镀锡,在显影后裸露的铜面上镀锡,形成镀锡;退膜蚀刻,将干膜去除并对无镀锡保护的铜进行蚀刻,直至铜厚度减薄至第一设定值;盲捞,按照图形中指定的间距对有镀锡保护的铜进行铣削,铣削后的铜厚度减薄至第二设定值;蚀刻退锡,将厚度为第一设定值的铜和厚度为第二设定值的铜蚀刻掉,并去掉镀锡。避免了侧蚀量大对小间距图形制作的影响,提高了小间距图形加工的精度,降低了制作难度。
  • 一种pcb制作间距图形方法
  • [发明专利]一种山桐子矮化树形整形修剪方法-CN201711461188.X有效
  • 陈耀兵;刘汉蓁;郑小江;石开明;董静洲 - 湖北民族学院
  • 2017-12-28 - 2020-12-29 - A01G7/06
  • 本发明属于树木整形技术领域,公开了一种山桐子矮化树形整形修剪方法,通过山桐子四年整形修剪树形培育,采取低位定干、中心干刻伤、三培养、弯枝封顶;主枝共三,第二和第一间距60cm至80cm,第三与第二间距本发明采取低位定干、中心干刻伤、三培养、弯枝封顶,可使山桐子天然高大乔木树高维持在3.5m以下,主枝共三,第二和第一间距60cm至80cm,第三与第二间距40至60cm,全株主枝7个,侧枝12至18个,相对树形矮化,性明显,树体骨架牢固,果实负荷力高,通风透光,产量高,品质好,可在生产中推广。
  • 一种桐子矮化树形整形修剪方法
  • [发明专利]盘驱动装置与球面像差校正方法-CN200610074031.7无效
  • 金永纯一 - 索尼株式会社
  • 2006-04-04 - 2006-10-18 - G11B7/125
  • 一种盘驱动装置,包括:光拾取器,通过物镜把激光光束照射在具有一或多个记录的光盘上,并且接收从光盘所反射的激光光束;驱动单元,根据驱动信号,把物镜沿激光光束的光轴方向移动至光盘;间距离测量单元,测量光盘的多个记录间距离;以及球面像差校正单元,获得球面像差校正值,以校正针对光盘的记录之一因物镜所导致的球面像差。根据所测量的间距离以及所获得的针对该一个记录的球面像差校正值,来获得针对记录中的另一个记录的球面像差校正值。
  • 驱动装置球面校正方法
  • [实用新型]一种超声换能器组件-CN202221062350.7有效
  • 不公告发明人 - 苏州谱洛医疗科技有限公司
  • 2022-05-06 - 2022-10-04 - A61B17/22
  • 本实用新型提供了一种超声换能器组件,包括串联的至少两个超声换能器,相邻的超声换能器的中心间距为0.7cm‑2cm,超声换能器包括压电及沿厚度方向设置于压电外侧的匹配。本实用新型提供的超声换能器组件,将相邻的超声换能器的中心间距设置为0.7cm‑2cm,能有效避免超声换能器间距过大导致的超声发射的能量不均匀的问题及超声换能器间距过小导致的超声换能器之间电磁信号受干扰的问题;同时,通过在压电沿厚度方向的外侧配置匹配,以减少超声换能器阻抗与人体阻抗之间的差异,实现降低超声能量衰减的目的。
  • 一种超声换能器组件
  • [实用新型]高强度不锈钢无缝钢管-CN202223439233.0有效
  • 邱忠平 - 浙江浩鸿不锈钢有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-05-30 - B32B1/08
  • 本实用新型属于钢管技术领域,具体公开了高强度不锈钢无缝钢管,包括加固结构;所述加固结构包括外钢管、内加固、外加固、承重杆,所述外钢管的内部设置有外加固,外加固与外钢管之间设置有间距,所述外加固的内部设置有内加固,内加固与外加固之间设置有间距,内加固与外加固之间的间距内设置有多个承重杆,所述承重杆的两端分别与外加固和内加固固定连接;本实用新型对钢管结构做出改进,将钢管改为多层结构,每两钢管之间设置有缓冲及承重的部件
  • 强度不锈钢无缝钢管
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310315297.6有效
  • 何其暘;孟晓莹 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-07-24 - 2017-06-13 - H01L21/28
  • 一种半导体结构的形成方法,所述半导体结构的形成方法包括提供衬底,所述衬底表面具有待刻蚀;在待刻蚀表面形成第一图形化掩膜,所述第一图形沿第一方向的尺寸和间距等于在第一方向上待刻蚀图形的长度和间距;以第一图形化掩膜为掩膜刻蚀待刻蚀,形成凹槽;在衬底表面形成与第一图形化掩膜的表面齐平的介质;刻蚀第一图形化掩膜和介质,形成第二图形化掩膜,所述第二图形沿第二方向的尺寸和间距等于在第二方向上待刻蚀图形的宽度和间距,所述待刻蚀图形的宽度小于待刻蚀图形的长度;以第二图形化掩膜为掩膜,刻蚀待刻蚀,形成待刻蚀图形。
  • 半导体结构形成方法

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