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[发明专利]垂直定向碳纳米管阵列和石墨烯复合薄膜材料及其制备方法-CN201910604772.9在审
发明人：袁光杰;谢杰菲;单博;李浩浩;田应仲 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直定向碳纳米管阵列和石墨烯复合薄膜材料及其制备方法。本发明垂直定向碳纳米管阵列和石墨烯复合薄膜材料包括石墨烯和在其中均匀分布的垂直定向碳纳米管阵列。将氧化石墨烯制成溶液，填充图形化和致密化处理后的垂直定向碳纳米管阵列，在高温下还原氧化石墨烯，得到垂直定向碳纳米管阵列和石墨烯复合结构薄膜。其中定向碳纳米管阵列结构能够为复合薄膜提供额外的纵向导热通路，而石墨烯能有效填充图形化和致密化后的垂直定向碳纳米管阵列的空隙，为其提供横向导热通路。利用垂直定向碳纳米管阵列和石墨烯材料特性，二者性能得到很好的互补，能提高有效热界面散热材料横向和纵向导热性能，适合应用于多种电子器件散热领域。
碳纳米管阵列垂直定向石墨烯复合薄膜石墨烯图形化制备填充定向碳纳米管阵列还原氧化石墨烯纵向导热性能石墨烯材料氧化石墨烯致密化处理导热通路电子器件复合薄膜复合结构散热材料纵向导热有效热致密化散热薄膜应用

[发明专利]太赫兹用自组装碳纳米管阵列制备、转移及测定取向方法-CN202111578685.4有效
发明人：谢丽娟;尹吉帆;应义斌;李麟 -专利权人：浙江大学;浙江开浦科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹用自组装碳纳米管阵列制备、转移及测定取向方法。本发明方法通过真空抽滤装置在滤膜上制备出高密度碳纳米管阵列，结合金电极辅助可实现水平排列的定向排列碳纳米管薄膜的制备，且金电极导通方向即为碳纳米管排列方向。本发明能制备纳米级厚度的碳纳米管阵列(定向/非定向排列)，通过简单、绿色环保的方式实现碳纳米管阵列的快速转移，同时通过快速无损的方法测定定向排列碳纳米管取向，在基于碳纳米管的太赫兹器件制备领域中有着较高的应用价值
赫兹组装纳米阵列制备转移测定取向方法

[发明专利]水平定向碳纳米管阵列及其制备方法-CN201310187550.4有效
发明人：牛志强;周维亚;解思深 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平定向碳纳米管阵列及其制备方法。水平定向碳纳米管阵列的制备方法，包括：向由碳纳米管组成的集合体施加一拉伸力，在所述拉伸力的拉伸作用下，在所述集合体的表面的至少部分区域中形成定向排列的碳纳米管阵列；将所述集合体置于一基底上，使所述定向排列的碳纳米管阵列与所述基底直接接触，朝着所述基底向所述集合体施加一压力，使得所述定向排列的碳纳米管阵列中的至少一部分附着在所述基底上；从所述基底上移除所述集合体，从而在所述基底上得到水平定向单层碳纳米管阵列。与现有技术中采用直接法或间接法制备水平定向碳纳米管阵列相比，本发明的方法简单，易于推广，且制备过程快速高效，成品率高。
水平定向纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种生长在定向碳纳米管阵列模板上的氧化锌纳米线发射体-CN201110224199.2有效
发明人：张研;李驰 -专利权人：张研;李驰
申请日： 2011-08-07 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：生长在定向碳纳米管阵列模板上的的氧化锌纳米线发射体，包括导电基底、生长在导电基底上的定向碳纳米管阵列模板，在定向碳纳米管阵列模板的表面长有氧化锌纳米线发射体；氧化锌纳米线发射体的长度为100nm-2μm定向碳纳米管阵列模板的生长方法可以为热气相化学沉积、等离子增强的气相化学沉积等。本发明氧化锌纳米线和碳纳米管阵列的复合结构，可以使该复合结构阵列的电流发射更加均匀，进而提高发射电流密度和稳定性。
一种生长定向纳米阵列模板氧化锌发射

[发明专利]以可燃固废为固态碳源制备定向碳纳米管阵列的装置及方法-CN202011536775.2有效
发明人：齐天;胡晓瑞;程传晓;朱世权;应嘉龙;宋亚文;赖正祥;邝梦涵 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种以可燃固废为固态碳源制备定向碳纳米管阵列的装置及方法，将可燃固废利用水辅助化学气相沉积法制备得到气相碳源，将步骤a制备的气相碳源作为碳源前驱体，利用等离子体发射器和和蒸汽发生器，在750℃‑900℃的生长温度下制备定向碳纳米管阵列。本发明通过利用价格低廉的固体干垃圾获得碳源和有助于提高制碳纳米管阵列纯度的氢气，在较低成本下获得高纯度高产量的定向碳纳米管阵列，进一步提高了制备定向碳纳米管阵列的经济性，解决制备定向碳纳米管阵列成本过高的问题
可燃固态碳源制备定向纳米阵列装置方法

