专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于深线性区MOS管的可控电阻电路-CN202211516035.1在审
  • 施刚;于翔 - 骏盈半导体(上海)有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-05-30 - H03H11/46
  • 本公开的实施例提供一种基于深线性区MOS管的可控电阻电路,包括:底层可控模块和扩展层可控模块,其中,底层可控模块,被配置为基于恒定电流信号控制工作在深线性区的第一晶体管的栅源电压来调控第一晶体管的第一导通电阻,第一导通电阻为底层可控电阻;扩展层可控模块,被配置为基于恒定电流信号控制工作在深线性区的第二晶体管的栅源电压来调控第二晶体管的第二导通电阻,第二导通电阻为扩展层可控电阻,扩展层可控电阻的阻值等于底层可控电阻的阻值;底层可控模块与至少一个扩展层可控模块按照底层可控电阻与扩展层可控电阻串联的方式叠加融合。
  • 基于线性mos可控电阻电路
  • [实用新型]可控电阻装置-CN201420257219.5有效
  • 不公告发明人 - 北京中航瑞博航空电子技术有限公司
  • 2014-05-20 - 2014-09-10 - G05B19/07
  • 可控电阻装置包含一组控制信号和多个串联连接的可控电阻对。每个可控电阻对包含一个控制信号,两个并联的电阻和一个可控单刀双掷开关。当控制信号为高电平时,一号电阻接通,二号电阻断开;当控制信号为低电平时,一号电阻断开,二号电阻接通。多个控制信号可以组合变化,使对应的可控电阻对的接入阻值发生变化,从而实现可控电阻装置的接入阻值变化。
  • 可控电阻装置
  • [实用新型]变频器可控硅整流控制装置-CN201120251032.0有效
  • 刘文士 - 刘文士
  • 2011-07-17 - 2012-02-22 - H02M7/162
  • 变频器可控硅整流控制装置,包括有输入电源、电阻RF、可控硅T4、可控硅T1、可控硅T2、可控硅T3、电容C1、电阻R1、母线输出DC+、可控硅、电容Cn、电阻Rn、母线输出DC-、可控硅触发控制模块和控制电源组成输入电源为交流三相电源输入,输入电源中的一相输入端和母线输出DC+之间设置有电阻RF和可控硅T4,电阻RF的一端和可控硅T4的阳极相连。输入电源的另一相连接到可控硅T1,可控硅T1在连接到母线输出DC+之间,连接设置有可控硅T2、可控硅T3、电容C1和电阻R1,可控硅T1又连接可控硅,可控硅T2又连接可控硅,可控硅T3又连接可控硅,电容C1又连接到电容Cn,电阻R1又连接到电阻Rn。
  • 变频器可控硅整流控制装置
  • [发明专利]可控可变电阻装置及电子设备-CN201610629273.1在审
  • 卢君明;洪享;厉祥春 - 上海坚芯电子科技有限公司
  • 2016-08-03 - 2016-11-09 - H01C10/50
  • 本发明涉及电子电路技术领域,公开了一种可控可变电阻装置及电子设备。该可控可变电阻装置包括N个可控可变电阻基本单元,其中,N为大于1的自然数,并且N个可控可变电阻基本单元依次串接;在外部数字控制装置的控制下,可控可变电阻基本单元的阻值为零阻值或固定阻值,N个可控可变电阻基本单元阻值为固定阻值时,可控可变电阻基本单元的固定阻值各不相同。这样,可以方便地对电路板级应用中进行数字控制电阻阻值,方便在需要可变电阻的应用中实现自动化,尤其是在设计高精度可调电阻时,同等精度条件下可以节省很多资源。同时,通过外部数字控制装置进行电阻阻值调节,可实现智能化调节电阻阻值,电阻阻值调节的效率更高,可以避免损坏线路。
  • 可控可变电阻装置电子设备
  • [发明专利]一种绝缘电阻测量电路-CN201510137078.2有效
  • 魏庆环;魏锋;王峥 - 华为技术有限公司
  • 2015-03-27 - 2018-11-16 - G01R27/14
  • 本发明实施例公开了一种绝缘电阻测量电路,包括高压直流电源DC、高精电阻Ri、功率电阻Rj、功率电阻Rk、功率电阻R1、功率电阻R2、可控开关Kp、可控开关Kq、可控开关K1、可控开关K2和控制器;高精电阻Ri、功率电阻Rj和可控开关Kp串联后,一端连接高压直流电源DC的负母线,另一端连接地GND;功率电阻Rk和可控开关Kq串联后,一端连接高压直流电源的正母线,另一端连接地GND;功率电阻R1和可控开关K1串联后,一端连接高压直流电源的负母线,另一端连接地GND;功率电阻R2和可控开关K2串联后,一端连接高压直流电源DC的正母线,另一端连接地GND。采用本发明,可以提高绝缘电阻的测量精度。
