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[发明专利]双覆层去耦合结构、双极化天线及天线阵列-CN202111292980.3在审
发明人：褚庆昕;李祎昕 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种双覆层去耦合结构、双极化天线及天线阵列，该双覆层去耦合结构包括第一去耦覆层和第二去耦覆层；所述第一去耦覆层位于天线上方，并形成为天线的部分反射表面，通过引入部分反射抵消天线之间的耦合场；所述第二去耦覆层为一介质层，并位于第一去耦覆层上方，其充当幅度和相位补偿器，通过引入幅度和相位补偿调控去耦频点和去耦带宽，使幅度和相位补偿频点向低频移动，最终通过第二去耦覆层有效提升天线隔离度，折中天线去耦性能和阻抗匹配性能，并实现去耦频点的灵活调节，同时不恶化天线阻抗匹配。
覆层耦合结构极化天线阵列

[发明专利]双极化振子天线-CN200910119394.1有效
发明人：罗英涛;段德钦;艾鸣;肖伟宏 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双极化振子天线，所述双极化振子天线包括反射器，在所述反射器上设有至少一个双极化辐射元，在所述双极化辐射元的一侧设有去耦装置；所述去耦装置包括去耦装置本体，所述去耦装置本体包括至少一个
极化天线

[发明专利]一种对消式去耦芯片-CN202010893375.0有效
发明人：赵鲁豫;刘洋;王璟珂 -专利权人：西安朗普达通信科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种对消式去耦芯片，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部，双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端。所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术制成。本发明通过设计对称分布的双T型微带结构，在两端加入山型去耦结构，该芯片在一定的频带内产生去耦作用，用于多天线系统之间去耦，提高多天线系统之间的隔离度，且去耦结构本身不会影响天线的辐射方向。
一种对消式去耦芯片

[发明专利]用于移动终端的宽频带双天线系统及其去耦方法-CN201310065009.6有效
发明人：杜正伟;王岩 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：用于移动终端的宽频带双天线系统及其去耦方法属于移动终端多天线设计领域，其特征在于，在对介质板纵轴左右对称的两个辐射天线单元之间连接着多条去耦线，各所述去耦线长度不同、线宽均较窄、连接在两个辐射天线单元的低阻抗区域，以抵消在不同频带下的互耦，从而实现宽频带内的低互耦特征，并具体地提出了具有三条去耦线的双天线系统及具有多条去耦线的不同天线结构的去耦方法，具有宽频带内低回波损耗、宽频带内低互耦以及小尺寸的优点，适用于小尺寸移动终端的双天线结构
用于移动终端宽频天线系统及其方法

[发明专利]基于极化转换部分反射面的宽带双极化天线阵列去耦结构-CN202310875687.2在审
发明人：张垚;何晓玲;黄楷;于大全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：基于极化转换部分反射面的宽带双极化天线阵列去耦结构，属于无线通信领域。用于提高紧密排列的宽频带、双极化天线之间的隔离度。包括两层去耦层及两个天线单元组成的天线阵列；第一去耦层位于天线上方位置，根据去耦结构的极化转换特性，可将x极化的入射波可以转化成y极化的反射波，入射波通过去耦层产生两个相互正交偏振反射波，与天线单元间的耦合波抵消，减小相同极化和正交极化天线阵列的耦合；第二去耦层结构位于第一去耦层和天线阵列的中间，两层去耦层实现良好宽频带去耦和阻抗匹配；宽频带、双极化天线单元是巴伦馈电的偶极子结构。通过在相邻两天线单元上方放置两层去耦层结构，有效提高天线单元间的隔离度，解决天线阵列耦合问题。
基于极化转换部分反射宽带天线阵列结构

[发明专利]一种改善基站天线E面耦合的结构-CN202111457163.9在审
发明人：赵鲁豫;袁清 -专利权人：苏州耀欧然科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善基站天线E面耦合的结构，包括地板、去耦金属柱、双极化天线单元，所述去耦金属柱垂直于地板，所述去耦金属柱和双极化天线单元设有多组，所述去耦金属柱位于两个双极化天线单元的中点处，所述去耦金属柱的高度为工作中心频率对应波长的八分之一，而直径则根据实际加入金属柱之后各天线的端口匹配和辐射特性调整，使得加入所述去耦金属柱之后，原始天线的端口回波损耗的变化不超过1分贝，而方向图增益的变化不超过0.5分贝。有效改善周围天线之间的E面耦合，使得E面耦合对应端口的隔离度，提升到23分贝以上，同时，加入去耦金属柱之后，各天线端口的回波损耗的幅度变化小于1分贝，增益的变化小于0.5分贝，改善螺纹基站天线E面耦合。
一种改善基站天线耦合结构

