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[发明专利]一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法-CN202210113833.3在审
发明人：闫春泽;王长顺;刘桂宙;杨潇;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于铝基碳化硅复合材料相关技术领域，其公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法，步骤如下：(1)将碳化硅复合材料坯体进行固化，以获得多孔碳化硅/碳坯体；(2)将多孔碳化硅/碳坯体进行反应烧结；(3)将多孔碳化硅坯体进行碳化硅增密处理，使得多孔碳化硅坯体的孔隙率在预定范围内，以获得多孔碳化硅预制体；(4)将多孔碳化硅预制体进行溶胶凝胶界面改性；(5)将改性后的多孔碳化硅预制体进行铝合金浸渗，多孔碳化硅预制体内部的孔隙被铝合金液填充，以获得预定铝合金体积分数的铝基碳化硅复合材料。通过此方法可以获得碳化硅‑铝体积分数可调、结构复杂度可控、尺寸大小符合需求的铝基碳化硅构件，具有广泛的应用前景。
一种碳化硅复合材料及其制备方法

[发明专利]一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法-CN201610114077.0有效
发明人：李红霞;王刚;袁波;于建宾;陈阔;韩建燊;董宾宾 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于多孔陶瓷材料的制备领域，具体涉及一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法。提出的一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法=采用碳化硅多孔陶瓷作为基体，在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，包括有碳化硅多孔陶瓷的预处理、硅浆的制备、硅浆在碳化硅多孔陶瓷表面的涂覆和气氛烧结四个过程。本发明通过在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，在不降低过滤元件使用性能的前提下提高其耐用性。
一种梯度结构碳化硅基多陶瓷制备方法

[发明专利]碳化硅陶瓷分离及其制备方法-CN201911079133.1在审
发明人：席红安;赵俊亮;麦保祥;卢庆贤 -专利权人：佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅陶瓷分离膜，所述分离膜包括多孔氧化物陶瓷基体及碳化硅膜，所述碳化硅膜设置在所述多孔氧化物陶瓷基体的表面，且所述碳化硅膜为开口多孔结构，所述多孔氧化物陶瓷基体为平板式多孔陶瓷或碟式多孔陶瓷本发明所述的碳化硅陶瓷分离膜是通过物理气相沉积工艺在多孔氧化物陶瓷基体的表面沉积碳化硅膜层，得到预制碳化硅陶瓷分离膜件，然后将预制碳化硅陶瓷分离膜件在真空或惰性气氛气氛下进行高温处理，最终制得所述碳化硅陶瓷分离膜，本发明中所述碳化硅陶瓷分离膜上的碳化硅膜与多孔氧化物陶瓷基体的结合力强，且碳化硅膜层的硬度高，所述制备方法简单，易于推广。
碳化硅陶瓷分离及其制备方法

[发明专利]一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法-CN201410410783.0有效
发明人：徐慢;曹宏;石和彬;陈常连;沈凡;季家友;王树林;薛俊;安子博;赵静 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制碳化硅、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品
一种孔隙率可控多孔碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种快速生长高质量碳化硅的方法-CN202110880193.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速生长高质量碳化硅的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有气相传输法制备碳化硅晶体生长速度下降的问题，本发明提供了一种快速生长高质量碳化硅的方法，首先制备不同孔径和孔隙率的多孔碳化硅原料片，然后在坩埚底部依次铺设常规碳化硅粉料、小孔径多孔碳化硅原料片和大孔径多孔碳化硅原料片，以气相传输法进行碳化硅晶体生长。大孔径多孔碳化硅原料片能够防止在碳化硅气体在原料表面结晶，将碳化硅晶体生长速度提高了20～30％；小孔径的多孔碳化硅原料片能够过滤气体组分中的碳颗粒，减少碳化硅晶体生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷，从而获得具有较高质量的碳化硅晶体。
一种速生长高质量碳化硅方法

