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[发明专利]一种取样光纤光栅的制作方法-CN200510086447.6无效
发明人：刘艳;简水生 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2005-09-21 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种取样光纤光栅的制作方法特征在于：使用取样周期沿着振幅掩模版的高度方向渐变而占空比不变或取样占空比沿着振幅掩模版的高度方向渐变而取样周期不变的取样振幅掩模版配合高度可控装置，在光栅制作过程中保持取样振幅掩模版与光纤的相对高度不变，制作不同光栅时调整这一相对高度，可以制作出具有不同取样周期或占空比的取样光纤光栅，也可以在光栅制作过程中使取样振幅掩模版与光纤的相对高度根据需要发生实时变化，制作出取样周期或取样占空比沿光纤轴向渐变的取样光纤光栅与已知方法相比，它可以降低普通取样光纤光栅的制作成本，提高灵活性，也可以较为方便的制作出具有轴向渐变占空比或渐变取样周期的复杂取样光纤光栅。
一种取样光纤光栅制作方法

[发明专利]一种非对称取样光栅半导体激光器及其制作方法-CN201210047346.8有效
发明人：周亚亭;陈向飞 -专利权人：常州工学院
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种非对称取样光栅半导体激光器，在激光器有源层顶部上限制层上方的取样光栅分成取样周期相同的等长的两部分；第一部分中的取样光栅占空比为0.5，第二部分中的取样光栅占空比不等于0.5；则在所述第一、第二部分取样光栅中间的相邻光栅区域的间距为D，且所述该间距为D与能改变取样光栅的等效相移值相对应；本发明在激光器端面无法镀膜的情况下，可通过调节所选择等效相移取样光栅激光器两侧取样光栅的取样占空比，来使得激光器从两个端面输出不同功率大小的激光
一种对称取样光栅半导体激光器及其制作方法

[实用新型]一种用以探测样品温度的取样勺-CN202020160239.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用以探测样品温度的取样勺，该用以探测样品温度的取样勺包括取样杆和勺部，取样杆包括把手、取样杆中部和取样杆头部，取样杆头部与勺部连接，该取样勺还包括光栅光纤和普通光纤，光栅光纤与普通光纤连接，光栅光纤靠近取样杆头部，普通光纤靠近把手，光栅光纤通过固定部固定在取样杆中部。当样品中的热量从取样杆头部传递到取样杆中部时，取样杆中部受热伸长，带动固定在其上的光栅光纤伸长，引发光栅光纤的周期变化，从而导致在普通光纤端探测到的反射光谱变化。根据反射光谱变化，可以推导出样品温度。因为光栅光纤的反射光谱对光栅光纤的周期非常敏感，所以本实用新型具有灵敏度高的优点。
一种用以探测样品温度取样

[发明专利]微结构准相位匹配实现多维目标波导光栅和体光栅的制备方法-CN201110104875.2有效
发明人：施跃春;陈向飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：微结构准相位匹配实现多维目标波导光栅和体光栅的制备方法，以普通波导光栅作为种子光栅，在此基础上形成二维或者三维的折射率调制的取样结构即取样光栅；该取样结构取样光栅含有多个影子光栅，选择其中一个影子光栅作为目标等效光栅；在经过取样后的光栅包含很多级次的傅立叶分量即影子光栅，对应的光栅波矢为，所有的这些影子光栅的光栅形貌由改变取样结构而改变；当种子光栅波矢和所需要的二维或者三维光栅波矢之间不匹配情况下，则采用取样结构傅立叶分量中某一傅立叶周期性结构分量来补偿他们之间波矢的不匹配，本发明可应用在具有任意光栅形貌的多维目标波导光栅和体光栅的设计与制造，可简化光栅制作工艺，同时实现当前各种基于光栅的光子器件。
微结构相位匹配实现多维目标波导光栅制备方法