  • 一种绝缘电阻测量电路
  • [实用新型]一种单级驱动电路和多级驱动电路-CN201520124171.5有效
  • 李崇新 - 上海致耀照明科技有限公司
  • 2015-03-03 - 2015-07-29 - H05B37/02
  • 本实用新型涉及一种单级驱动电路和多级驱动电路,其中所述单级驱动电路包括:第一电阻,连接在发光元件的供电线路中;第一可控开关,第一可控开关的控制端和输出端分别与第一电阻的两端连接,当第一电阻两端的电压大于或等于预设值时,第一可控开关导通,当第一电阻两端的电压小于预设值时,第一可控开关截止;第二可控开关,第二可控开关的输入端与供电电源连接,第二可控开关的控制端与第一可控开关的输入端连接,第二可控开关的输出端与第一可控开关的控制端连接,当第一可控开关导通时,第二可控开关截止;当第一可控开关截止时,第二可控开关导通;第二电阻,第二电阻的两端分别与第二可控开关的控制端和输入端连接。
  • 一种驱动电路多级
  • [实用新型]微功耗光控开关-CN201120512119.9有效
  • 王雁尘 - 王雁尘
  • 2011-12-11 - 2012-08-08 - H03K17/94
  • 一种微功耗光控开关,采用电阻限流元件,光敏电阻、光耦组件、可控硅阻容元件整合为一体的实用装置,桥整流正极连接可控硅,可控硅负极通过光耦组件中LED接桥整流负极,可控硅控制极经100kΩ电阻连接上拉电阻R2和下拉光敏电阻Rz,光耦组件采用由φ3红光LED与光敏电阻耦合连接的双向可控硅,亮阻时可控硅截止,功耗电流约30uA,暗阻时可控硅导通,光耦组件驱动双向可控硅导通,实现交流开关控制,驱动功耗电流小于1mA
  • 功耗光控开关
  • [发明专利]一种智能端接电阻及控制方法-CN201410239990.4有效
  • 刘春龙;黄洪剑;石岩峰 - 上海吉亿电机有限公司
  • 2014-05-30 - 2017-06-20 - H04L25/02
  • 本发明公开了一种智能端接电阻及控制方法,该智能端接电阻包含一智能投切控制器、一可控上拉电阻及一可控下拉电阻可控上拉电阻包含一可投切电阻和一并联电阻可控下拉电阻包含一可投切电阻和一并联电阻;具体工作时,初始设定为输出切除信号;在发送数据线TXD信号发生低电平跳变时,触发输出投入信号;在接收数据线RXD信号发生低电平跳变时,触发输出切除信号;可控上拉电阻可控下拉电阻中可投切电阻受智能投切控制器输出的投入本发明提供的方案可根据RS‑485通讯电路工作状态自动进行上拉电阻、下拉电阻阻值的切换,极大提升自换向RS‑485通讯电路最大驱动节点数,显著降低驱动功耗。
  • 一种智能端接电阻控制方法
  • [发明专利]可控电阻器及自控温电阻装置-CN201110034009.0有效
  • 黄晓钉 - 北京东方计量测试研究所
  • 2011-01-31 - 2011-09-14 - G05D23/24
  • 本发明提供一种可控电阻器及自控温电阻装置,该可控电阻器包括电阻和加热板,电阻包括电阻壳体,加热板为柔性电热板并贴合在所述电阻壳体的外表面,柔性电热板内置有金属箔电热丝带,电热丝带呈回线排列,柔性电热板设置有电连接端本发明的可控电阻器在使用时无需将其放置在控温罐中就能够实现电阻的恒温,降低了使用成本,增强了其稳定性;本发明涉及的自控温电阻装置的体积大幅度减小,仅为可控电阻器中的电阻的几倍,可以对可控电阻器的温度进行精确调节,实现高稳定度控温,保证了电阻对温度稳定的要求。
  • 可控电阻器自控电阻装置
  • [发明专利]基于可控硅的放电电路-CN201510171410.7有效
  • 赵秋毅;于民东;彭树文;王麟 - 核工业理化工程研究院
  • 2015-04-13 - 2018-04-27 - H02H9/04