[发明专利]一种定向有序碳纳米管制备方法-CN201710329045.7在审
发明人：魏志鹏;方铉;贾慧民;唐吉龙;房丹;王登魁;李金华;李洋;马晓辉;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明公开了一种定向有序碳纳米管制备方法，解决常规碳纳米管制备方法中碳纳米管非取向问题，实现定向有序碳纳米管阵列的制备。该方法通过在碳纳米管制备过程中在碳纳米管生长区域加沿碳纳米管生长方向的平行磁场，使磁场与磁性纳米颗粒相互作用进而使磁性纳米颗粒受到生长方向的磁场力，磁性纳米催化剂颗粒在磁场力的作用下带动碳纳米管定向生长该方法可以通过改变磁场的方向控制磁性纳米颗粒所受的磁场力的方向，实现碳纳米管生长方向的控制。同时，该方法中改变磁场强度的大小可以调节所制备碳纳米管的直径，获得不同长径比的碳纳米管材料。本发明所提出的这种定向有序碳纳米管制备方法可以实现高质量定向有序的碳纳米管阵列材料。
一种定向有序纳米制备方法

[实用新型]一种定向碳纳米管阵列模板上的氧化锌纳米线发射体-CN201120284085.2有效
发明人：张研;李驰 -专利权人：张研;李驰
申请日： 2011-08-07 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种定向碳纳米管阵列模板上的氧化锌纳米线发射体，包括导电基底、生长在导电基底上的定向碳纳米管阵列模板，在定向碳纳米管阵列模板的表面生长氧化锌纳米线发射体，氧化锌纳米线发射体的长度为100nm-2μm。定向碳纳米管阵列模板的生长方法可以为热气相化学沉积、等离子增强的气相化学沉积等。可以使该复合结构阵列的电流发射更加均匀，进而提高发射电流密度和稳定性。
一种定向纳米阵列模板氧化锌发射

[发明专利]太赫兹器件用碳纳米管取向度测量装置及方法-CN202111578683.5在审
发明人：谢丽娟;尹吉帆;常汉;应义斌;李麟 -专利权人：浙江大学;浙江开浦科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹器件用碳纳米管取向度测量装置及方法。压板布置在底板的上面，定向排列碳纳米管阵列布置在基底，定向排列碳纳米管阵列和基底共同布置在压板和底板之间，且被压板和底板压紧在中间；压板上面铰接地安装有顶板；顶板上布置有多个转子电极，压板上布置多个和定向排列碳纳米管阵列接触的定子电极利用碳纳米管的电学偏振性，通过简单、快速和无损的方法获取定向排列碳纳米管阵列的取向度，解决了现有技术中通过光学、扫描电镜等方式测量碳纳米管阵列取向度存在的破损、时间长等问题。
赫兹器件纳米取向测量装置方法

[发明专利]水平超定向碳纳米管束阵列及其软锁抽丝制备方法-CN202111313435.8有效
发明人：师恩政;郭芸帆;李白泥;曹安源 -专利权人：西湖大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平超定向碳纳米管束阵列及其软锁抽丝制备方法，该方法包括如下步骤：将单壁碳纳米管网络薄膜转移在目标衬底上，将软膜用挥发性溶剂浸湿，然后将浸湿后的软膜包裹刚性定向装置，并将其与单壁碳纳米管网络薄膜接触，向刚性定向装置施加外力，使刚性定向装置压紧单壁碳纳米管网络薄膜，再沿着目标方向移动刚性定向装置，使单壁碳纳米管从网络薄膜中拉伸抽出，从而在目标衬底上形成定向碳纳米管束阵列。该制备方法不使用表面活性剂，对碳纳米管无损，定向后对碳纳米管有去除表面污染的作用，制备得到的碳纳米管束阵列紧密定向排列，具有高定向准度、高堆积密度和高电流承载力，可应用于纳米电子器件等领域。
水平定向纳米管束阵列及其抽丝制备方法

