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[发明专利]场致发射器件及其形成这种器件的方法-CN200480011329.2无效
发明人： H·M·维斯塞;M·A·维斯楚伦;T·J·文克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：场致发射器件(1)可以用于例如，在场致发射显示器(FED)中发射电子。场致发射端(40)用于在场致发射器件(1)中发射电子。在场致发射器件的运行中，电压施加在具有和场致发射端(40)电接触的第一电极(4)以及第二电极(34)之间以使得场致发射端(40)发射电子。为了形成场致发射端(40)，液体材料层涂覆到具有第一电极(4)的衬底(2)上。用构图印模压印液体材料层并接着被固化以形成场致发射端结构(20)。导电薄膜(38)涂覆在场致发射端结构(20)上以形成具有和第一电极(4)电接触的场致发射端(40)。
发射器件及其形成这种方法

[发明专利]一种光纤波导型光调制场发射纳米阴极及其制备方法-CN201110384129.3有效
发明人：王小力;刘卫华;李昕;贺永宁;魏仙琦;马可 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤波导型光调制场发射纳米阴极及其制备方法。该光调制场发射的纳米阴极是指在光纤表面制作场发射纳米阴极，激光在沿光纤传播的途中将光能传递给场发射阴极，使得处于场发射阈值附近的纳米冷阴极在光场的作用下开启，以实现一种光调制的场发射冷阴极。从而为微波器件以及超快电子衍射系统或超快电子显微技术提供一种新型的微型化高频光脉冲调制场发射冷阴极电子源。
一种光纤波导调制发射纳米阴极及其制备方法

[发明专利]数字发射场智慧管理系统-CN202310405012.1在审
发明人：胡星;匡敏驰;张晓涛;郭京京;余国义;崔彬 -专利权人：重庆信易源智能科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06Q10/0633 文献下载
摘要：本发明提供了数字发射场智慧管理系统，属于管理技术领域。它解决了发射场管理信息化、文档资料电子化、工作流程数字化的问题。数字发射场智慧管理系统，包括岗位模块、用户模块、任务模块、文档模块、角色模块、模板模块、设备模块、数据工厂模块、数据分析模块。数字发射场智慧管理系统在使用过程之中，可对发射场内的所有信息，进行数字化管理。实现发射场工作流程管理的全信息化，同时数字发射场智慧管理系统内所有操作均有留痕，可以追溯系统内所有人员操作，极大的提升发射场管理效率。通过数字发射场智慧管理系统内的数据分析功能，生成的数据驾驶舱界面可以有效利用起发射场中所记录各个数据，帮助发射场内人员完成数据整合与利用的工作，实现发射场的智能化管理。
数字发射场智慧管理系统

[发明专利]场致发射器件-CN200410090325.X有效
发明人：宋润镐;黄治善;金光福 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场致发射器件，包括：阴极，该阴极包括用于发射电子的电场发射极；用于感应电子发射的场致发射感应栅极；和一个用于接收所发射的电子的阳极。场致发射抑制栅极位于阴极和场致发射感应栅极之间，以用于抑制电子发射，这样可以显著地克服在传统场致发射器件中的例如栅极漏电流、阳极电压引起的电子发射和电子束分散的问题。
发射器件

[发明专利]场发射元件及其制备方法-CN200610061306.3有效
发明人：刘亮;姜开利;范守善;陈清龙;李锡福;陈杰良 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一碳纳米管场发射线材及一包覆在该碳纳米管场发射线材外表面的支撑体保护层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管场发射线材；在该碳纳米管线材外表面形成一支撑体保护层；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件
发射元件及其制备方法

[发明专利]一种磁共振射频发射场测量方法及磁共振系统-CN201710524741.3有效
发明人：刘柳;车韶;邹黔;陈俊羽 -专利权人：上海联影医疗科技有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G01R33/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种磁共振射频发射场测量方法及磁共振系统。一方面，该磁共振射频发射场测量方法包括：根据双回聚脉冲自旋回波序列获取射频发射场的图像；从而，根据所述射频发射场的图像沿一方向的信号强度分布，识别射频发射场参数。本发明实施例提供的技术方案能够解决现有技术采用单回聚序列得到的射频发射场的图像只能定性的判断射频发射场均匀程度，而不能定量分析出射频发射场相关参数的问题。
射频发射场磁共振磁共振系统测量图像自旋回波序列定量分析技术采用强度分布相关参数脉冲定性