[发明专利]一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN201110252396.5无效
发明人：于晓东;王扬卫;王富耻;马壮;谭成文 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备技术，属于多孔陶瓷材料制备技术领域。包括聚碳硅烷和碳化硅粉体，以碳化硅粉体的总质量为100份计算，聚碳硅烷含量为2～10份；还可以包括碳粉，加入的碳粉的含量为5～15份；碳化硅粉体且由细碳化硅粉体、粗碳化硅粉体或细碳化硅粉体和粗碳化硅粉体的混合物组成本发明可以在低温下制备出孔梯度碳化硅多孔陶瓷；可以制备出各种形状的多孔陶瓷；陶瓷先驱体具有较高的陶瓷产率；所制备的孔梯度碳化硅多孔陶瓷具有可控的三维连通孔，且孔分布具有可设计性；可以制备尺寸较大的孔梯度碳化硅多孔陶瓷
一种梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铝碳化硅复合散热结构-CN201510353740.8在审
发明人：司红康;刘淮祥 -专利权人：刘淮祥
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供一种铝碳化硅复合散热结构，包括多孔碳化硅陶瓷片和金属铝，所述多孔碳化硅陶瓷片的一表面接触热源，并在所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔被金属铝填充；远离所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔未被金属铝填充所述；被金属铝填充的多孔碳化硅陶瓷片部分的厚度是整个多孔碳化硅陶瓷片厚度的1/5-1/3，本发明的铝碳化硅复合散热结构具有优异的散热综合性能。
一种碳化硅复合散热结构

[实用新型]一种铝碳化硅复合散热结构-CN201520439221.9有效
发明人：刘淮祥 -专利权人：刘淮祥
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铝碳化硅复合散热结构，包括多孔碳化硅陶瓷片和金属铝，所述多孔碳化硅陶瓷片的一表面接触热源，并在所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔被金属铝填充；远离所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔未被金属铝填充所述；被金属铝填充的多孔碳化硅陶瓷片部分的厚度是整个多孔碳化硅陶瓷片厚度的1/5-1/3，本实用新型的铝碳化硅复合散热结构具有优异的散热综合性能。
一种碳化硅复合散热结构

[发明专利]一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法-CN201310229375.0无效
发明人：叶枫;刘强;刘仕超;杨海霞;侯赵平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、比表面积低的技术问题。该多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉体、烧结助剂、去离子水、分散剂、粘结剂和消泡剂制备；方法：一、制备浆料；二、制备多孔碳化硅陶瓷生坯；三、制备预氧化多孔碳化硅陶瓷坯体；四、制备钡长石原位结合的多孔碳化硅陶瓷；五本发明制备的多孔陶瓷孔隙率可达20vol%-82vol%，孔径为0.1-300μm；气孔率为48v0l%时，抗弯强度可达63MPa；孔壁中原位生成长棒状碳化硅晶粒。本发明用于制备具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷。
一种具有新型结构多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202011492478.2有效
发明人：刘国彬 -专利权人：深圳市德澳美科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅陶瓷领域，具体公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。该多孔碳化硅陶瓷包括以下重量份数的组分：碳化硅微粉80~100份、烧结助剂2~10份、造孔剂1~5份、交联剂1~5份、分散剂3~6份、去离子水45~55份，造孔剂为粒径是1~30μm秸秆微粉；其制备方法为：将碳化硅微粉、烧结助剂、交联剂、分散剂、去离子水混合并进行搅拌，然后加入造孔剂和催渗剂并于真空条件下搅拌得到碳化硅陶瓷浆料；对碳化硅陶瓷浆料进行真空抽滤后放入模具中烘烤得到多孔碳化硅陶瓷素坯，将多孔碳化硅陶瓷素坯在氩气气氛下进行烧结，得到多孔碳化硅陶瓷。本申请制得的多孔碳化硅陶瓷环保性好、成本低，孔隙率大且性能优异。
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]多孔碳化硅陶瓷的制备方法-CN201210312343.2有效
发明人：叶枫;刘强;侯赵平;刘仕超;张海礁 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。
多孔碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种高比分功能梯度铝基碳化硅复合材料及其制备方法-CN202210113916.2有效
发明人：闫春泽;刘桂宙;王长顺;杨潇;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明属于复合材料相关技术领域，其公开了一种高比分功能梯度铝基碳化硅复合材料及其制备方法，方法包括：采用增材制造技术根据梯度多孔结构的三维结构打印碳化硅素坯；将所述碳化硅素坯依次进行低温固化和中温碳化处理得到梯度多孔结构碳化硅预制体；将所述梯度多孔结构碳化硅预制体在聚碳硅烷溶液、聚二甲基硅烷溶液或异元素聚碳硅烷溶液中浸渗而后依次进行高温固化裂解生成梯度多孔结构碳化硅陶瓷体；对所述梯度多孔结构碳化硅陶瓷体进行预氧化处理；采用液态铝合金填充所述梯度多孔结构碳化硅陶瓷体得到高比分功能梯度铝基碳化硅复合材料本申请可以制备高强度复杂结构的高比分功能梯度铝基碳化硅复合材料。
一种比分功能梯度碳化硅复合材料及其制备方法

