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- [发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810160662.3有效
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吕相南;北村陽介;黄晓橹
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德淮半导体有限公司
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2018-02-27
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2020-12-18
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H01L27/146
- 本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的吸收绿光的光电二极管、吸收蓝光的光电二极管、吸收红光的光电二极管及垂直电荷转移层，吸收绿光的光电二极管、吸收红光的光电二极管和垂直电荷转移层间隔分布，吸收蓝光的光电二极管位于吸收红光的光电二极管上且延伸至覆盖垂直电荷转移层；位于半导体衬底上的平坦化层；位于平坦化层上的滤光层和微透镜，滤光层包括绿色滤光器、品红滤光器和蓝色滤光器，绿色滤光器下对应有吸收绿光的光电二极管，品红滤光器下对应有吸收红光的光电二极管，蓝色滤光器下对应有垂直电荷转移层。
- 图像传感器及其形成方法
- [实用新型]基于Boost的零电压转换电路-CN201520179543.4有效
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王怀宝
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燕山大学
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2015-03-23
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2015-10-14
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H02M3/155
- 本实用新型公开了一种基于Boost的零电压转换电路，包括直流电源、控制芯片、主功率开关、升压二极管、升压电感和滤波电容构成的基本Boost变换器；以及辅助开关，谐振电感、辅助二极管、谐振电容构成ZVT-PWM变换器辅助谐振电路；其特征在于，还包括吸收电容和吸收二极管；所述吸收电容高压端连接所述升压二极管的正极，低压端连接所述辅助二极管正极；所述吸收二极管正极与所述辅助开关输出端连接，所述吸收二极管正极与所述辅助二极管正极连接吸收电容缓冲辅助开关的关断过程，实现辅助开关的零电压关断。消除了Boost ZCT-PWM变换器中较大的辅助开关关断损耗，提高了变换器的效率。
- 基于boost电压转换电路
- [实用新型]RCD吸收电路及开关电源电路-CN202220471369.0有效
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林火荣;肖海斌
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华源智信半导体（深圳）有限公司
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2022-03-03
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2022-08-16
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H02M1/32
- 本实用新型提供了一种RCD吸收电路与开关电源电路，其中的RCD吸收电路通过将二极管电路单元设置为包括至少两个二极管电路子单元，所有的二极管电路子单元依次串联连接；每个二极管电路子单元均包括二极管以及与所述二极管并联的分压单元；且所有的二极管均为慢恢复二极管。从而使得该RCD吸收电路既可以在电流和功率小的情况下使用，以获得较好的效率和EMI性能；也可以在电流和功率大的情况下使用，由于电路的反向电压由串联连接的各个二极管电路子单元来进行分摊，单个二极管反向电压降低，反向恢复损耗段时间变短，因而即使在电流和功率大的情况下使用，也能获得较好的效率和EMI性能，同时二极管的发热减小，单个二极管的损耗大大降低。
- rcd吸收电路开关电源
- [发明专利]一种应用于大功率放电机放电回路中的脉冲吸收电路-CN201110352121.9有效
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陈佩忠;陈波;葛宏斌;陈春欢
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上海施能电器设备厂
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2011-11-09
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2013-05-15
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H02J7/00
- 本发明公开的一种应用于大功率放电机放电回路中的脉冲吸收电路，其中放电回路由放电电阻(R1)、IGBT管(Q1)、IGBT开关管(Q1)栅极控制电阻(R2、R3)、阻抗吸收电容(C2)构成，其脉冲吸收电路由二极管(D1、D2)以及脉冲吸收电容(C1)组成，其中二极管(D1)和脉冲吸收电容(C1)串联后连接在蓄电池(V1)的正负极上，二极管(D1)的负极接蓄电池(V1)的正极，二极管(D2)的正极接IGBT开关管(Q1)的漏极，二极管(D2)的负极接二极管(D1)和脉冲吸收电容(C1)的公共端；在二极管(D2)的正极与二极管(D1)的负极之间跨接放电电阻(R1)。在IGBT开关管(Q1)关断时，IGBT开关管(Q1)的漏极通过二极管(D2)向脉冲吸收电容(C1)充电，脉冲吸收电容(C1)存储能量，当充电电压高于电池电压时，通过二极管(D1)向蓄电池(V1)充电，由于蓄电池(V1)可以看做一个大电容，从而有效限制漏极的电压。
- 一种应用于大功率电机放电回路中的脉冲吸收电路
- [实用新型]一种脉冲吸收电路-CN201120441029.5有效
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陈佩忠;陈波;葛宏斌;陈春欢
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上海施能电器设备厂
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2011-11-09
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2012-08-01
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H02J7/00
- 本实用新型公开的一种应用于大功率放电机放电回路中的脉冲吸收电路，其中放电回路由放电电阻(R1)、IGBT管(Q1)、IGBT开关管(Q1)栅极控制电阻(R2、R3)、阻抗吸收电容(C2)构成，其脉冲吸收电路由二极管(D1、D2)以及脉冲吸收电容(C1)组成，其中二极管(D1)和脉冲吸收电容(C1)串联后连接在蓄电池(V1)的正负极上，二极管(D1)的负极接蓄电池(V1)的正极，二极管(D2)的正极接IGBT开关管(Q1)的漏极，二极管(D2)的负极接二极管(D1)和脉冲吸收电容(C1)的公共端；在二极管(D2)的正极与二极管(D1)的负极之间跨接放电电阻(R1)。在IGBT开关管(Q1)关断时，IGBT开关管(Q1)的漏极通过二极管(D2)向脉冲吸收电容(C1)充电，脉冲吸收电容(C1)存储能量，当充电电压高于电池电压时，通过二极管(D1)向蓄电池(V1)充电，由于蓄电池(V1)可以看做一个大电容，从而有效限制漏极的电压。
- 一种脉冲吸收电路
- [实用新型]一种开关尖峰电压吸收电路-CN201320588852.8有效
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罗羽;廖序
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深圳市朗科智能电气股份有限公司
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2013-09-23
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2014-04-02
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H02M1/14
- 本实用新型提出了一种开关尖峰电压吸收电路，包括开关管、与所述开关管连接的吸收单元、与所述吸收单元连接的电压转换单元；所述吸收单元包括第一电阻、第一电容、高频二极管和低频二极管，所述第一电阻和第一电容并联，所述高频二极管和低频二极管同向并联，所述第一电阻和第一电容并联的一端与所述电压转换单元的一端连接，并联的另一端与所述高频二极管和低频二极管同向并联的一端连接，所述高频二极管和低频二极管同向并联的另一端分别与所述电压转换单元的另一端和所述开关管的一端连接实施本实用新型的开关尖峰电压吸收电路，具有以下有益效果：既能吸收漏电感的尖峰电压又能改善EMI问题。
- 一种开关尖峰电压吸收电路
- [发明专利]锗硅感光设备-CN201680051058.6有效
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刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫
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光程研创股份有限公司
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2016-08-04
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2022-06-21
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H01L27/146
- 本发明公开了一种图像传感器阵列，所述图像传感器阵列包括：载体基板；第一组光电二极管，所述第一组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第一组光电二极管包括第一光电二极管，其中所述第一光电二极管包括半导体层，所述半导体层被配置用于吸收处于可见波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子；和第二组光电二极管，所述第二组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第二组光电二极管包括第二光电二极管，其中所述第二光电二极管包括装配在所述半导体层上的锗硅区，所述锗硅区被配置用于吸收处于红外或近红外波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子。
- 感光设备
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