专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻-CN201610451176.8有效
  • 克伦·雅克布卡纳里克 - 朗姆研究公司
  • 2012-12-17 - 2018-10-02 - H01J37/32
  • 本发明提供了一种用于处理在室中衬底的方法,该室具有至少一个等离子体发生源、用于提供反应性气体进入该室的内部区域的反应性气体源和用于提供非反应性气体进入所述内部区域的非反应性气体源。该方法包括执行混合模式脉冲(MMP)准备阶段,包括使反应性气体流入所述内部区域以及形成第一等离子体以处理被放置在工件夹具上的衬底。该方法还包括执行MMP反应阶段,包括使至少非反应性气体流入所述内部区域以及形成第二等离子体以处理所述衬底,第二等离子体是由在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流形成,在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流少于在所述MMP准备阶段期间的反应性气体流。
  • 等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻
  • [发明专利]等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻-CN201280065464.X有效
  • 克伦·雅克布卡纳里克 - 朗姆研究公司
  • 2012-12-17 - 2014-09-10 - C23C16/00
  • 本发明提供了一种用于处理在室中衬底的方法,该室具有至少一个等离子体发生源、用于提供反应性气体进入该室的内部区域的反应性气体源和用于提供非反应性气体进入所述内部区域的非反应性气体源。该方法包括执行混合模式脉冲(MMP)准备阶段,包括使反应性气体流入所述内部区域以及形成第一等离子体以处理被放置在工件夹具上的衬底。该方法还包括执行MMP反应阶段,包括使至少非反应性气体流入所述内部区域以及形成第二等离子体以处理所述衬底,第二等离子体是由在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流形成,在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流少于在所述MMP准备阶段期间的反应性气体流。
  • 等离子体处理系统中的混合模式脉冲蚀刻
  • [发明专利]准分子UV光反应装置-CN01814678.3无效
  • 大野田忠与;坂井郁夫 - 信越工程株式会社
  • 2001-10-24 - 2003-10-15 - B01J19/12
  • 一种准分子UV光反应装置,自反应性气体供应机构(1)将反应性气体(C)仅集中供应至被照射体(A)上的活性区域(A1),从而在低温环境气氛下促进准分子UV与反应性气体(C)的光化学反应,由于对该化学反应不活泼的区域(A2)不供应反应性气体(C),不致造成浪费,故即使不使用气体供应能力大的反应性气体供应源已足够。因此,能以简单构成且在低温环境气氛下稳定地进行光化学反应
  • 分子uv光反应装置
  • [发明专利]用于原子层沉积的系统和方法-CN201811181548.5有效
  • E·J·C·刘 - ASM IP 控股有限公司
  • 2018-10-11 - 2023-07-07 - C23C16/455
  • 原子层沉积(ALD)方法可以包含将第一反应物蒸气脉冲输送到反应器组件中。向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气。以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体。借助于第一进料管线将所述第一反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件。通过以高于所述第一流动速率的第二流动速率向所述第一非活性气体管线供应所述非活性气体来吹扫所述反应器组件。可以将所述非活性气体的第一部分沿着所述第一反应物气体管线的扩散屏障部分反向馈送以提供在所述第一非活性气体管线上游的惰性气体阀(IGV)。可以借助于所述第一进料管线将所述非活性气体的第二部分馈送到所述反应器组件。
  • 用于原子沉积系统方法

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