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[发明专利]电荷泵电路-CN200510097804.9无效
发明人：河井周平 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：第1电荷输送用MOS晶体管(M1)以及第2电荷输送用MOS晶体管(M2)为N沟道型，彼此串联连接。给第1电荷输送用MOS晶体管(M1)的源极提供接地电位(VSS)，从作为第2电荷输送用MOS晶体管(M2)的漏极的输出端子(Pout)获得输出电位。第1电荷输送用MOS晶体管(M1)的背栅(G1)，构成为：通过第1开关电路(SW1)，设定为第1以及第2电荷输送用MOS晶体管(M1)、(M2)的连接点的电位(X)和作为输入电位的接地电位(VSS)的任意一方的电位这样，切断电荷输送用MOS晶体管的寄生二极管的泄漏路径，并防止功耗的增加，同时防止电路陷于不可控制的状态。
电荷电路

[发明专利]电流驱动式触摸感测装置-CN201911264762.1在审
发明人：李熹镇;李宰焕;南正权;李奎泰;郑贤洙;张镇润;尹熺罗;申京旻;康文硕 -专利权人：硅工厂股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：一种电流驱动式触摸感测装置，其通过使用电荷控制器单独地驱动寄生电容器，所述触摸感测装置包括：寄生电容充电器，该寄生电容充电器连接到触摸感测线以在充电时段期间利用预定充电电流对与所述触摸感测线连接的触摸电极的寄生电容器进行充电；以及感测单元，该感测单元在第一驱动时段期间连接到所述触摸感测线，以利用第一驱动电流驱动所述触摸电极的电容器，所述第一驱动电流对应于在未发生触摸时充入所述寄生电容器的第一电压与在发生触摸时充入所述寄生电容器的第二电压之间的差电压
电流驱动触摸装置

[发明专利]一种高精度全差分电容-电压转换电路系统-CN201910126799.1有效
发明人：刘云涛;隋鑫;赵文博 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：包括驱动信号产生部，全差分电荷放大器，电容补偿阵列；整体转换电路与传感器敏感结构仍然采用具单端连接的输出的方式，通过分时复用实现全差分电路结构；电路采用开关电容结构消除寄生电容的影响，主要信号通路均通过相关双采样技术消除低频噪声和失调本发明能够有效的抑制寄生电容影响，降低开关电荷注入和衬底噪声产生的共模干扰，减小电路的谐波失真，提高加速度计系统的线性度，抑制零点漂移。
一种高精度全差分电容电压转换电路系统

[发明专利]一种中高压换流器功率模块的保护电路-CN201310628071.1有效
发明人：张春朋 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种中高压换流器功率模块的保护电路，在功率模块金属外壳与工作电源的进线端之间跨接一个电容（C1），根据功率模块工作电源供电方式的不同，可以有选择性地在功率模块金属外壳与功率模块出线端之间也跨接一个电容（C2），构成一组保护电路，消除寄生电荷的影响；为进一步增加消除寄生电荷的作用，可在电容旁边并联电阻，此电阻作为电容的泄放支路。
一种高压换流功率模块保护电路

[发明专利]发光显示面板的驱动装置和驱动方法-CN200410058748.3无效
发明人：早藤晶纪;金内一浩 -专利权人：东北先锋电子股份有限公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供可以有效地回收积累在发光元件的寄生电容上的电荷，从而降低发光显示面板中的功耗的驱动装置。当采用上述的灰度控制方法时，无论灰度控制如何，可以紧接在恒流驱动期间结束之后，经所有驱动线有效地回收积累在各EL元件的寄生电容上的电荷。
发光显示面板驱动装置方法