[发明专利]单片集成半导体激光器阵列的制造方法及装置-CN200810156592.0有效
发明人：李静思;贾凌慧;陈向飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：单片集成半导体激光器阵列的制造方法，在激光器阵列中的每个激光器DFB光栅结构采用取样布拉格光栅结构，阵列中每个DFB半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅；DFB半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅作用带宽里，由取样布拉格光栅的取样结构的取样周期决定，改变取样周期就可改变激射波长。使用刻有各种取样图案的掩模板，增大或减小采样周期，使DFB激光器激射波长靠近或远离中心波长，实现不同的波长激射，实现多通道的多波长激光器阵列；本发明在亚微米级精度上实现各种复杂的等效相移，即对应的等效光栅具有
单片集成半导体激光器阵列制造方法装置

[发明专利]基于重构-等效啁啾的半边切趾取样光栅及DFB激光器-CN201510644601.0在审
发明人：刘胜平;陈向飞;陆骏 -专利权人：南京大学（苏州）高新技术研究院
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅及DFB激光器。所述取样光栅中含有通过重构-等效啁啾技术引入的相移，相移位于整个取样光栅中心的+/-5％区域范围内，相移被引入了除0级之外的所有影子光栅中；取样光栅中的切趾是通过先在衬底上制作金属镍为掩膜的取样光栅结构，再经过光刻和干法刻蚀这两步工艺的多次重复制作光栅齿深逐渐变化的取样光栅结构实现的，半边切趾是指只改变取样光栅一侧的光栅齿深变化，即DFB半导体激光器出光端一侧；等效相移区和另外一侧的光栅齿深均采用最大值所述的DFB半导体激光器中含有上面制作的基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅。
基于等效啁啾半边取样光栅 dfb 激光器

[发明专利]相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法-CN201210370711.9有效
发明人：周亚亭;陈向飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移区，取样周期从1微米到数十微米量级；两个取样光栅区的电极连接在一起，但与相移区的电极相隔离；取样光栅区和相移区的有效折射率与长度，分别用nSBG和nP、LSBG和LP来表示；只要改变取样周期P的大小，就能实现对激光器激射波长的初步控制；构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式（DFB）半导体激光器。
相移控制取样光栅半导体激光器及其设置方法

[发明专利]基于重构-等效啁啾和纳米压印制备DFB激光器及阵列的方法-CN201510763227.6在审
发明人：王文轩;陈向飞;刘胜平;施跃春 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：基于重构-等效啁啾和纳米压印技术制备的DFB激光器制备方法，DFB激光器腔的起选模作用的光栅为啁啾光栅结构，DFB激光器腔内起选模作用的光栅是基于重构-等效啁啾和纳米压印技术设计、并制备的取样布拉格光栅；该取样布拉格光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅,该等效光栅中含有对应传统相移的等效相移，等效相移区的位置在取样布拉格光栅中心的+/-15％的区域范围内，制备取样布拉格光栅的基本光栅是通过纳米压印技术制备的；基本布拉格光栅是由纳米压印技术制备的均匀光栅，然后用基于重构-等效啁啾技术设计的取样版进行采样制备目标等效相移的光栅即啁啾光栅。
基于等效啁啾纳米压印制备 dfb 激光器阵列方法

[发明专利]一种取样光纤光栅的制作方法-CN201010575882.6无效
发明人：李玉华;陆培祥;王海岩;刘宁亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种制作取样光纤光栅的方法，属于光纤光栅的制作方法，解决现有制作方法不能灵活控制取样周期的问题。本发明包括布拉格光纤光栅制作步骤、光路组建对准步骤和加工步骤。在所述加工步骤中利用飞秒激光对一段已刻写布拉格光纤光栅的布拉格光纤进行逐点写入，构成取样光纤光栅。取样光纤光栅的周期可以通过计算机控制的微加工平台控制，克服了传统方法不能灵活控制取样周期的不足。本发明为制作特定周期的取样光纤光栅带来了极大的灵活性。
一种取样光纤光栅制作方法

[发明专利]基于重构－等效啁啾技术制备半导体激光器的方法及装置-CN200610038728.9有效
发明人：陈向飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：基于重构－等效啁啾技术制备分布反馈半导体激光器的方法，采用取样布拉格光栅结构，即分布反馈半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅；分布反馈半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅的作用带宽里，等效光栅由重构－等效啁啾技术(REC技术)来设计和制作，取样布拉格光栅具有多个影子光栅，影子光栅之间的波长间隔反比于取样周期和分布反馈半导体激光器波导的有效折射率。本发明易于实现的亚微米级精度上可以实现各种复杂的等效相移，即对应的等效光栅具有λ/4相移。这个等效相移与具有纳米、亚纳米精度的真实相移所起的作用一样。可以避免制作相移光栅的复杂工艺。
基于等效啁啾技术制备半导体激光器方法装置

