专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果15个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]ESD保护装置及其制造方法-CN201680082875.8有效
  • 本乡央光;鹫见高弘;三木武;足立淳;筑泽孝之;野间隆嗣 - 株式会社村田制作所
  • 2016-12-22 - 2020-05-26 - H01T4/12
  • 本公开的ESD保护装置具有:第一放电电极和第二放电电极,它们形成于绝缘性基体的表面或者内部,彼此局部对置;和放电辅助电极,其与上述第一放电电极和上述第二放电电极电连接,上述放电辅助电极包括第一金属粒子、第二金属粒子以及结合剂,第一金属粒子具有由以第一金属作为主成分的核部、和以第二金属的氧化物作为主成分且在至少局部具有空隙的壳部构成的核‑壳构造,第二金属粒子具有由以第一金属作为主成分的核部、和以第二金属的氧化物作为主成分且没有空隙的壳部构成的核‑壳构造。能够提供具有针对绝缘性的较高的可靠性,并且能够使放电起始电压降低的ESD保护装置。
  • esd保护装置及其制造方法
  • [发明专利]ESD保护装置-CN201680081785.7有效
  • 三木武;本乡央光;鹫见高弘 - 株式会社村田制作所
  • 2016-12-21 - 2020-04-24 - H01T2/02
  • ESD保护装置具有:陶瓷本体,其包含玻璃成分;第1放电电极和第2放电电极,它们在陶瓷本体内设置在同一平面上,相互隔着间隙对置;放电辅助电极,其将第1放电电极与第2放电电极在同一平面上连接;和密封层,其在放电辅助电极与陶瓷本体之间,防止玻璃成分从陶瓷本体渗入放电辅助电极。密封层包含导电成分。
  • esd保护装置
  • [发明专利]静电放电保护构造体以及其制造方法-CN201680005573.0有效
  • 大坪喜人;三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2016-01-13 - 2019-01-29 - H01T4/10
  • 本发明提供静电放电保护构造体以及其制造方法,静电放电保护构造体即ESD保护构造体包括:第一层叠体部,其包括陶瓷层,该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体;第二层叠体部,其包括陶瓷层,该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体;空洞部,其配置于第一层叠体部与第二层叠体部之间;第一电极暴露区域和第二电极暴露区域,它们配置为在空洞部的内侧相互对置;第一电极,其配置于第一层叠体部的外侧;以及第二电极,其配置于第二层叠体部的外侧,在该ESD保护构造体中,在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方,在配置有电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘,该散热/连接焊盘在俯视下具有比电极暴露区域的面积大的面积。
  • 静电放电保护构造及其制造方法
  • [其他]ESD保护装置-CN201690000577.5有效
  • 筑泽孝之;三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2016-06-02 - 2018-05-15 - H01T4/12
  • ESD保护装置具备:基体、相互对置配置的第1放电电极以及第2放电电极、以及将第1放电电极和第2放电电极电连接的放电辅助电极。放电辅助电极具有:沿第1放电电极的面方向延伸的第1面方向电极部、以及沿与第1放电电极和第2放电电极的对置方向延伸的对置方向电极部。第1面方向电极部的与第1放电电极接触的接触面比对置方向电极部的与第1面方向电极部接触的接触面大。
  • esd保护装置
  • [发明专利]导电性糊剂和陶瓷电子部件-CN201510917367.4在审
  • 大森贵史;三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2015-12-10 - 2016-06-22 - H01B1/22
  • 本发明提供一种导电性糊剂,其通过将陶瓷电子部件的内部电极的烧结过程中的Ni粉末的烧结性和粘合剂分解性最优化,从而确保内部电极的电极连续性,得到可靠性高的陶瓷电子部件。本发明的导电性糊剂,至少含有金属成分、氧化物和树脂成分,金属成分是被硫包覆的Ni粉末,对于在Ni粉末的表面上通过XPS法测定的S2p窄谱,在将归属于S2-和SO42-的峰面积的总和设为100时,SO42-的峰面积的比例为95%以上且100%以下,硫对Ni粉末的包覆率为91%以上且100%以下,Ni粉末中含有的硫的含量为0.05wt%以上且0.45wt%以下,树脂成分/Ni的比率为1.5w%以上且8.0wt%以下。
  • 导电性陶瓷电子部件
  • [发明专利]导电糊和陶瓷电子元器件-CN200510009378.9有效
  • 三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2005-02-21 - 2005-08-24 - H01B1/16
  • 导电糊包含导电粉末、玻璃粉末和有机载体。玻璃粉末包含按重量计约10%至31%的B2O3、约65%至86%的SiO2和大于约0.5%至小于约5%的M2O,其中M表示碱金属元素。陶瓷电子元器件包括陶瓷元件和安置在该组成元件上的外导体。外导体包含含按重量计约10%至31%的B2O3、约65%至86%的SiO2和大于约0.5%至小于约5%的M2O的玻璃成分,其中M表示碱金属元素。
  • 导电陶瓷电子元器件
  • [发明专利]导电糊及陶瓷电子部件-CN200410056205.8有效
  • 三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2004-08-05 - 2005-03-09 - C03C8/02
  • 一种导电糊及陶瓷电子部件,所述导电糊含有由结晶化玻璃料和无定形玻璃料构成的玻璃料。并且结晶化玻璃料的结晶熔融温度n为700~835℃,无定形玻璃料的软化点m相对于所述结晶熔融温度n为(n-50)~(n+45)℃。并且,把这种玻璃料和Ag等微细导电性粉末分散在有机展色料中,获得导电糊。根据本发明,能够提高镀层附着性或外部电极的粘接强度,并且实际安装部件时即使加热也能够避免外部电极破裂。
  • 导电陶瓷电子部件
  • [发明专利]陶瓷电子零件-CN02107337.6有效
  • 三木武 - 株式会社村田制作所
  • 2002-03-13 - 2002-10-23 - H01B1/22
  • 本发明涉及陶瓷电子零件,本发明的目的在于,提供使用不包含铅成分,能够实现促进陶瓷体的烧结,提高接合强度、提高耐湿性能,同时还能够抑制陶瓷体的异常发热的导电膏形成端子电极的陶瓷电子零件。本发明的陶瓷电子零件具有陶瓷体和使用导电膏形成于陶瓷体上的端子电极,导电膏包含导电成分、玻璃粉末、以及有机赋形剂(vehicle),玻璃粉末包含结晶玻璃,结晶玻璃是由硼、铋、铝、碱土金属以及不可避免的杂质构成的氧化物,在固化形成端子电极时至少有一部分熔化渗入陶瓷体内部,渗透深度为距离陶瓷体表面小于150微米。
  • 陶瓷电子零件
  • [发明专利]导电糊料和陶瓷电子元件-CN01102965.X有效
  • 三木武;前田昌祯 - 株式会社村田制作所
  • 2001-02-09 - 2001-08-15 - H01G4/008
  • 提供了一种不含Pb的导电糊料,可抑制烧结陶瓷体中热量产生,并提供由该导电糊料制造的厚膜电极的中压和高压陶瓷电容器。基本不含Pb的导电糊料由Ag粉、玻璃粉末和赋形剂组成,玻璃粉末的组份,以摩尔%为基准,为302O3≤60;和10≤B2O3≤60,其中M代表至少一种选自Ca、Sr或Ba的碱土金属。中压和高压陶瓷电容器提供有两厚膜电极,它们是在钛酸钡制得的烧结陶瓷体的两个端面上由上述导电糊料制成的。
  • 导电糊料陶瓷电子元件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top