[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910089751.4有效
发明人：薛海林;林炳仟;徐宇博;李成 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、第二栅线和数据线，像素区域内形成有像素电极、具有相同寄生电容的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在第一栅线向第一薄膜晶体管提供开启电压时，第二栅线向第二薄膜晶体管提供第一电压本发明通过采用双栅线和双薄膜晶体管结构，且两个薄膜晶体管的寄生电容相同，使充电完成时两个寄生电容存储电荷的变化量大小相等，符号相反，从而像素电极上的电荷变化量为0，有效消除了像素电极的跳变电压。
tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法-CN202011191650.0有效
发明人：袁恺;陈世杰 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括衬底、光电二极管、电荷存储节点、深沟槽隔离结构、介质层及电荷传输晶体管，其中，光电二极管及电荷存储节点均位于衬底中，且在水平方向上间隔预设距离，深沟槽隔离结构位于光电二极管与电荷存储节点之间，并在垂直方向上贯穿衬底，电荷传输晶体管位于介质层中，且电荷传输晶体管在衬底上的垂直投影与光电二极管及电荷存储节点均部分重叠。本发明采用金属遮光层和贯通衬底的背面深沟槽隔离结构将电荷存储节点完全遮蔽，与光电二极管实现衬底内的完全隔离，并在衬底外制备传输晶体管来实现光电二极管到电荷存储节点的光电子传输，可以有效抑制寄生光效应的影响
一种背照式电荷全局快门图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种自电容指纹检测电路及方法-CN202310347915.9在审
发明人：朱定飞;王建军;刘华 -专利权人：上海海栎创科技股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：、开关网络、局部运算放大器、第一电压源和第二电压源；所述目标像素与相邻像素通过所述开关网络与所述局部运算放大器相连；所述第一电压源通过所述开关网络与所述目标像素与所述相邻像素相连，通过检测电极初始化、寄生电极复位和手指电荷的转移这三个步骤实现寄生效应的消除以及指纹的检测，无需对目标像素检测电极之外的电路进行充放电，即可将目标像素检测电极与寄生电极间寄生效应完全消除，提升指纹灵敏度的同时，简化了电路，节省了功率消耗。
一种电容指纹检测电路方法

[发明专利]读出头保护电路-CN96105862.5无效
发明人：蒂莫斯·斯考特·胡夫班克斯;内尔·莱斯列·罗伯特森;史蒂芬·霍德·沃尔德曼;阿尔伯特·约翰·瓦拉士 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-05-16 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： G11B5/40 文献下载
摘要：一种读出头保护电路，用于对积累在读出头的一个元件上的电荷进行放电，该读出头具有至少一个基片、至少一个磁屏蔽以及至少一个传感元件，该保护电路包括至少一个安放到该磁屏蔽的导电材料的寄生屏；以及用于把至少一个寄生屏保持在该传感元件的电位上的装置至少一个寄生屏位于离磁屏蔽比离至少一个传感元件更近的地方，以便为在该磁屏蔽与该传感元件之间引起一次火花放电所需的电位差大于为在该寄生屏和该磁屏蔽之间引起一次火花放电所需的电位差。$#!
读出保护电路

[发明专利]用于显示矩阵的主动放电电路系统-CN201880075609.1有效
发明人： S·纳德沙希 -专利权人：平面系统公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：用于在LED显示矩阵上将电荷快速放电的主动放电电路系统包括用以实现电路路径切换的机构，以便将带电荷的节点电连接到放电电路以用于不需要的电荷的受控放电，直到其达到期望(例如，可编程)值。所公开的技术适应了通道间开始时间的变化，以用于减轻否则将从LED显示矩阵呈现的重影效应，该重影效应由于在特定通道的电流驱动器停止驱动之后例如经由带电荷的寄生电容或其他此类瞬变而保持电加载在显示元件上的残留(即，不需要的)电荷而引起。
用于显示矩阵主动放电电路系统

[发明专利]一种CMOS栅压自举开关电路-CN201510600811.X有效
发明人：胡晨;姚芹;孙杰;陈超;吴建辉;李红 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提出了一种CMOS栅压自举开关电路，包括电荷泵电路、栅极充放电电路、输入缓冲电路及开关电路，所述电荷泵电路与所述栅极充放电电路连接，所述栅极充放电电路与所述开关电路连接，所述栅极充放电电路与所述开关电路之间接入输入缓冲电路本发明通过输入缓冲电路来驱动电荷泵电路，因为输入缓冲电路隔离了输入端的输入信号和电荷泵电路，从而极大的减小了输入寄生电容。
一种 cmos 开关电路

