专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]静电放电保护构造体以及其制造方法-CN201680005573.0有效
  • 大坪喜人;三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2016-01-13 - 2019-01-29 - H01T4/10
  • 本发明提供静电放电保护构造体以及其制造方法,静电放电保护构造体即ESD保护构造体包括:第一层叠体部,其包括陶瓷层,该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体;第二层叠体部,其包括陶瓷层,该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体;空洞部,其配置于第一层叠体部与第二层叠体部之间;第一电极暴露区域和第二电极暴露区域,它们配置为在空洞部的内侧相互对置;第一电极,其配置于第一层叠体部的外侧;以及第二电极,其配置于第二层叠体部的外侧,在该ESD保护构造体中,在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方,在配置有电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘,该散热/连接焊盘在俯视下具有比电极暴露区域的面积大的面积。
  • 静电放电保护构造及其制造方法
  • [发明专利]氮化物半导体器件-CN201480019229.8在审
  • 森下敏;民谷哲也;仲山宽 - 夏普株式会社
  • 2014-01-27 - 2015-11-18 - H01L21/338
  • 氮化物半导体器件包括:衬底(10);氮化物半导体层叠体(1、2);和电极金属层(13)。电极金属层(13)包括:第一金属层(24),该第一金属层(24)与氮化半导体层叠体(1、2)接合,并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造;和第二金属层(25),该第二金属层(25)层叠在第一金属层(24)上,并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造,第二金属层(25)的微细柱状构造的柱部(B)的粗细方向的平均尺寸,大于第一金属层(24)的微细柱状构造的柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。
  • 氮化物半导体器件
  • [发明专利]树脂层叠光学体及其制造方法-CN201980022438.0有效
  • 田泽洋志 - 迪睿合株式会社
  • 2019-02-27 - 2023-03-10 - G02B1/118
  • 本发明的课题在于,提供一种新颖且经过改良的树脂层叠光学体及其制造方法,所述树脂层叠光学体能够易于调节源于微细凹凸构造的光学特性以外的光学特性,进一步还能够降低光学装置的制造成本。为了解决上述课题,根据本发明的某种观点,提供一种树脂层叠光学体,其特征在于,具备:具有曲面的光学基材、和被设置在光学基材的曲面上的树脂层,在树脂层的表面上形成有微细凹凸构造,树脂层叠光学体具有源于微细凹凸构造的第一光学特性、和源于树脂层的微细凹凸构造以外的特性、且与光学基材的光学特性不同的第二光学特性。
  • 树脂层叠光学及其制造方法
  • [发明专利]纤维强化塑料制弹簧-CN201180023996.2有效
  • 重松良平;中园美保 - 日本发条株式会社
  • 2011-05-09 - 2013-01-16 - F16F1/18
  • FRP弹簧(1)具有将拉伸弹性模量不同的多个纤维层叠层叠构造(在3层构造的情况下为符号(20),在5层构造的情况下为符号(30))。FRP弹簧(1)的上表面为被施加脉动的弯曲载荷的表面,层叠构造(20、30)的相对于中性轴(S)的上侧区域为产生压缩应力的压缩应力区域,相对于中性轴(S)的下侧区域为产生拉伸应力的拉伸应力区域。层叠构造(20、30)的拉伸弹性模量分布相对于中性轴(S)不对称。
  • 纤维强化塑料弹簧
  • [发明专利]半导体激光元件-CN201110403030.3无效
  • 柏木淳一;冈本国美;田中岳利;久保田将司 - 罗姆股份有限公司
  • 2011-12-07 - 2012-07-11 - H01L33/00
  • 本发明提供一种半导体激光元件,包括由III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括:包含In的发光层;配置于该发光层的一侧的p型引导层;配置于上述发光层的另一侧的n型引导层;配置于上述p型引导层的与上述发光层相反一侧的p型包层;和配置于上述n型引导层的与上述发光层相反一侧的半导体层叠构造包括:与c轴在上述晶体生长面上的投影矢量平行地形成的直线状的波导;和由与上述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。半导体层叠构造也可以由将半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成。
  • 半导体激光元件

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