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- [发明专利]静电放电保护构造体以及其制造方法-CN201680005573.0有效
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大坪喜人;三木武
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株式会社村田制作所
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2016-01-13
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2019-01-29
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H01T4/10
- 本发明提供静电放电保护构造体以及其制造方法,静电放电保护构造体即ESD保护构造体包括:第一层叠体部,其包括陶瓷层,该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体;第二层叠体部,其包括陶瓷层,该陶瓷层包括一个以上的层间连接导体;空洞部,其配置于第一层叠体部与第二层叠体部之间;第一电极暴露区域和第二电极暴露区域,它们配置为在空洞部的内侧相互对置;第一电极,其配置于第一层叠体部的外侧;以及第二电极,其配置于第二层叠体部的外侧,在该ESD保护构造体中,在第一层叠体部和第二层叠体部的至少一方,在配置有电极暴露区域的陶瓷层与邻接于该陶瓷层的陶瓷层之间配置有散热/连接焊盘,该散热/连接焊盘在俯视下具有比电极暴露区域的面积大的面积。
- 静电放电保护构造及其制造方法
- [发明专利]导电性糊剂和陶瓷电子部件-CN201510917367.4在审
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大森贵史;三木武
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株式会社村田制作所
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2015-12-10
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2016-06-22
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H01B1/22
- 本发明提供一种导电性糊剂,其通过将陶瓷电子部件的内部电极的烧结过程中的Ni粉末的烧结性和粘合剂分解性最优化,从而确保内部电极的电极连续性,得到可靠性高的陶瓷电子部件。本发明的导电性糊剂,至少含有金属成分、氧化物和树脂成分,金属成分是被硫包覆的Ni粉末,对于在Ni粉末的表面上通过XPS法测定的S2p窄谱,在将归属于S2-和SO42-的峰面积的总和设为100时,SO42-的峰面积的比例为95%以上且100%以下,硫对Ni粉末的包覆率为91%以上且100%以下,Ni粉末中含有的硫的含量为0.05wt%以上且0.45wt%以下,树脂成分/Ni的比率为1.5w%以上且8.0wt%以下。
- 导电性陶瓷电子部件
- [发明专利]陶瓷电子零件-CN02107337.6有效
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三木武
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株式会社村田制作所
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2002-03-13
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2002-10-23
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H01B1/22
- 本发明涉及陶瓷电子零件,本发明的目的在于,提供使用不包含铅成分,能够实现促进陶瓷体的烧结,提高接合强度、提高耐湿性能,同时还能够抑制陶瓷体的异常发热的导电膏形成端子电极的陶瓷电子零件。本发明的陶瓷电子零件具有陶瓷体和使用导电膏形成于陶瓷体上的端子电极,导电膏包含导电成分、玻璃粉末、以及有机赋形剂(vehicle),玻璃粉末包含结晶玻璃,结晶玻璃是由硼、铋、铝、碱土金属以及不可避免的杂质构成的氧化物,在固化形成端子电极时至少有一部分熔化渗入陶瓷体内部,渗透深度为距离陶瓷体表面小于150微米。
- 陶瓷电子零件
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