[发明专利]一种微波辅助的碳化硅多孔陶瓷、铝碳化硅复合体制备方法及铝碳化硅复合体-CN202011532489.9在审
发明人：景文甲;王鹏冲;何岚;刘磊;汪震;何娟 -专利权人：珠海亿特立新材料有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种微波辅助的碳化硅多孔陶瓷制备方法，先对碳化硅预制坯板烘干再放置于制备盒中，倒入增强剂至浸没；在真空干燥器中进行抽真空浸渍；再进行微波固化和高温彻底固化；然后进行烧结，烧结后自然冷却至室温，得到碳化硅多孔陶瓷。本发明提供一种铝碳化硅复合体制备方法，将碳化硅多孔陶瓷加工为预设尺寸的碳化硅预制体；利用压力渗透法，将铝合金溶液浸渍在碳化硅预制体中，得到铝碳化硅复合体。本发明还提供一种用此铝碳化硅复合体制备方法制得的铝碳化硅复合体。在保证碳化硅多孔陶瓷气孔率、增重率的同时，不损失铝碳化硅复合体的热导率，提升碳化硅预制体的强度，防止碳化硅预制体在压力浸渗过程中发生变形和断裂，产品贴合率高。
一种微波辅助碳化硅多孔陶瓷复合体制备方法

[实用新型]碳化硅板式换热器-CN202120352808.1有效
发明人：关德军;赵昕盟;渐林呐 -专利权人：山东旺泰科技有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： F28D9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅板式换热器，属于换热器技术领域；包括换热模块，所述换热模块包括模块框架和模块框架内的碳化硅板束，所述碳化硅板束包括两侧的管板和碳化硅多孔板，所述管板上开有矩形阶梯孔，碳化硅多孔板插在两管板对应的矩形阶梯孔中，所述矩形阶梯孔的内径比碳化硅多孔板的外径大5‑10mm，所述碳化硅多孔板和矩形阶梯孔之间设置有密封结构；所述碳化硅多孔板中间有一排固定定高度和宽度的中间孔，碳化硅多孔板板间形成热烟通道，中间孔形成冷侧气体通道，所述中间孔呈圆角矩形；能有效解决换热器领域烟气低温露点腐蚀的难题，所以该碳化硅板式换热器可以将排烟温度降到100℃以下，更大程度的回收烟气余热。
碳化硅板式换热器

[发明专利]一种多孔碳化硅薄膜的制备方法-CN201911393517.0在审
发明人：黄其煜;王舒瑭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔碳化硅薄膜的制备方法，属于微纳加工领域。本发明提供了一种多孔碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：使用电化学刻蚀对碳化硅晶片进行阳极氧化，得到多孔碳化硅薄膜。本发明可通过改变电化学刻蚀过程中的外加电压、电流、频率、占空比等参数，能够实现对多孔碳化硅薄膜纳米形貌以及厚度的控制。实施例的数据表明，本发明制得的多孔碳化硅薄膜的的厚度为100纳米～300微米，纳米孔直径为0.5～50纳米，实现了多孔碳化硅薄膜的可控制备。
一种多孔碳化硅薄膜制备方法

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