[发明专利]一种基于异质结的增强型光辅助场发射电子源及其制备方法-CN201710550808.0在审
发明人：戴庆;李驰;白冰;李振军;陈科 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于异质结构的增强型光辅助场发射电子源的器件，包括阴极电极，在阴极电极上制备的场发射材料层，和覆盖在场发射材料层表面的超薄介质薄膜；所述光辅助场发射电子源将光致电子发射和场致电子发射相结合，发射材料内部电子吸收入射光能量，提升了电子能级，降低了场发射的驱动电场，提高了驱动电场的工作频率和调制灵敏度；所述光辅助场发射电子源的制备方法是在场发射材料层表面覆盖一层超薄超薄介质薄膜，在入射光的激发下，发射材料内部电子获得能量形成热电子，越过肖特基势垒注入到超薄介质薄膜的导带，降低表面真空势垒，进而提高场发射电流，电子的场发射性能得到提升。
一种基于异质结增强辅助发射电子及其制备方法

[发明专利]一种基于结构光照明的显微内窥成像方法及系统-CN201910472513.5在审
发明人：杨刚;吴郁清;林立;安昕 -专利权人：苏州精观医疗科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： A61B1/06 文献下载
摘要：一种基于结构光照明的显微内窥成像方法及系统，该方法包括控制第一照明光源和第二照明光源依次发射激发光，并分别产生荧光信号；控制双快门相机对分别产生的荧光信号进行采集并获得两幅图像；对采集到的两幅图像进行处理，获得一帧图像，所述第一照明光源为结构光照明光源，所述第二照明光源为宽场照明光源。该系统包括第一照明光路、第二照明光路、合束光路及成像光路。本发明无需扫描装置，通过结构光照明和宽场照明成像相结合的方式，依次采集荧光信号，只需两幅图像合成就能得到高质量的荧光在焦图像，成像速度快；并且没有针孔挡光，光能利用率高，产生的荧光信号多，荧光成像灵敏度高
照明光源荧光信号两幅图像光照内窥成像照明光路采集荧光宽场显微挡光针孔光能利用率光照明光源成像光路扫描装置荧光成像照明成像组织图像合束光激发光灵敏度帧图像成像快门相机图像发射

[发明专利]基于微透镜阵列封装的LED匀化照明的通信发射系统-CN201410469538.7在审
发明人：蓝天;刘浩杰;倪国强 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于微透镜阵列封装的LED照明通信光源发射(天线)系统的设计方法，该设计方法主要用于照明或室内可见光通信传输的发射系统中。此系统采用多LED阵元芯片空间对称分布，首先对发射模型为朗伯辐射模型的LED光源的照明光场进行初步均匀整形，之后再经过微透镜阵列，得到光强的进一步均匀化处理，得到在一定的接收面积内光强变化不明显的光波或光信号整个系统对LED光源出射光束进行了重新分配，在照明需求下，避免了强光对眼睛的伤害以及避免了达不到照明要求的黑暗区的出现；在传输信号需求下，扩大了信号接收区域，避免信号盲区，并且微透镜制作方便，成本较低。
基于透镜阵列封装 led 照明通信发射系统

[发明专利]一种晶圆检测装置-CN202310736210.6在审
发明人：魏浩东;李延伟;吴天昊;王继周 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆检测装置，包括支撑框架、照明系统、棱镜组件、均光板组件和成像相机；照明系统设于所述支撑框架，且位于支撑框架的一侧，照明系统用于朝支撑框架的另一侧发射光线；支撑框架的另一侧设有开口，成像相机位于支撑框架的另一侧对应所述开口设置，用于接收从所述开口处发射出的光线并成像；所述棱镜组件和所述均光板组件均设于所述支撑框架，所述棱镜组件位于所述均光板组件的上方，所述照明系统发射的光线可依次通过所述棱镜组件和所述均光板组件照射在晶圆上，本发明提供的晶圆检测装置，空间尺寸较小，实现了明场照明，降低了光源功率，提升了系统性能。
一种检测装置