  • 本发明公开了一种基于可控硅的放电电路,包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6,电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅,第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联,所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联,Ⅱ号可控硅与电阻R8并联,Ⅲ号可控硅与电阻R9并联,Ⅳ号可控硅与电阻R10并联,Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚,Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动本发明能够保证充磁电源安全性,充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏,驱动电路发出脉冲驱动信号,驱动可控硅的导通,可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻
  • 基于可控硅放电电路
  • [实用新型]一种基于可控硅的放电电路-CN201520240135.5有效
  • 赵秋毅;于民东;彭树文;王麟 - 核工业理化工程研究院
  • 2015-04-13 - 2015-08-05 - H02H9/04
  • 本实用新型公开了一种基于可控硅的放电电路,包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6,电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅,第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联,所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联,Ⅱ号可控硅与电阻R8并联,Ⅲ号可控硅与电阻R9并联,Ⅳ号可控硅与电阻R10并联,Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚,Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的本实用新型能够保证充磁电源安全性,充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏,驱动电路发出脉冲驱动信号,驱动可控硅的导通,可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻
  • 一种基于可控硅放电电路
  • [实用新型]一种双向可控硅的保护电路-CN200920238594.4无效
  • 肖培荣 - 佛山市南庄广昌电器塑料有限公司
  • 2009-11-06 - 2010-08-04 - H02H7/22
  • 本实用新型公开了一种双向可控硅的保护电路,其特征在于,包括双向可控硅,以及与该双向可控硅的两个阳极端并联的压敏电阻,所述双向可控硅和压敏电阻组成的并联电路接入交流电源的火线、零线两端。本实用新型选用氧化锌压敏电阻作为双向可控硅的峰值吸收保护元件,将压敏电阻并联于双向可控硅的双阳极之上,利用压敏电阻的双向压敏特性,对保护对象(双向可控硅)进行峰值电压嵌位,吸收过电压能量,任何时候都能使可控硅上所施加的电压不超过压敏电阻的标称电压值范围,从而达到有效、可靠地保护可控硅的目的。
  • 一种双向可控硅保护电路
  • [发明专利]一种单级驱动电路和多级驱动电路-CN201510094997.6有效
  • 李崇新 - 上海致耀照明科技有限公司
  • 2015-03-03 - 2017-11-10 - H05B37/02
  • 本发明公开了一种用于驱动发光电路的单级和多级驱动电路,其中所述单级驱动电路包括第一电阻,连接在发光元件的供电线路中;第一可控开关,第一可控开关的控制端和输出端分别与第一电阻的两端连接,当第一电阻两端的电压大于或等于预设值时,第一可控开关导通,当第一电阻两端的电压小于预设值时,第一可控开关截止;第二可控开关,第二可控开关的输入端与供电电源连接,第二可控开关的控制端与第一可控开关的输入端连接,第二可控开关的输出端与第一可控开关的控制端连接,当第一可控开关导通时,第二可控开关截止;当第一可控开关截止时,第二可控开关导通;第二电阻,第二电阻的两端分别与第二可控开关的控制端和输入端连接。
  • 一种驱动电路多级

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