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- [发明专利]一种制备二硫化钼薄膜的方法-CN201410766731.7在审
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陈远富;戚飞;刘兴钊;李萍剑;郑斌杰;张万里
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电子科技大学
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2015-08-04
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2015-07-29
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C23C14/24
- 本发明提供一种制备二硫化钼薄膜的方法,在真空环境中,以钼金属颗粒和硫粉末为原料,通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS2薄膜,调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2,使得Mo原子和S原子在加热的衬底上反应生成MoS2分子,获得层数可控的二硫化钼薄膜;本方法通过控制电子束流、热蒸发温度、生长时间,来实现二硫化钼薄膜的层数(厚度)可控;本发明操作简单,厚度可控,可以制备出大面积的、高纯度的单分子层、双分子层及多分子层二硫化钼薄膜;该方法具有反应温度低、节约能源、效率高、操作简单、可控性好、重复性好、批量制备的特点,为二硫化钼在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法
- 一种制备二硫化钼薄膜方法
- [发明专利]一种超疏水聚氯乙烯薄膜的制备方法-CN201410630872.6在审
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袁志庆;王梦蕾;黄娟
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湖南工业大学
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2014-11-11
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2015-01-21
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C08J9/26
- 本发明公开了一种超疏水聚氯乙烯薄膜的制备方法,首先称取一定量聚氯乙烯粉末并将其溶解于溶剂中,形成浓度为10-200g/L的聚氯乙烯溶液;然后将氢氧化铝粉末添加于聚氯乙烯溶液中,搅拌30分钟后,将添加了氢氧化铝粉末的聚氯乙烯溶液流延在干净的玻璃或陶瓷基底上,在相对湿度为60-75%、温度为80-120℃的环境下干燥5-10小时,得到含有氢氧化铝粉末的聚氯乙烯薄膜;再将含有氢氧化铝粉末的聚氯乙烯薄膜在盐酸溶液中浸泡10-20小时,便可得到超疏水聚氯乙烯薄膜与现有技术相比,本发明的超疏水聚氯乙烯薄膜的制备方法工艺简单、成本低廉,具有很好的产业化前景。
- 一种疏水聚氯乙烯薄膜制备方法
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