“双针型硅压阻”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5007622个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[其他]双针型硅压阻脉动流速测量探头-CN86108892无效
发明人：张训时;黄泽民;张东宁;张自甦 -专利权人：清华大学
申请日： 1986-12-31 - 公布日： 1988-07-20 - 主分类号： G01P5/14 文献下载
摘要：双针型硅压阻脉动流速测量探头是属于测量水流脉动流速探头的技术领域。本发明是对中国专利85200016号“硅压阻脉动流速测量探头”的改进发明。本发明减小了现有技术的探头尺寸；缩小了现有技术两个感压孔之间的距离；只用一只硅压阻器件取代现有技术中的两只硅压阻器件；因此本发明使测量精度大大提高。
双针型硅压阻脉动流速测量探头

[发明专利]双针型硅压阻脉动流速测量探头-CN86108892.1无效
发明人：张训时;黄泽民;张东宁;张自苏 -专利权人：清华大学
申请日： 1986-12-31 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： G01P5/16 文献下载
摘要：双针型硅压阻脉动流速测量探头是属于测量水流脉动流速探头的技术领域。本发明是对中国专利85200016号“硅压阻脉动流速测量探头”的改进发明。本发明减小了现有技术的探头尺寸；缩小了现有技术两个感压孔之间的距离；只用一只硅压阻器件取代现有技术中的两只硅压阻器件；因此本发明使测量精度大大提高。
双针型硅压阻脉动流速测量探头

[发明专利]小体积充油型高温压力传感器芯体及其制作方法-CN202211388712.6在审
发明人：李洪儒;单鹤南;张娜;李永清;何方;刘宏伟;刘妍;金琦;胡延丽;徐海宁;李雪梅;牟丹 -专利权人：沈阳仪表科学研究院有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明属传感器技术领域，尤其涉及一种小体积充油型高温压力传感器芯体及其制作方法，包括玻璃密封型烧结基座（1）、SOI型硅压阻压力敏感芯片（2）、隔离膜片（4）、填充陶瓷（3）及高温硅胶（8）;SOI型硅压阻压力敏感芯片（2）通过高温硅胶（8）固接在玻璃密封型烧结基座（1）的空腔内；在玻璃密封型烧结基座（1）上固定设有引针（7）;在高温硅胶（8）之上固定设有填充陶瓷（3）；SOI型硅压阻压力敏感芯片（2）的电极通过金丝（6）与引针（7）相接；在玻璃密封型烧结基座（1）的顶部固定设有隔离膜片（4）。
体积充油型高温压力传感器及其制作方法

[发明专利]一种基于硅压阻式的压力传感器封装结构-CN201711391591.X在审
发明人：何剑;车湖深 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于硅压阻式的压力传感器封装结构，该结构包括：基座、引脚针、基座盖、硅压阻式压力传感器芯片、基板以及保护介质；其中，在基座内设有一腔体；基板固定于腔体底部；硅压阻式压力传感器芯片固定于基板上，并通过导电性锡球与基板电性连接；引脚针嵌入基座腔体内，并通过导电性锡球与基板电性连接；基座盖设有气孔，固定于基座上，并覆盖腔体的顶部；保护介质充满腔体，包裹并保护硅压阻式压力传感器芯片及基板，通过基座盖上的气孔与外界环境接触以向硅压阻式压力传感器芯片传导压力
硅压阻式压力传感器芯片压力传感器封装结构基座盖基板腔体导电性基板电性引脚针锡球高可靠性基板固定外界环境低成本基座腔传导嵌入体内检测覆盖应用生产

[实用新型]多功能硅压阻复合传感器-CN200420120116.0无效
发明人：郑永辉;陈信琦;唐慧;孙海玮;刘辉;史云肖;孙烈鹏 -专利权人：中国石油天然气集团公司;中国石油兰州炼油化工总厂;沈阳仪表科学研究院
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G01L13/06 文献下载
摘要：一种多功能硅压阻复合传感器主要由硅敏感芯片、双抛玻璃、导压管、基座组成，其特征在于硅敏感芯片7是指在双面抛光的N型硅单晶片的正面注入硼形成P型差压敏感电桥1、静压敏感电桥2，并在两电桥联接处置有温度敏感元件3，硅敏感芯片的差压敏感电桥1能感受到传感器两端的压差，而静压敏感电桥2只能感受到正压端的压力。多功能硅压阻复合传感器是研发高精度、智能化压力变送器的核心技术与基础部件。通过多功能传感器同时测量差压、静压和温度并通过微处理器对静压和温度影响进行补正，实现对压力或差压测量的高精度、高稳定性。
多功能硅压阻复合传感器

