专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2387317个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种单晶截断机-CN201620055181.2有效
  • 段景波;解培玉;崔陈晨;孙萌;杨勇;李浩;唐顺锋 - 青岛高测科技股份有限公司
  • 2016-01-20 - 2016-08-31 - B28D5/04
  • 本实用新型提供了一种单晶截断机,包括底座、分别安装于底座左右两侧的绕线室、安装于绕线室之间的切割室、安装于底座一侧的控制柜、用于提供切割丝正常切割的冷却喷淋装置,所述单晶截断机还包括用于设备防护的防护装置和用于设备操控的操控装置本实用新型能够实现一同时切割成段的要求,可实现切割较长约4.5米单晶的需求,切割后的段长误差也较小,切割完成后还可以实现自动退丝。此外,本实用新型还可自适应单晶的不同直径变化,将进行定位并进行可靠装夹,并对进行固定支撑锁紧,从而保证切割完成后的稳定性,避免切割完成后出现位移或下坠,提高了切割效率和切割质量。
  • 一种单晶硅截断
  • [实用新型]还原炉底盘结构-CN201922284771.9有效
  • 彭建涛;汤晓英;薛小龙;茅陆荣;陈宏伟;杜彦楠 - 上海市特种设备监督检验技术研究院;上海森松新能源设备有限公司
  • 2019-12-18 - 2021-02-09 - C01B33/021
  • 本实用新型涉及还原炉底盘结构,包括底盘主体(1)、从内到外依次布置在底盘主体(1)上的若干组(2),以及布置在底盘主体(1)上的进气口(3)和出气口(4),每组(2)由(2)围成一个同心圆,任意相邻两组之间的间距相等,并记为SA,同一组(2)中,任意一对(2)的两个(2)的间距记为SB,分别处于不同对(2)的任意相邻两个(2)的间距记为SC,且SB不等于SC。与现有技术相比,本实用新型通过控制同心圆间距相等,使得层间相互辐射距离相近,从而使得每周围相互辐射热相互接近,采用进出气均匀分布的方式,保证温度场和流场的均匀,解决了大炉型的布尺寸大的问题。
  • 还原底盘结构
  • [发明专利]截断机及截断方法-CN201610345643.9有效
  • 卢建伟 - 上海日进机床有限公司
  • 2016-05-23 - 2017-10-13 - B28D5/04
  • 本发明公开了一种截断机及截断方法,截断机包括送料设备,用于将待切割的输送至待上料区域;截断设备,衔接送料设备,用于对由送料设备自待上料区域输送过来的待切割的进行截断作业;截断设备,包括机座;输送台,设于机座,用于承载待切割的并驱动沿着的轴向进行输送;轴心调节机构,设于输送台上,用于将的轴心调成水平状态;多个线切割单元,设于机座上且可升降地设于输送台的上方,用于将待切割的切割为截段待切割的通过送料设备输送至待上料区域,多个线切割单元可同时将待切割的切割成段,截段由输送台移出到收料台进行依序卸料。
  • 截断方法
  • [发明专利]制备低内应力区熔用电子级多晶的系统和方法-CN202010120753.1有效
  • 吴锋;李明峰;赵培芝;高召帅;韩锋 - 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
  • 2020-02-26 - 2023-09-22 - C30B25/00
  • 本发明公开了制备低内应力区熔用电子级多晶的系统和方法。其中,制备低内应力区熔用电子级多晶的系统包括:多晶还原炉,所述多晶还原炉内设有底板、多个石墨夹头、,所述通过所述石墨夹头设在所述底板上;所述包括对内圈对外圈,每对所述包括1个横梁和2个体;多个内圈棒棒径检测单元,所述内圈棒棒径检测单元与所述内圈相连;三氯氢‑氢气进料管线,所述三氯氢‑氢气料管线与所述多晶还原炉相连;多个二氯二氢‑氢气进料喷口,所述二氯二氢‑氢气进料喷口布置在所述内圈的横梁与所述底板中心的连线上。该系统可以产出内应力较小区熔用电子级多晶产品。
  • 制备内应力用电多晶系统方法
  • [实用新型]制备低内应力区熔用电子级多晶的系统-CN202020217188.6有效
  • 吴锋;李明峰;赵培芝;高召帅;韩锋 - 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
  • 2020-02-26 - 2020-12-18 - C30B25/00
  • 本实用新型公开了制备低内应力区熔用电子级多晶的系统。该低内应力制备区熔用电子级多晶的系统包括:多晶还原炉,所述多晶还原炉内设有底板、多个石墨夹头、,所述通过所述石墨夹头设在所述底板上;所述包括对内圈对外圈,每对所述包括1个横梁和2个体;多个内圈棒棒径检测单元,所述内圈棒棒径检测单元与所述内圈相连;三氯氢‑氢气进料管线,所述三氯氢‑氢气料管线与所述多晶还原炉相连;多个二氯二氢‑氢气进料喷口,所述二氯二氢‑氢气进料喷口布置在所述内圈的横梁与所述底板中心的连线上。该系统可以产出内应力较小区熔用电子级多晶产品。
  • 制备内应力用电多晶系统
  • [实用新型]截断机-CN201620474937.7有效
  • 卢建伟 - 上海日进机床有限公司
  • 2016-05-23 - 2016-10-12 - B28D5/04
  • 本实用新型公开了一种截断机,包括:送料设备,用于将待切割的输送至待上料区域;截断设备,衔接送料设备,用于对由送料设备自待上料区域输送过来的待切割的进行截断作业;截断设备,包括:机座;输送台,设于机座,用于承载待切割的并驱动沿着的轴向进行输送;轴心调节机构,设于输送台上,用于将的轴心调成水平状态;多个线切割单元,设于机座上且可升降地设于输送台的上方,用于将待切割的切割为截段待切割的通过送料设备输送至待上料区域,多个线切割单元可同时将待切割的切割成段,截段由输送台移出到收料台进行依序卸料。
  • 截断
  • [发明专利]及用于多晶生长的芯结构-CN201010285968.5无效
  • 张江城;靳忠磊;邹志勇;刘添华 - 山东伟基炭科技有限公司
  • 2010-09-19 - 2011-02-23 - C30B28/14
  • 本发明公开了一种,属于西门子法生产多晶技术领域。其为长条状,其横截面为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状。本发明还公开了一种用于多晶生长的芯结构,其包括两(1),横向搭接在两(1)顶端的横(2),所述横(2)和竖(1)的横截面均为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状,所述两(1)的顶端具有与所述横(2)外表面形状相适配的形状。本发明通过对的形状进行特殊设计,使得的表面积增大,多晶在反应初期的沉积面积增大,有利于提高多晶的初期生长速率和转换率,并降低能耗。
  • 硅芯棒用于多晶生长结构
  • [实用新型]及用于多晶生长的芯结构-CN201020534548.1有效
  • 张江城;靳忠磊;邹志勇;刘添华 - 山东伟基炭科技有限公司
  • 2010-09-19 - 2011-05-11 - C30B28/14
  • 本实用新型公开了一种,属于西门子法生产多晶技术领域。其为长条状,其横截面为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状。本实用新型还公开了一种用于多晶生长的芯结构,其包括两(1),横向搭接在两(1)顶端的横(2),所述横(2)和竖(1)的横截面均为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状,所述两(1)的顶端具有与所述横(2)外表面形状相适配的形状。本实用新型通过对的形状进行特殊设计,使得的表面积增大,多晶在反应初期的沉积面积增大,有利于提高多晶的初期生长速率和转换率,并降低能耗。
  • 硅芯棒用于多晶生长结构

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top