专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于姿势的签名认证-CN201010625006.X在审
  • C·卡里索;C·奥乔亚;L·马苏赫 - 英特尔公司
  • 2010-12-24 - 2011-07-06 - G06F21/04
  • 本发明的实施例总地涉及用于实现基于姿势的签名认证的系统、方法、设备以及机器可读介质。在一个实施例中,一种方法可以包括:记录第一基于姿势的签名并且存储所记录的第一基于姿势的签名。然后该方法将该第一基于姿势的签名和第二基于姿势的签名进行比较。然后,当第一基于姿势的签名与第二基于姿势的签名基本类似时,该方法验证该第一基于姿势的签名为可信的。
  • 基于姿势签名认证
  • [发明专利]基于姿势的签名认证-CN201610197325.2在审
  • C·卡里索;C·奥乔亚;L·马苏赫 - 英特尔公司
  • 2010-12-24 - 2016-08-24 - G06K9/00
  • 本发明的实施例总地涉及用于实现基于姿势的签名认证的系统、方法、设备以及机器可读介质。在一个实施例中,一种方法可以包括:记录第一基于姿势的签名并且存储所记录的第一基于姿势的签名。然后该方法将该第一基于姿势的签名和第二基于姿势的签名进行比较。然后,当第一基于姿势的签名与第二基于姿势的签名基本类似时,该方法验证该第一基于姿势的签名为可信的。
  • 基于姿势签名认证
  • [发明专利]一种基于SAWSDL的语义信息提取的方法-CN200810227446.2无效
  • 马殿富;朱红;李宁;李静;刘建 - 北京航空航天大学
  • 2008-11-25 - 2009-05-06 - H04L29/08
  • 一种基于SAWSDL的语义信息提取的方法,主要应用Web服务中,其步骤如下:(1)判断SAWSDL文档是基于WSDL 1.1还是基于WSDL 2.0,如果基于WSDL 2.0,则转步骤(3),如果基于WSDL1.1,则转步骤(2),(2)将基于WSDL 1.1的SAWSDL文档转换为基于WSDL 2.0的SAWSDL文档;(3)从基于WSDL 2.0的SAWSDL文档中提取语义注释的信息;(4)将提取出的语义信息输出到模板文件中本发明既可以从基于WSDL 1.1的SAWSDL文档中提取语义信息,也可以从基于WSDL 2.0的SAWSDL文档中提取语义信息;不需要用户进行复杂的编程,只需要利用一个提供的XML描述文件并调用一个API
  • 一种基于sawsdl语义信息提取方法
  • [发明专利]基于身份的公钥生成协议-CN202080084297.8在审
  • 巴席姆·阿玛尔;张伟;约翰·弗莱彻 - 区块链许可股份公司
  • 2020-11-06 - 2022-10-11 - H04L9/08
  • 一种用于生成基于身份的加密密钥的计算机实现的方法,所述方法包括:获取一组私钥共享和一组对应的公钥共享,其中每个私钥共享均基于个人标识符生成,所述一组私钥共享中的至少一个由一组密钥生成方中的相应一方生成;基于所述一个或更多个私钥共享中的每一个生成基于身份的私钥;生成部分基于身份的公钥,其中所述部分基于身份的公钥基于所述一组对应的公钥共享中的每一个生成;将所述部分基于身份的公钥传输给所述一组密钥生成方中的至少一方以生成所述基于身份的公钥;和/或生成所述基于身份的公钥,其中所述基于身份的公钥包括所述个人标识符和所述部分基于身份的公钥。
  • 基于身份生成协议
  • [发明专利]应变平衡的氮化物异质结晶体管及制造应变平衡的氮化物异质结晶体管的方法-CN02824184.3有效
  • A·W·萨克斯勒 - 克里公司
  • 2002-11-20 - 2005-03-23 - H01L29/778
  • 一种基于氮化物的异质结晶体管,包括衬底以及衬底上的第一III族-氮化物层,如基于AlGaN的层。第一基于III族-氮化物的层具有关联的第一应变。第二基于III族-氮化物的层如基于GaN的层在第一基于III族-氮化物的层上。第二基于III族-氮化物的层具有比第一基于III族-氮化物的层小的带隙以及具有关联的第二应变。第三基于III族-氮化物的层如AlGeN或AlN层在GaN层上。第三基于III族-氮化物的层具有比第二基于III族-氮化物的层大的带隙并具有关联的第三应变。第三应变是与第二应变相反的应变类型。在第三基于III族-氮化物的层上可以设置源极接触、漏极接触以及栅极接触。基于氮化物的异质结晶体管具有基于AlGaN的底部限制层,底部限制层上的基于GaN的沟道层以及沟道层上的基于AlGaN的阻挡层,阻挡层具有比底部限制层更高的铝浓度。也提供了制造这种晶体管的方法。
  • 应变平衡氮化物结晶体制造方法

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