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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]耐弯折铜箔及其制备方法和FPC挠性电路板-CN202010939817.0有效
发明人：刘科海;张志强;丁志强;寇金宗;何梦林;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：耐弯折铜箔包括：单晶耐弯折铜箔或大晶畴耐弯折铜箔。单晶耐弯折铜箔为：在200*200mm至250*300mm的范围内没有晶界存在，只有唯一晶畴且晶畴的尺寸不小于200*200mm。大晶畴耐弯折铜箔由大晶畴铜箔进行电镀铜和/或压延处理后获得，大晶畴铜箔为：在200*200mm范围内存在一个以上的晶畴或存在一个以上的晶界，且200*200mm范围内的晶畴个数＜500个。通过合理光学仪器检查、筛选并分类别获得大晶畴铜箔和单晶耐弯折铜箔，同时对大晶畴铜箔后处理提高其耐弯折性，满足FPC挠性电路板的需求。
耐弯折铜箔及其制备方法 fpc 电路板

[发明专利]抗开裂的铜箔及电池-CN202011228612.8在审
发明人：刘科海;寇金宗;张志强;丁志强;陈益;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：抗开裂的铜箔中，99.8％以上的晶畴为大尺寸晶畴，大尺寸晶畴的平均直径为75～100cm，晶畴的指数面为Cu(001)、Cu(011)和Cu(111)之外的高晶面指数中的一种。本申请的抗开裂的铜箔的晶畴主要为特定平均直径要求的大尺寸晶畴，且其晶畴具有特定的单晶和高指数面，使铜材料具有较好的抗产生裂纹的性能，能够有效地解决负极集流体受损问题，能有效改善电池寿命和容量下降问题以及降低电池事故风险
开裂铜箔电池

[实用新型]复合焊带及光伏组件-CN202023018083.7有效
发明人：何梦林 -专利权人：中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：复合焊带包括大晶畴铜带、第一焊接层以及第二焊接层。大晶畴铜带的材质为单位面积内晶界数量小于多晶铜箔的大晶畴铜，第一焊接层位于大晶畴铜带的第一侧，第二焊接层位于大晶畴铜带的第二侧。
复合组件

[发明专利]一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法-CN201610191702.1有效
发明人：张智宏;徐小志;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。
石墨烯薄膜晶畴连续制备金属箔片氧化物衬底制备常压化学气相沉积基底表面处理电学性能生长周期转动装置生长基夹层催化剂穿过

[实用新型]刚挠PCB板结构以及电子产品-CN202023022904.4有效
发明人：何梦林 -专利权人：中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：该PCB板结构包括挠性绝缘基板和第一导电线路，第一导电线路设置在挠性绝缘基板上；第一导电线路由单层大晶畴单晶铜构成。第一刚性层包括第一刚性绝缘基板和第二导电线路，第二导电线路设置在第一刚性绝缘基板的至少部分区域；第二导电线路由多层大晶畴单晶铜构成。通过在第一刚性绝缘基板的至少部分区域设置由多层大晶畴单晶铜构成的第二导电线路，使得大部分电流流通路径都在第一刚性绝缘基板上的多层大晶畴单晶铜中流通，多层大晶畴单晶铜的电阻较小，从而避免了电解铜箔小晶畴和晶界对电流的阻碍
pcb 板结以及电子产品

[发明专利]用于变压器绕组的铜带及其制作方法、变压器绕组-CN202011645325.7在审
发明人：刘科海;张志强;寇金宗;丁志强;陈益;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：用于变压器绕组的铜带包括层叠设置的大尺寸晶畴铜层和退火电镀铜层，大尺寸晶畴铜层的至少一侧设置退火电镀铜层，大尺寸晶畴铜层的铜晶界4个/cm2。
用于变压器绕组及其制作方法

[实用新型]用于变压器绕组的铜带以及变压器绕组-CN202023351409.8有效
发明人：刘科海;张志强;寇金宗;丁志强;陈益;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：用于变压器绕组的铜带包括层叠设置的大尺寸晶畴铜层和退火电镀铜层，大尺寸晶畴铜层的至少一侧设置退火电镀铜层，大尺寸晶畴铜层的铜晶界4个/cm2。
用于变压器绕组以及

[发明专利]电解质膜、膜电极接合体、电化学单元、电解质膜的制造方法-CN202080091635.0在审
发明人：布尾孝祐;黑羽智宏;浅野洋 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01M8/1253 文献下载
摘要：本公开的电解质膜包含多个晶畴，其中，至少一个晶畴在其内部包含第1子晶畴和第2子晶畴，所述第1子晶畴和第2子晶畴分别包含Ba、Zr、M、O，M是3价的元素，所述第1子晶畴的M的浓度与所述第2子晶畴的M的浓度不同
电解质膜电极接合电化学单元制造方法

