专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]量子测量方法及装置-CN202310041537.1在审
  • 刘小康;吴昶亮;展丙男;韦建卫;付敏 - 重庆理工大学
  • 2023-01-11 - 2023-04-28 - G01R33/032
  • 所述方法包括:对原子团进行处理,以使所述原子团的磁矩进行匀速圆周旋转运动,并获取所述原子团的磁矩的角速度;布置第一探测光和第二探测光,所述第一探测光和所述第二探测光用于检测所述原子团的磁矩;获取所述第一探测光检测到所述原子团的磁矩时的第一时刻以及所述第二探测光检测到所述原子团的磁矩时的第二时刻;基于所述第一时刻、所述第二时刻以及所述原子团的磁矩的角速度,确定所述第一探测光和所述第二探测光之间的角度。
  • 量子测量方法装置
  • [发明专利]反铁磁性存储设备-CN201280044787.0有效
  • D·M·艾格勒;A·J·海因里希;S·洛特;C·P·卢茨 - 国际商业机器公司
  • 2012-08-21 - 2017-05-31 - G11B5/65
  • 根据一个实施例的反铁磁纳米结构包括至少两个反铁磁耦合的原子的阵列,其具有至少两种磁性状态,所述磁性状态即使没有与外部结构的交互也能稳定至少一皮秒,阵列具有为零或大约为零的净磁矩,其中阵列具有沿着其最长维度的100个或更少的原子。根据实施例的原子级结构具有为零或大约为零的净磁矩;两个或更多个稳定的磁性状态;并具有一个原子阵列,其具有在沿着一个或多个方向的相邻原子间交替的磁矩。这样的结构可被用来以超高密度存储数据。
  • 铁磁性存储设备
  • [发明专利]阵列基板制备方法和阵列基板-CN202010794733.2有效
  • 王羽培 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2020-08-10 - 2023-08-25 - H01L27/12
  • 本发明实施例提供的阵列基板制备方法包括利用物理气相沉积工艺在衬底基板上制备一半导体层作为有源层,将有源层放置在磁控装置中,磁控装置给有源层提供一旋转的磁场;通过旋转磁场改变有源层中各方向上金属原子磁矩方向,使各方向上金属原子和氧原子磁矩方向相同,增大了有源层的稳定性,缓解了现有阵列基板存在有源层不稳定的技术问题。
  • 阵列制备方法
  • [实用新型]溅镀设备-CN202222314445.X有效
  • 陈昭丞;张皇贤 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2023-04-18 - C23C14/35
  • 本申请提出了一种溅镀设备,通过在腔体外侧设置至少两个磁铁组,且靠近靶材的第一磁铁组的磁通量小于靠近产品的第二磁铁组的磁通量,使得腔体内磁性材料原子先穿过较弱的磁场让磁矩初步排列,再于远离靶材的位置穿过较强的磁场让磁矩进行进一步排列,以此可以提高磁矩排列的一致性。
  • 设备
  • [发明专利]一种Co2VAl半金属表面制备工艺-CN201610020906.9在审
  • 张元敏;韩红培;王红玲 - 许昌学院
  • 2016-01-13 - 2016-06-08 - H01L43/12
  • >2VAl半金属表面制备工艺,包括以下步骤:第一步:构建块材结构,验证Co2VAl的基态是具有半金属特性的铁磁体;第二步:构建表面结构,分别取25、25、23和23个原子层并且厚度为12Å的真空对称性地加在薄膜的两端以避免相邻薄膜层的相互作用;第三步:对上述四种表面进行结构优化,为了尽可能的接近实际,允许外面前5层的原子位置弛豫,其他原子位置固定;第四步:计算优化后的表面结构的态密度、磁矩等物理量;第五步:分析表面结构的态密度、磁矩、自旋极化及稳定性;第六步:通过图形和表格的分析和比较,获得具有100%自旋极化且结构稳定的半金属表面薄膜。
  • 一种cosubval金属表面制备工艺

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