[实用新型]头皮针常用针刺手法生物力学参数测试分析系统-CN201120201608.2有效
发明人：黄洋清 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： A61H39/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种头皮针常用针刺手法生物力学参数测试分析系统，包括参数数据采集端，所述参数数据采集端包括MEMS硅压阻式压力传感器、信号调理模块、A/D转换模块、微控制单元、USB接口、内存模块和配套使用的蓝牙模块；所述MEMS硅压阻式压力传感器、信号调理模块、A/D转换模块、微控制单元依次连接；所述微控制单元连接所述USB接口、内存模块和配套使用的蓝牙模块。本实用新型系统采用先进的MEMS硅压阻式压力传感器，不仅能够检测出头皮针常用针刺手法(含飞针直刺)针体受力的生物力学参数值；而且基于蓝牙无线传输技术，实现了无线动态测试分析，解决了有线动态测试分析过程中，医生施针操作不便问题，有利于头皮针名家针刺手法参数保存。
头皮常用针刺手法生物力学参数测试分析系统

[实用新型]双结深光电二极管-CN201922458935.5有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。本实用新型的双结深光电二极管，浅结和深结的结深分别为4μm和1.5μm，光谱峰值14000Å和4650Å，光谱响应灵敏度高。
双结深光电二极管

[实用新型]一种背压型可测量氨水及油脂类介质型传感器-CN202121356945.9有效
发明人：赵靖宇 -专利权人：北京微仪智能科技技术有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背压型可测量氨水及油脂类介质型传感器，属于传感器技术领域，该背压型可测量氨水及油脂类介质型传感器包括管道，管道的圆周表面固定连接有空心筒；圆形孔，圆形孔开设于管道的圆周表面；硅压阻式传感器，硅压阻式传感器位于空心筒和圆形孔的内侧；以及多组稳定机构，多组稳定机构均与硅压阻式传感器连接以减缓管道内介质在背压处的震动对硅压阻式传感器造成的影响从而使其运行更加稳定；本装置相比传统的背压型传感器，可以减缓氨水或油脂类介质由于其粘性较高而在背压处对硅压阻式传感器造成的复杂受力条件而产生的各个方向的震动，从而提高了传感器在氨水及油脂类介质中测量的精度。
一种背压型可测量氨水油脂介质传感器

[实用新型]一种具有防卡舌功能的双头针-CN202222634490.3有效
发明人：崔永青 -专利权人：南通市光阳针业有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： D04B35/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防卡舌功能的双头针，涉及双头针技术领域，包括针柄和设置在针柄一端的针体，针体的一端下侧设置有针钩，针体的一端上侧活动安装有针舌，针舌的下端活动安装有限位组件，针柄的两侧磁性连接有固定组件，操作者在使用双头针时，当双头针的针舌向针钩的内部嵌入时，针舌的下端会先受到抵压块的抵压，随着针舌的不断下降，抵压块会带动阻位板卡在深入槽的槽口上端两侧，且深入槽的槽口形状设置为弧形，在针舌发生下压时，可辅助阻位板阻挡针舌嵌入到针钩的内腔中，防止针舌嵌入，提高双头针使用过程中的稳定性。
一种具有防卡舌功能双头针

[发明专利]双量程硅压阻式压力敏感元件-CN201410330774.0无效
发明人：赵湛;刘成;杜利东;方震;李亮;吴少华;张萌颖 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种双量程硅压阻式压力敏感元件。该双量程硅压阻式压力敏感元件包括：底板，在其中部形成通孔；硅基衬底，其下方中部挖空，在其顶部形成硅膜，硅膜中部的下方形成中空支撑物，该中空支撑物将硅膜分为两部分：内侧区域和外侧区域，该中空支撑物底部的横向尺寸大于所述底板中部通孔的横向尺寸，该硅基衬底的外围固定在所述底板上；以及至少两应变检测电阻，形成于所述硅基衬底的上表面，至少其中之一形成于所述硅膜的外侧边缘，至少其中之一形成于所述中空支撑物的内侧边缘，该至少两应变检测电阻电性连接至外围测量电路本发明双量程硅压阻式压力敏感元件能够适用大压力测量或小压力测量，适用范围较广。
量程硅压阻式压力敏感元件