[发明专利]一种竖直定向碳纳米管阵列与石墨烯环氧树脂复合薄膜材料及其制备方法-CN201910392375.X有效
发明人：单博;袁光杰;李浩浩;张勇;刘建影 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种竖直定向碳纳米管阵列与石墨烯环氧树脂复合薄膜材料及其制备方法。本发明复合薄膜材料由竖直定向碳纳米管阵列、环氧树脂与石墨烯组成，碳纳米管阵列致密化后在其间隙内填充环氧树脂和石墨烯的混合物，分别利用碳纳米管和石墨烯，提高了环氧基底的纵向和横向导热性能。制备方法是将环氧树脂与石墨烯混合均匀后，填入经过致密化处理的竖直定向碳纳米管阵列，之后经过打磨抛光，得到所需复合薄膜材料。将竖直定向碳纳米管阵列和石墨烯复合实际用于热界面材料中，有效的提高的环氧基底的横向纵向热导率，对于热界面材料的散热性能意义重大。
一种竖直定向纳米阵列石墨环氧树脂复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种定向碳纳米管纳滤膜的制备方法-CN201310178710.9有效
发明人：赵斌;杨俊和;张磊;方凯;王艳;严胜杰;潘斌斌;唐志红;杨光智 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：一种定向碳纳米管纳滤膜的制备方法，采用化学气相沉积法生长垂直排列的碳纳米管阵列，碳纳米管直径为2-30nm，碳纳米管阵列高度为300-2000μm；将所述的碳纳米管阵列夹持在两平板之间，施加1-10N的压力，同时沿水平相反方向推动两平板，获得水平定向排列的碳纳米管薄膜；浸入液体溶剂，5-30分钟后取出；在自然通风条件下放置2-24小时，待溶剂完全蒸发后从平板表面剥离，得到水平致密排列的定向碳纳米管薄膜；以碳纳米管间的均匀孔隙为气体及液体分子的过滤孔道，获得定向碳纳米管纳滤膜。
一种定向纳米滤膜制备方法

[发明专利]一种定向碳纳米管改性的陶瓷材料的制备方法-CN202211534441.0在审
发明人：李开元;张韬 -专利权人：湖北冠毓新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种定向碳纳米管改性的陶瓷材料的制备方法，包括在基底上镀金属催化剂薄膜，并对催化剂薄膜进行还原和刻蚀处理；采用化学气相沉积(CVD)工艺在基底上定向生长碳纳米管阵列；在定向的碳纳米管阵列中沉积陶瓷基体本发明可以有效避免碳纳米管之间的缠绕和团聚现象，提高陶瓷材料内碳纳米管的分散效果，减少分散时对碳纳米管产生破坏，提高碳纳米管与陶瓷材料的结合强度，改善陶瓷材料的力学性能。此外，由于陶瓷材料内碳纳米管均定向生长，因此在特定方向上具有优异的热导率，形成特殊且优良的热学性能。
一种定向纳米改性陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种有机太阳电池的结构及其该结构制备的有机太阳电池-CN200610043110.1无效
发明人：刘卫华;曹猛;易文辉 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机太阳电池的结构及其采用该结构制备的有机太阳电池，该有机太阳电池的结构至少包括在基板上制备的正极、负极和光伏特性的有机物层，在正极和光伏特性的有机物层之间有定向碳纳米管阵列构成的空穴传输层本发明采用定向碳纳米管沉积于太阳电池的正电极，并与正电极形成良好的欧姆接触。定向碳纳米管阵列平行于基板，且碳纳米管相互平行，少缠绕。有机太阳电池中的光伏特性的有机物层填充在碳纳米管阵列的间隙中，并对碳纳米管形成良好的包敷。由于碳纳米管阵列提供了最大化的激子分离界面，并且定向排列的碳纳米管阵列显著降低了电子输运路径，从而降低光生载流子的复合机率，提高太阳能电池的光能转换效率。
一种有机太阳电池结构及其制备

[发明专利]一种铝基定向碳纳米管镀铜复合散热材料及制备方法-CN202010327683.7有效
发明人：李会林;郭强;李永利;田登超;付明波;李申;赵俊利;朱顺伟 -专利权人：郑州中科新兴产业技术研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝基定向碳纳米管镀铜复合散热材料及制备方法，该复合材料由金属铜、铝和碳纳米管组成，所述碳纳米管生长在铝上，形成定向阵列，铜生长在碳纳米管上，形成碳纳米管/铜串珠状构造，制备得到铝基定向碳纳米管镀铜复合散热材料本发明构建铝/碳纳米管/铜三维热输运通路，弥补铜、铝、碳纳米管各自散热缺陷，协同发挥其优势，得到高热导率的复合散热材料。
一种定向纳米镀铜复合散热材料制备方法

[发明专利]高密度碳纳米管阵列及其制备方法-CN200710076392.X有效
发明人：罗春香;张晓波;姜开利;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度碳纳米管阵列，该高密度碳纳米管阵列中的碳纳米管排列紧密，且定向排列，具有类一维单晶结构，密度为0.1～2.2g/cm³。本发明还涉及一种制备高密度碳纳米管阵列的方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；沿着平行于基底的方向，施加压力挤压上述碳纳米管阵列，从而得到高密度碳纳米管阵列，该制备方法工序简单，易于实际应用、效率较高且制备的碳纳米管阵列的密度可以控制。
高密度纳米阵列及其制备方法

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