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- [发明专利]一种可调谐双频去耦芯片-CN202011118276.1有效
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赵鲁豫;刘洋
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西安朗普达通信科技有限公司
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2020-10-19
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2023-06-09
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H01Q1/52
- 本发明公开了可调谐双频去耦芯片,包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元;所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环,四个金属开口谐振环相互连接在一起,四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上;所述高频去耦单元包括一个口字形金属框,设置在低频去耦单元正下方,口字形金属框四个方向都有开口。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环,并通过低温共烧陶瓷技术,集成芯片,该芯片在一定的频带内产生单负特性,用于天线之间去耦,同时由于在芯片上加载低频和高频两个去耦单元,实现双频段去耦。同时在芯片内部添加PIN二极管,调节芯片的工作频段,实现可调双频去耦。
- 一种调谐双频芯片
- [发明专利]一种谐振式去耦芯片-CN202011118229.7有效
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赵鲁豫;刘洋
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西安朗普达通信科技有限公司
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2020-10-19
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2023-05-30
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H01Q1/52
- 本发明公开了一种谐振式去耦芯片,包括多个周期性的谐振式去耦单元,谐振式去耦单元包括一个王字形去耦结构和两个艹字形微带结构,两个艹字形微带结构对称分布于王字形去耦结构两侧,艹字形微带结构一侧的两个凸起位于王字形去耦结构一侧的两个开槽内。一个艹字形微带结构的外侧两个凸起分别连接相邻天线,另一个艹字形微带结构的外侧两个凸起分别连接天线馈电端。本发明采用两个采用同轴底馈、工作在相同频段的艹字形微带结构沿王字形去耦结构紧密摆放,其中王字形去耦结构是在常规微带结构中产生缺陷而构建的。由于引入折叠槽,微带上的慢波因子增加,从而干扰流过微带结构的电流,这相当于产生一个能够阻止谐振频率下的表明电流的带隙。
- 一种谐振式去耦芯片
- [发明专利]一种对消式去耦芯片-CN202010893375.0有效
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赵鲁豫;刘洋;王璟珂
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西安朗普达通信科技有限公司
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2020-08-31
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2023-05-23
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H01Q1/52
- 本发明公开了一种对消式去耦芯片,包括左右对称分布的双T型微带结构A、B,以及前后对称分布的山型去耦结构C、D;所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽,双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内;双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部,双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端。所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术制成。本发明通过设计对称分布的双T型微带结构,在两端加入山型去耦结构,该芯片在一定的频带内产生去耦作用,用于多天线系统之间去耦,提高多天线系统之间的隔离度,且去耦结构本身不会影响天线的辐射方向。
- 一种对消式去耦芯片
- [发明专利]一种堆叠式去耦网络-CN202010893360.4有效
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刘洋;王璟珂;赵鲁豫
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西安朗普达通信科技有限公司
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2020-08-31
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2023-05-09
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H01Q1/52
- 本发明公开了一种堆叠式去耦网络,包括基板,所述基板上设有口字阵型分布的金属通孔,基板上下两层还分布有金属条带,用于连接相邻金属通孔,使其成为一个整体,构成口字单元;金属条带在相邻的金属通孔之间上、下错落分布。所述口字单元的四个端角向左右两侧延伸有四个连结臂,连结臂同样由金属通孔和金属条带构成,连接方式与口字单元相同。所述基板上的金属通孔在口字阵型的各条边上折线形分布,对应的基板上下两层连接相邻金属通孔的金属条带也按折线形走向。本发明根据现有的正交混合网络的核心原理,通过设计折叠式结构的正交混合网络,并通过低温共烧陶瓷技术,集成芯片,该芯片在一定的频带内产生去耦作用,用于多天线系统之间去耦。
- 一种堆叠式去耦网络
- [发明专利]一种多通道调谐去耦芯片-CN202010644247.2有效
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赵鲁豫;刘洋
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西安朗普达通信科技有限公司
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2020-07-07
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2021-12-21
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H01Q1/52
- 本发明公开了一种多通道调谐去耦芯片,包括多个可调谐电容和可调谐电感,所述可调谐电容按照串联方式与天线相连,可调谐电感按照并联方式与天线连接。所述多通道调谐去耦芯片整体为一长方形,包括若干去耦单元,芯片各个去耦单元包括两个可调谐电容和一个可调谐电感,组成T型去耦电路;T型去耦电路在芯片内部设计成等效的回字型金属开口谐振环,芯片的可调谐电容和可调谐电感分别通过芯片引脚与天线相连。本发明通过调节可调谐电容和可调谐电感的数值大小、串并联方式、元器件数目可以使得在设计者所指定的频段内,天线阵列各单元之间的耦合能够有效降低到20或25分贝以下,从而将天线单元的辐射效率提高10%以上。
- 一种通道调谐芯片
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