[发明专利]一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法-CN202110686445.X有效
发明人：许明;孙启民 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：该压力传感器芯片，其包括玻璃衬底、焊盘组件和硅压力应变器。焊盘组件设置在玻璃衬底上，包括第一焊盘和第二焊盘。两个硅压力应变器均安装在玻璃衬底上，且分别位于焊盘组件的两侧。硅压力应变器包括硅应变片和P型压阻片。硅应变片上并排安装有多条P型压阻片。相邻两条P型压阻片的相同端电连接，使得各条P型压阻片依次串联。两个硅压力应变器通过第一焊盘串联，并通过两个第二焊盘分别引出信号线。本发明利用玻璃耐高电压特性及其和硅键合后的稳定性，提高了压力传感器的耐高压性能。
一种压力传感器芯片高压及其制造方法

[实用新型]一种涡街式差压装置-CN202120818680.3有效
发明人：王荣杰 -专利权人：福标测量仪表（上海）有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01F1/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种涡街式差压装置，它包括导管、柱形阻流件、导压管、针型阀、冷凝罐、三阀组；所述导管内焊接柱形阻流件，柱形阻流件的前后端分别焊接导压管，导压管连接针型阀，在测量蒸汽时，针型阀再连接冷凝罐，本实用新型可以实现DN15‑DN50以及DN1000以上的流量测量，本差压装置所要求的前后直管段比标准差压装置小很多，符合涡街流量计的安装方式，阻力损失小，节能，方便使用。
一种涡街式差压装置

[发明专利]一种多操作模式的压电黏度传感器芯片及其工作方法和制备方法-CN202010335079.9有效
发明人：赵立波;黄琳雅;王路;谭仁杰;卢德江;罗国希;杨萍;王永录;王久洪;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01N11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多操作模式的压电黏度传感器芯片及其工作方法和制备方法，包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器。通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜，双压电电极既可用于通入一定频率的交变电压并利用逆压电效应产生压电驱动力，也可将硅微悬臂梁谐振器的振动信号通过压电效应转化为可检测电压信号，四根压阻梁上的四个敏感压阻条通过压阻衔接梁上的金属引线构成惠斯通全桥，用于检测谐振应力并将其转化为电压信号输出，通过压电激励方式可以得到悬臂梁谐振器的面内振动模态，振动电信号的输出采用压电与压阻双检测模式
一种操作模式压电黏度传感器芯片及其工作方法制备

[发明专利]一种压阻式金硅复合纳米梁谐振器及其制作方法-CN201710425764.9有效
发明人：于虹;赵蕴阳;张悦;葛海峰 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明公开了一种压阻式金硅复合纳米梁谐振器及其制作方法，所述谐振器包括一个双端固定的金硅复合纳米梁、匹配电阻(7)、将金硅复合纳米梁上的压阻区和匹配电阻引出的第一铝电极(8)、第二铝电极(9)、第三铝电极(10)、与金硅复合纳米梁顶部金层相连的金电极(11)、与衬底相连的第四铝电极(12)；其层状结构为：在衬底(1)上的两边分别设有氧化牺牲层(2)，在氧化牺牲层(2)上设有单晶硅(3)，在单晶硅(3)中的一边设有压阻区(4)，在单晶硅(3)和压阻区(4)的上部设有氮化硅绝缘层(5)，在氮化硅绝缘层(5)上设有金层(6)。本发明制作工艺简单，在制作小尺寸梁的基础上尽量降低了成本；激励和检测方法简单，不需要复杂的设备，检测和激励间的耦合小；有效增强了压阻效应，降低了检测难度。
一种压阻式金硅复合纳米谐振器及其制作方法

[发明专利]高g值加速度计-CN200510042775.6有效
发明人：赵玉龙;蒋庄德;高建忠;赵立波 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高g值加速度计，该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成；该加速度敏感梁上有对称的台阶，两块电路板对称粘接在台阶上，SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间，硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器，解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。
加速度计

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条