[发明专利]抗干扰检测压电振子发电能力测试系统-CN201711359540.9在审
发明人：赵富生 -专利权人：赵富生
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：通过信号发生器，输出一个频率及振幅可调的正弦激励；通过压电振子，在所述信号发生器激励下产生电能；通过霍尔位移传感器，检测压电振子变形量；通过电荷放大单元，与所述压电振子连接，检测压电振子变形所产生的电荷量；通过数据采集单元，与所述霍尔位移传感器和电荷放大单元连接，以采集霍尔位移传感器和电荷放大单元发来的压电振子变形量及电荷量；通过电荷放大单元为集成化转换电路，包括相连接的信号调理电路和运算放大电路的设置，提高了电路的集成化，使得整个电路达到体积小、功耗小、抗干扰性能好和寄生因素小等优点。
电荷放大单元压电振子霍尔位移传感器压电振子变形发电能力测试检测信号发生器抗干扰电荷量集成化电路发电技术领域数据采集单元信号调理电路抗干扰性能放大电路振幅可调正弦激励转换电路和运算体积小功耗寄生采集输出

[发明专利]用于感测外部信号的传感器装置-CN201880071720.3在审
发明人：赫伯特·伦哈德 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种用于感测外部信号的传感器装置，所述传感器装置包括传感器(100)和电荷发生器(200)，所述电荷发生器产生补偿电流(Ic)以补偿传感器电流。电荷发生器(200)包括具有寄生电容器(212)和第一导通路径的第一晶体管(210)。电荷发生器(200)包括具有第二导通路径的第二晶体管(220)，所述第二导通路径串联耦合至第一晶体管(210)并且耦合至电荷发生器(200)的输出节点(O200)。控制电路(600)被配置为控制电荷发生器(200)的第一晶体管和第二晶体管(210、220)的相应的第一导通路径和第二导通路径的导通性，使得传感器电流由补偿电流(Ic)补偿。
用于外部信号传感器装置

[发明专利]一种变压器寄生电容的实验测量方法-CN201810409891.4有效
发明人：王乃增;杨旭;田莫帆;周昂扬 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种变压器寄生电容的实验测量方法，包括：根据变压器寄生电容等效模型，将所有分布电容等效成一个连接在变压器一次绕组两端的寄生电容C_w；构建测量变压器寄生电容电路，包括依次连接的逆变半桥采集励磁电感的电流、开关管Q2的驱动电压、开关管Q2的漏源电压以及输出电压的波形，读取波形的死区时间、死区时间段励磁电流值和死区时间段输出电压值；根据开关管输出电容的C‑V曲线，将输出电容从0积分到输入电压；采用电荷守恒公式计算出变压器寄生电容的值，至此完成变压器寄生电容的实验测量。
寄生电容变压器实验测量开关管死区时间段输出电容输出电压整流滤波电路读取测量变压器等效模型电荷守恒分布电容公式计算励磁电感励磁电流漏源电压驱动电压输入电压谐振网络一次绕组依次连接半桥构建逆变死区测量电路采集

[发明专利]绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法-CN202011228572.7在审
发明人：吴政达;陈秋桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种绝缘体上半导体(SOI)衬底包括：处理衬底；电荷捕获层，位于处理衬底之上且包含经氮掺杂的多晶硅；绝缘层，位于电荷捕获层之上；以及半导体材料层，位于绝缘层之上。在用于形成SOI衬底的退火工艺期间以及用于在半导体材料层上形成半导体器件的后续高温工艺期间，电荷捕获层中的氮原子会抑制晶粒生长。电荷捕获层会抑制寄生表面传导层的形成，且在高频率操作(例如在千兆赫的范围内操作)期间会减少半导体器件与处理衬底的电容性耦合。
绝缘体上半导体衬底半导体结构及其形成方法