[发明专利]一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺-CN201910554067.2有效
发明人：欧阳威;吴翰;易春蓉;杜小霞 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺，该工艺通过使用不同种类的胶带以及改变胶带处理次数等参数来调控场发射点，并使用砝码压实的手段让胶带和待处理场发射阴极薄膜贴合更加紧密，最大限度地发挥出胶带处理改善场发射性能的作用，达到改善阴极形貌、降低场屏蔽效应并最终提高场发射性能的目的。实验结果证实，本发明提出的工艺对提高场发射性能有着极大的作用，再通过选择最优的胶带处理次数等工艺参数能有效地降低场发射器件的开启和阈值电场强度，从而获得性能优异的场发射器件。
一种处理阴极薄膜提高发射性能工艺

[发明专利]场发射阴极装置及场发射显示器-CN200510035536.8有效
发明人：杜秉初;唐洁;郭彩林;刘亮;胡昭复;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及场发射技术领域。其所提供的一种场发射阴极装置，包括阴极、栅极、位于该两者之间的隔离层以及与阴极电性连接的场发射单元。其中，所述的栅极具有至少一表面与其相邻的场发射单元相对。该种阴极装置可以有效地降低场发射的阈值电压，从而大大提高发射电流密度。本发明还提供有应用上述阴极装置的场发射显示器。
发射阴极装置显示器

[发明专利]具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制备方法-CN201010165816.1无效
发明人：郭太良;叶芸;张永爱;胡利勤;苏艺菁;林贺 -专利权人：福州大学
申请日： 2010-05-08 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制造方法，其将在阴极基板上设有条状的阴极电极，在阴极电极边缘设有场发射体，在有场发射体的阴极电极上设有条状绝缘介质层，在绝缘介质层上设有条状的栅极电极，这样将发射体转移至场发射阴极电极的边缘，充分利用边缘增强效应，增强栅极调控作用，降低场发射阴极开启电场，提高前栅型场发射显示器件的阴极场发射性能，简化工艺程序，降低制造成本。
具有边缘增强效应前栅型场发射阴极结构及其制备方法

[发明专利]基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法-CN201210117860.4有效
发明人：周雄图;郭太良;张永爱;叶芸;李福山;胡利勤;胡海龙;曾祥耀 -专利权人：福州大学
申请日： 2012-04-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法，包括以下步骤：第一步，制作场发射电子源电极；第二步，制备用于接触印刷表面传导场发射电子源的硅橡胶模板；第三步，在硅橡胶模板上制作场发射电子源薄膜，硅橡胶模板吸附有机气体膨胀，产生几纳米到几十纳米宽的裂痕；第四步，在制作场发射电子源电极的平面绝缘基板上自组装一层(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷偶联剂；第五步，把第四部制成的具有裂痕的场发射电子发射源薄膜接触印刷在第五步形成的场发射电子源电极上，最终制成表面传导场发射电子源。其中，场发射电子源电极的制备也可以放在最后完成。该场发射电子源制作方法简单，又可有效避免场发射电子源的破坏和污染。
基于接触印刷转移表面传导发射电子制作方法

[发明专利]以动态场发射装置作为背光源的液晶显示器-CN200610140010.0无效
发明人：郭志彻 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种以动态场发射装置作为背光源的液晶显示器，包含场发射装置及液晶板，所述场发射装置被划分为多个棋盘式的场发射区块，并且所述场发射装置的表面贴合至液晶板，其中各个所述场发射区块分别对应到所述液晶板上的各个显像区块，而各个所述场发射区块根据各个所述显像区块的亮度变化，以动态补偿各个所述显像区块的亮度，由此，以达到提高液晶显示器的动态范围的目的。
动态发射装置作为背光源液晶显示器