[实用新型]一种改善基站天线E面耦合的结构-CN202123001863.5有效
发明人：赵鲁豫;袁清 -专利权人：苏州耀欧然科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善基站天线E面耦合的结构，包括地板、去耦金属柱、双极化天线单元，所述去耦金属柱垂直于地板，所述去耦金属柱和双极化天线单元设有多组，所述去耦金属柱位于两个双极化天线单元的中点处，所述去耦金属柱的高度为工作中心频率对应波长的八分之一，而直径则根据实际加入金属柱之后各天线的端口匹配和辐射特性调整，使得加入所述去耦金属柱之后，原始天线的端口回波损耗的变化不超过1分贝，而方向图增益的变化不超过0.5分贝。有效改善周围天线之间的E面耦合，使得E面耦合对应端口的隔离度，提升到23分贝以上，同时，加入去耦金属柱之后，各天线端口的回波损耗的幅度变化小于1分贝，增益的变化小于0.5分贝，改善螺纹基站天线E面耦合。
一种改善基站天线耦合结构

[发明专利]去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈-CN201210137278.4有效
发明人：章勇勤;邱本胜;刘新;郑海荣;宋怡彪 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01R33/36 文献下载
摘要：一种去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈，包括交错设置的双微带线单元，所述双微带线单元包括：金属导带及过孔连接件，所述过孔连接件介于所述金属导带之间，连接所述金属导带。金属导带双层布置，过孔连接件穿过金属导带，把上下两层的金属导带连接，形成了双微带线单元。两个双微带线单元相对交错放置，等效于去耦电感。而且双微带线单元成扁平状设置，尺寸更加小巧。
装置基于磁共振射频线圈

[发明专利]一种双极化辐射单元及带有该双极化辐射单元的阵列天线-CN201810996797.3在审
发明人：姜盼;梁启迪;王会霞;钱军 -专利权人：江苏亨鑫科技有限公司;江苏亨鑫无线技术有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极化辐射单元及带有该双极化辐射单元的阵列天线，主要解决的技术问题是现有技术中阵列之间互耦的问题，本发明通过一种双极化辐射单元，包括辐射装置，所述辐射装置包括设置在第一PCB基板上的十字交叉对称设置的阵子臂，所述阵子臂与去耦电路采用直馈方式或者耦合方式连接，所述去耦电路的有效长度为0.02～0.1个波长的技术方案，较好地解决了该问题，可用于阵列天线。
双极化辐射单元阵列天线辐射装置去耦电路阵子臂对称设置十字交叉有效长度耦合方式波长互耦可用

[实用新型]一种双极化辐射单元及带有该双极化辐射单元的阵列天线-CN201821402815.2有效
发明人：姜盼;梁启迪;王会霞;钱军 -专利权人：江苏亨鑫科技有限公司;江苏亨鑫无线技术有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双极化辐射单元及带有该双极化辐射单元的阵列天线，主要解决的技术问题是现有技术中阵列之间互耦的问题，本实用新型通过一种双极化辐射单元，包括辐射装置，所述辐射装置包括设置在第一PCB基板上的十字交叉对称设置的阵子臂，所述阵子臂与去耦电路采用直馈方式或者耦合方式连接，所述去耦电路的有效长度为0.02～0.1个波长的技术方案，较好地解决了该问题，可用于阵列天线。
双极化辐射单元阵列天线本实用新型辐射装置去耦电路阵子臂对称设置十字交叉有效长度耦合方式波长互耦可用