[实用新型]阴极辊、电解铜箔机构及成品铜箔的制备系统-CN202122662510.3有效
发明人：刘开辉;张志强;刘科海;丁志强;黄智;乐湘斌;何梦林;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室;中科晶益（东莞）材料科技有限责任公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：基材铜箔的材质为单晶铜箔或大晶畴铜箔，大晶畴铜箔在每平方分米的晶界数量≤5个。利用石墨烯薄膜复制基材铜箔的表面形貌特征，利用电解铜箔复制石墨烯薄膜的表面形貌特征以实现对电解铜箔的“预单晶化”，因此显著降低后续退火温度后能够获得单晶铜箔或大晶畴铜箔，且即使电解铜箔厚度＜25μm，也可显著降低褶皱的产生
阴极电解铜箔机构成品制备系统

[发明专利]液晶面板及其制造方法-CN201910242662.2有效
发明人：下敷领文一;寺下慎一;渡边光一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：所述液晶面板依次具备：具有多个像素电极和第一取向膜的第一基板、液晶层、以及具有共用电极和第二取向膜的第二基板，在行方向上连续的至少30个像素中，晶畴排列相同，位于第n行的显示单元区域中的晶畴配置顺序为第一晶畴、第二晶畴、第三晶畴以及第四晶畴的顺序，位于第n+1行的显示单元区域中的晶畴配置顺序为第一晶畴以及第四晶畴位于第二晶畴以及第三晶畴之间，像素电极在与位于显示单元区域的两端的晶畴的至少一个重叠的区域设置有切口，具有与各晶畴的取向矢量平行的多条微小狭缝。
液晶面板及其制造方法

[发明专利]被膜-CN201680091204.8有效
发明人：内海庆春;佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格;津田圭一;康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯;桑卡拉·皮莱;丹尼尔·冈纳·马根法尔特 -专利权人：住友电气工业株式会社;敏斯材料公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至
被膜

[发明专利]液晶面板及其制造方法-CN201910242363.9有效
发明人：下敷领文一;寺下慎一;渡边光一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：一种液晶面板，其依次具备：第一基板，其具有多个像素电极、多根栅极布线以及第一取向膜；液晶层；以及第二基板，其具有共用电极和第二取向膜，在行方向上连续的至少30个像素中，晶畴排列相同，多根栅极布线在显示单位区域的行之间通过并延伸，位于第n行的显示单位区域中的晶畴配置顺序是第一晶畴、第二晶畴、第三晶畴、第四晶畴的顺序，位于第n+1行的显示单位区域中的晶畴配置顺序是第一晶畴以及第四晶畴位于第二晶畴以及第三晶畴之间，像素电极具有与各晶畴的取向矢量平行的多根微小狭缝
液晶面板及其制造方法

[发明专利]阴极辊、电解铜箔机构及电解铜箔制备方法、成品铜箔的制备系统及制备方法-CN202111285831.4在审
发明人：刘开辉;张志强;刘科海;丁志强;黄智;乐湘斌;何梦林;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室;中科晶益（东莞）材料科技有限责任公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：基材铜箔的材质为单晶铜箔或大晶畴铜箔，大晶畴铜箔在每平方分米的晶界数量≤5个。利用石墨烯薄膜复制基材铜箔的表面形貌特征，利用电解铜箔复制石墨烯薄膜的表面形貌特征以实现对电解铜箔的“预单晶化”，因此显著降低后续退火温度后能够获得单晶铜箔或大晶畴铜箔，且即使电解铜箔厚度＜25μm，也可显著降低褶皱的产生
阴极电解铜箔机构制备方法成品系统

[发明专利]液晶面板及其制造方法-CN201910239476.3有效
发明人：下敷领文一;寺下慎一;渡边光一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：该液晶面板依次具备：具有多个像素电极和第一取向膜的第一基板、液晶层、以及具有共用电极和第二取向膜的第二基板，其中，该液晶面板在行方向上连续的至少30个像素中，晶畴排列相同，位于第n行的显示单元区域中的晶畴配置顺序是第一晶畴、第二晶畴、第三晶畴以及第四晶畴的顺序，多个像素电极包含第一像素电极，上述第一像素电极具有以下结构：在与第一晶畴重叠的区域、与第二晶畴重叠的区域、与第三晶畴重叠的区域以及与第四晶畴重叠的区域中的至少一个区域中，设置有与所对应的晶畴的取向矢量平行的微细狭缝，并且在其余的区域中，并未设置微细狭缝。
液晶面板及其制造方法

[发明专利]被膜-CN201680041492.6有效
发明人：内海庆春;佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格;津田圭一;康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯;丹尼尔·冈纳·马根法尔特 -专利权人：住友电气工业株式会社;敏斯材料公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：位于基材表面上的被膜中的至少一个层是由组成不同的至少两个晶畴形成的晶畴结构层。当将存在于晶畴结构层中的多个第一晶畴中的每一个的尺寸定义为与第一晶畴接触的各个虚拟外接圆的直径，并且将各个第一晶畴的最近邻距离定义为连接一个外接圆的中心和与另一相邻的外接圆的中心的直线距离中的最短距离时，第一晶畴的平均尺寸为1nm以上10nm以下，并且第一晶畴的平均最近邻距离为1nm以上12nm以下。95％以上的第一晶畴的尺寸在平均尺寸的±25％的范围内。95％以上的第一晶畴的最近邻距离在平均最近邻距离的±25％的范围内。
被膜

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