[发明专利]一种利用电极来实现取样的SBG半导体激光器装置-CN202110378293.7在审
发明人：周亚亭;赵勤贤;刘雨 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电极来实现取样的SBG半导体激光器装置。该激光器装置的种子光栅是普通的均匀光栅，它通过把电极与脊条上方的导电区域设计成取样图案形状，来使得它的光栅结构对光的反馈作用，与一个取样光栅相同。本发明无需在均匀光栅中引入取样结构，就可实现取样光栅对光相同的反馈作用和对激射波长的选择效果。
一种利用电极实现取样 sbg 半导体激光器装置

[发明专利]一种取样光栅的制作方法-CN201110210161.X有效
发明人：陈新荣;李朝明;吴建宏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种取样光栅的制作方法，包括：提供基板，并在所述基板上制作取样光栅；测量所述取样光栅上各个区域的衍射效率；当所述取样光栅上某区域的衍射效率大于预设的衍射效率范围时，对该区域进行研磨，直至该区域的衍射效率在预设的衍射效率范围内本发明的制作方法可以制作出的均匀性较好的取样光栅。
一种取样光栅制作方法

[发明专利]一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法-CN202011064014.1在审
发明人：汤学胜;程媛;黄丽艳;胡强高 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法，激光器包括半导体集成芯片和带有耦合结构的光纤光栅，半导体集成芯片上设有取样光栅区；取样光栅区和光纤光栅为激光器中的模式选择滤波器，取样光栅区具有周期性梳状反射光谱，光纤光栅具有单峰反射光谱，模式选择滤波器合成光谱由取样光栅区反射光谱中一个反射峰的上升沿与光纤光栅单峰反射光谱的下降沿通过游标效应形成，或者由光纤光栅单峰反射光谱的上升沿与取样光栅区反射光谱中一个反射峰的下降沿通过游标效应形成通过采用取样光栅和光纤光栅组合滤波，更容易实现窄带宽的模式选择滤波器，对布拉格光纤光栅带宽要求更低，制作简单、成本低，稳定性好。
一种窄线宽半导体激光器及其制作方法

[发明专利]基于间插多相移啁啾取样光纤光栅的多通道色散补偿器及其应用-CN201610443476.1有效
发明人：李满;余永林 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明提供一种基于间插多相移啁啾取样光纤光栅的多通道色散补偿器，所述多通道色散补偿器的包括输入端、环形器、布拉格光栅区和输出端，其中，布拉格光栅区由m组多相移啁啾取样光纤光栅间插而成；每一组啁啾取样光纤光栅具有相同的取样占空比、取样周期N和光栅总长度。本发明的间插多相移啁啾取样光纤光栅具有更宽的反射谱包络3dB带宽，更好的反射谱平坦度，更多的通道数以及更好的色散补偿效果。因此在WDM系统中能为更多个通道提供更好效果的色散补偿。
基于多相啁啾取样光纤光栅通道色散补偿及其应用

[发明专利]取样保偏光纤布拉格光栅-CN200810050804.7无效
发明人：徐晓峰;雷永庆;韦珏;康智慧 -专利权人：吉林大学
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明的取样保偏光纤布拉格光栅涉及光纤光栅滤波技术领域。结构是在保偏光纤(11)上刻录光纤布拉格光栅，所述的光纤布拉格光栅具有两种周期的结构，即取样周期(12)和光栅周期(13)，在一个取样周期内包含有1～10个光栅周期；一个取样周期的范围为0.1cm～0.2cm，一个光栅周期的范围为100nm～900nm。本发明的取样保偏光纤布拉格光栅，在单一偏振方向具有多个反射通道，可以作为多波长偏振滤波器应用于偏振复用及解复用系统；虽然取样保偏光纤布拉格光栅的造价很低，但可以在偏振复用系统中同时实现偏振分束和选择波长的功能
取样偏光布拉格光栅

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