[发明专利]高隔离度紧凑型双单元MIMO天线-CN201811570587.4在审
发明人：寻建晖;陈援非;刘伟荣;葛庆坤 -专利权人：济宁中科智城电子科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，属于无线通信设备技术领域，包括介质基板，介质基板上设有类矩形辐射单元、平面螺旋线去耦结构、地板和微带馈线；其中类矩形辐射单元和平面螺旋线去耦结构位于介质基板的上方，类矩形辐射单元包括两个，设置在介质基板的正面，2个类矩形辐射单元沿介质基板的y轴呈镜像对称；平面螺旋线去耦结构设置在介质基板的正背两面，两面的平面螺旋线去耦结构相连接，且两面的平面螺旋线去耦结构在xoy平面的投影首尾相接，整体呈螺旋折线形，通过加入去耦结构，有效的改善不同频段内天线之间的隔离度，解决了现有技术中出现的问题。
介质基板去耦结构矩形辐射单元平面螺旋线高隔离度无线通信设备镜像对称首尾相接微带馈线隔离度螺旋线折线形频段投影天线地板

[实用新型]高隔离度紧凑型双单元MIMO天线-CN201822156809.X有效
发明人：寻建晖;陈援非;刘伟荣;葛庆坤 -专利权人：济宁中科智城电子科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，属于无线通信设备技术领域，包括介质基板，介质基板上设有类矩形辐射单元、平面螺旋线去耦结构、地板和微带馈线；其中类矩形辐射单元和平面螺旋线去耦结构位于介质基板的上方，类矩形辐射单元包括两个，设置在介质基板的正面，2个类矩形辐射单元沿介质基板的y轴呈镜像对称；平面螺旋线去耦结构设置在介质基板的正背两面，两面的平面螺旋线去耦结构相连接，且两面的平面螺旋线去耦结构在xoy平面的投影首尾相接，整体呈螺旋折线形，通过加入去耦结构，有效的改善不同频段内天线之间的隔离度，解决了现有技术中出现的问题。
介质基板去耦结构矩形辐射单元平面螺旋线高隔离度无线通信设备本实用新型镜像对称首尾相接微带馈线隔离度螺旋线折线形频段投影天线地板

[发明专利]一种双滚转跟踪去耦控制方法及系统-CN202110157182.3有效
发明人：张巍巍;印剑飞;吴昊;杨波;曹熙卿 -专利权人：上海航天控制技术研究所
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：一种双滚转跟踪去耦控制方法，步骤如下：S1计算弹体相对于惯性空间的旋转角速度在惯性系的投影；S2计算弹体相对于惯性空间的旋转角速度在弹体系的投影；S3计算弹体相对于惯性空间的旋转角速度在成像系统系的投影；S4将该速度作为负反馈，闭环到双滚转控制回路中，抵消弹体摆动引起的光轴晃动，实现去耦。利用惯组测量的弹体姿态信息进行去耦解算，无需成像系统内部安装惯性测量元件。相对于框架式产品，双滚转结构上不需要安装速率陀螺等测量元件，既减轻了重量，也减小了制造成本，满足现代产品小型化设计需求。
一种双滚转跟踪控制方法系统

[发明专利]双极化天线单元、天线模组及基站-CN202111397919.5在审
发明人：陈亮;杜子静;李剑荣;熊尚书;崔国情 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本申请提供一种双极化天线单元、天线模组及基站，双极化天线单元包括第一极化辐射单元、第二极化辐射单元和馈电结构。馈电结构包括第一传输带线、第二传输带线和第一去耦枝节；第一极化辐射单元包括与第一传输带线连接的第一辐射正端和接地的第一辐射负端；第二极化辐射单元包括与第二传输带线连接的第二辐射正端和接地的第二辐射负端，第一极化辐射单元和第二辐射负端耦合，以在第二辐射负端产生第一耦合电流；第一去耦枝节的两端分别与馈源、第二辐射负端相连，以提供第二辐射负端第一去耦电流，第一去耦电流用于抵消至少部分第一耦合电流，减少第二辐射负端受到第一极化辐射单元的干扰，以达到双极化天线单元中对不同隔离度的需求。
极化天线单元模组基站

[发明专利]一种扇形微带线去耦电路的设计-CN202011412823.7在审
发明人：赛景波;张繁军;吕明 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：本发明设计一种扇形微带线电源去耦电路，此电路包括四个双扇形微带线结构、5段四分之一波导波长的微带线和介质基板，这种扇形微带线电源去耦电路可以用在射频芯片的直流偏置电路中，它可以防止直流偏置电路影响射频交流电路的阻抗特性采用上述技术方案的扇形微带线去耦频率范围是0.7GHz‑4GHz，具有宽带电源去耦的特点。
一种扇形微带线去耦电路设计

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