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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置和方法-CN202111645254.5在审
发明人：华伟;陈伟;潘国庆;董永军 -专利权人：南京光宝晶体科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置，包括用于生长大尺寸晶体的晶体生长室、保温以形成温场的温场结构以及为大尺寸晶体生长提供真空生长环境的炉膛结构，温场结构由至少一保温层层叠结合且密闭形成，每个保温层由复数子保温层拼接而成，保温层的中心沿与其径向相对平行方向设置有发热体组件，发热体组件贯穿保温层；晶体生长室基于驱动机构沿温场结构轴向方向发生位移。本发明通过由内外两只发热体构建的双发热体结构，分别在发热体的外侧、顶部和底部分别安装有钨钼反射屏或保温层的方式，使得整个温场区域形成一个温区，构建出晶体生长的核心因素，可以得到结晶高度更高、品质更稳定的晶体
一种发热结构尺寸晶体生长装置方法

[发明专利]一种温感式双温控肿瘤细胞培养装置-CN202211177906.1在审
发明人：陈乾 -专利权人：苏州市立医院
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种温感式双温控肿瘤细胞培养装置，包括温感式显观组件、双模式滑向调控组件、温控培养箱、温控箱和双模式温控组件，所述温控箱设于温控培养箱底壁上，所述双模式温控组件的一端设于温控箱内，所述双模式温控组件的另一端设于温控培养箱内，所述双模式滑向调控组件活动设于温控培养箱内，所述温感式显观组件活动设于温控培养箱上壁上。本发明属于肿瘤细胞培养技术领域，具体是指一种温感式双温控肿瘤细胞培养装置，双模式滑向调控组件延展时，可实现装置内温度均衡式统一，回拢时，实现装置不同区域内的温度不同，同时温感变色区内填充有微胶囊变色颗粒，通过温感变色区能够直观的看到温控培养箱内的温度情况。
一种温感式双温控肿瘤细胞培养装置

[实用新型]一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置-CN202123379288.2有效
发明人：华伟;陈伟;潘国庆;董永军 -专利权人：南京光宝晶体科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置，包括用于生长大尺寸晶体的晶体生长室、保温以形成温场的温场结构以及为大尺寸晶体生长提供真空生长环境的炉膛结构，温场结构由至少一保温层层叠结合且密闭形成，每个保温层由复数子保温层拼接而成，保温层的中心沿与其径向相对平行方向设置有发热体组件，发热体组件贯穿保温层；晶体生长室基于驱动机构沿温场结构轴向方向发生位移。本实用新型通过由内外两只发热体构建的双发热体结构，分别在发热体的外侧、顶部和底部分别安装有钨钼反射屏或保温层的方式，使得整个温场区域形成一个温区，构建出晶体生长的核心因素，可以得到结晶高度更高、品质更稳定的晶体
一种发热结构尺寸晶体生长装置

[发明专利]多温区制冷回路及多温区制冷设备-CN201610952325.9在审
发明人：丁剑波;李大伟;成俊亮;舒国庆;卞伟;刘越 -专利权人：青岛海尔特种电冰柜有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： F25B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种多温区制冷回路及多温区制冷设备。实现提高多温区制冷回路能源利用率高和制冷性能，扩大制冷温度区间以提高通用性。
多温区制冷回路设备

[实用新型]多温区制冷回路及多温区制冷设备-CN201621176820.7有效
发明人：丁剑波;李大伟;成俊亮;彭灿;卞伟;刘越 -专利权人：青岛海尔特种电冰柜有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： F25B5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多温区制冷回路及多温区制冷设备。实现提高多温区制冷回路能源利用率高和制冷性能，扩大制冷温度区间以提高通用性。
多温区制冷回路设备

[发明专利]一种感温感湿手机外壳-CN201310103735.2无效
发明人：许伟岸 -专利权人：许伟岸
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种感温感湿手机外壳，包括壳体，所述壳体的背面设有一凹槽，所述凹槽内设有感温区和感湿区，所述感温区的材料为感温材料，所述的感湿区的材质为硅胶。本发明凹槽内设有感温区和感湿区，感温区的感温材料能随着手机温度的变化而呈现不同的颜色，感湿区的硅胶也能随着手机周围湿度的变化而呈现不同的颜色，以此来提醒手机用户。
一种感温感湿手机外壳

[发明专利]一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法-CN201710421006.X有效
发明人：蒲红斌;杨勇;张珊;邸君杰 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明的公开了一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，包括以下步骤：步骤1、将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉置于二温区；将衬底放在坩埚表面，然后将坩埚放置在三温区；步骤2、将真空管式炉内抽真空，向真空管式炉中通载气进行清洗；步骤3、继续通所述载气，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃；步骤4、设置三温区预蒸发和预成核的温度差为‑150℃～150℃，得气态的MoO_3‑x，其中0温区到130～220℃，得到硫蒸气；将二温区加热到800℃～900℃；将三温区加热到700℃～850℃，得二硫化钼薄膜；步骤6、将一温区、二温区及三温区降至室温。
一种控制二硫化钼薄膜形貌方法

[发明专利]一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法-CN201710421009.3有效
发明人：蒲红斌;杨勇;张珊;邸君杰 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明的公开了一种铒掺杂二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1、将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉及氯化铒粉置于二温区；将衬底放在坩埚表面，然后将坩埚放置在三温区；步骤2、将真空管式炉内抽真空，向真空管式炉中通载气进行清洗；步骤3、继续通所述载气，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃；步骤4、设置三温区预蒸发和预成核的温度梯度为‑150℃～150℃，得气态的MoO_3‑x，其中0温区到130～220℃，得到硫蒸气；将二温区加热到800℃～900℃；将三温区加热到700℃～850℃；步骤6、将一温区、二温区及三温区降至室温，得二硫化钼薄膜。
一种掺杂二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种制备InSeI单晶体的方法-CN202010962172.2有效
发明人：程国峰;周玄;尹晗迪;阮音捷;孙玥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备InSeI单晶体的方法，包括：（1）以单质In、单质Se和单质I2作为原料，均匀混合后置于石英管的一端并抽真空后密封；（2）再将密封后的石英管放入双温区管式炉中，同时将装有原料的一端放置在高温区且另一端放置在低温区，最后经过加热处理后降至室温，得到所述InSeI晶体。
一种制备 insei 单晶体方法

[发明专利]一种自动烤箱结构-CN202111322055.0在审
发明人：姚宇 -专利权人：姚宇
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： A47J37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动烤箱结构，包括烤箱本体，所述烤箱本体内部通过双道设置的隔温板形成烧烤区和动力区，烤箱本体顶盖板和/或前后端盖板能打开，侧向双侧内壁上对称的通过导向齿轮形成闭环的设有输送链条，输送链条外侧设有夹持齿，内侧在动力区被电机驱动，烤箱本体侧向双侧内壁在所述烧烤区内悬空设置有至少两道加热槽，加热槽用于加热其内设置的炭，输送链条呈S形绕过所述加热槽。
一种自动烤箱结构

[发明专利]一种多面体CsPbBr3-CN202110932395.9在审
发明人：刘勇;董顺洪;何加珍 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：其制备为：在双温区管式炉的石英管1内套一个石英管2，卤化铯和卤化铅混合粉末及沉积在基片上的多面体CsPbBr3分别置于石英管2内的两端并分别位于双温区管式炉的上下游区，设定上游区温度为540～700℃，下游区温度为270～330℃，惰性气体氛围中制备得到多面体CsPbBr3@CsPbX3
一种多面体 cspbbr base sub

[实用新型]双温双控植物培养箱-CN201420564337.0有效
发明人：李志军;王然 -专利权人：青岛农业大学
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： A01G9/20 文献下载
摘要：双温双控植物培养箱，包括由保温材料制成的箱体和设置在箱体上的控制系统。所述控制系统包括操作显示界面和中央微处理器，所述中央处理器为89c52单片机传感器。所述箱体内设置第一生长区和第二生长区，第一生长区位于箱体的下部，第二生长区位于箱体的上部。第一生长区形状为长方体盒子形，四周及底部用保温材料制作而成，有密封保温耐腐蚀不漏水功能；内部空间为植物根部生长区，本生长区可用于植物土培和水培。操作显示界面为触摸屏，可在屏上设定和显示各参数；中央微处理器根据设定数据和采集到的数据执行数据处理和计算，并将处理结果输出给各执行单元，从而实现培养箱控温、控湿、控光、控二氧化碳浓度的目的。
双温双控植物培养

[实用新型]冰箱-CN201520734661.7有效
发明人：李兴伟;曹国帅 -专利权人：青岛海尔股份有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： F25D11/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种冰箱，包括：冷藏室，所述冷藏室内具有至少两个温区，所述温区上设有出风口，通过所述温区的出风口连通所述温区的送风风道；设置在所述送风风道中并向所述温区送风的风机；其中，在所述温区的出风口和所述风机之间设有风门，通过所述风门的开闭来调整是否向所述温区中送风。与现有技术相比，本实用新型中冰箱的风道具有多个风门，每个风门对应冰箱内部不同的温区，根据每个温区内的温度控制单元反馈的温度信号驱动对应风门的开闭，使得该温区迅速达到设定温度，过程控制简单，冰箱耗电量降低
冰箱

[实用新型]17温区隧道窑-CN201020679446.9有效
发明人：黄雨生;吴壮雄;罗建伟 -专利权人：江西正拓新能源科技有限公司
申请日： 2010-12-25 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： F27B9/02 文献下载
摘要：一种17温区隧道窑，13温区隧道窑增加4个温区形成有17个温区的隧道窑，隧道窑的两端分别连有过渡仓。本实用新型的技术效果是：将原来的13温区改装成17温区，可更有效、精确的控制隧道窑各段的温度，17温区外头尾各为过渡仓，用来置换保护气体，可有效控制隧道窑的保护气氛。
17 隧道窑

[发明专利]基因扩增仪及其控制方法、计算机可读存储介质-CN202210719151.7在审
发明人：陈瀚;张健;王亮 -专利权人：中元汇吉生物技术股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种基因扩增仪及其控制方法、计算机可读存储介质，其中，基因扩增仪的控制方法包括以下步骤：控制试管支架水平移动至第一加工工位的上方；控制位于第一加工工位的第一温区结构上升至试管支架落入第一温区结构的温区范围内；待所述第一温区结构下降至第一加工工位后，控制试管支架水平移动至第二加工工位的上方；控制位于第二加工工位的第二温区结构上升至试管支架落入第二温区结构的温区范围内；待所述第二温区结构下降至第二加工工位后，控制试管支架水平移动至第三加工工位的上方；控制位于第三加工工位的第三温区结构上升至试管支架落入第三温区结构的温区范围内。
基因扩增及其控制方法计算机可读存储介质

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