专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种激光原位合成亚微米级球形石墨的制备方法-CN202011194615.4有效
  • 战再吉;吕相哲;曹海要 - 燕山大学
  • 2020-10-30 - 2022-04-01 - C01B32/205
  • 本发明涉及一种激光原位合成亚微米级球形石墨的制备方法,属于激光加工与材料合成技术领域,步骤包括:原料粉末的制备、金属基板的制备和激光原位合成亚微米级球形石墨的制备。本发明利用激光加工技术和原位合成反应,在金属基体内、没有形核剂的辅助下合成了亚微米级球形石墨,制备的球形石墨在金属基体中分散均匀,结构完整,无缺陷,其直径小于1μm;所采用的原位合成反应的原料粉末种类少,反应过程简单高效,并且可根据需要配置不同含量的混合粉末;通过调控加工工艺参数可合成无杂质的球形石墨,也可合成具有纳米铜金属夹层的特殊结构球形石墨。
  • 一种激光原位合成微米球形石墨制备方法
  • [发明专利]一种溶液化学原位反应合成硫化铅薄膜的方法-CN201110213991.8无效
  • 靳正国;王鑫 - 天津大学
  • 2011-07-29 - 2012-04-18 - C01G21/21
  • 本发明公开了一种溶液化学原位反应合成硫化铅薄膜的方法,步骤为:(1)配制前驱体溶液;(2)原位反应制备PbS薄膜,将表面附有铅先质膜的沉积基片垂直浸入硫源阴离子前驱体溶液中进行原位化学反应,10秒后,将沉积基片匀速提拉出反应溶液;用去离子水洗涤,再置于干燥箱中,形成一层PbS反应沉积层;(3)热处理。本发明提供了一种高效、便利、污染小、成本低的PbS薄膜原位化学合成新方法,采用无机盐为先质,醇醚、醇胺为溶剂等低毒性化工原料,在较低的温度下合成硫化铅薄膜,具有溶液沉积反应均一性好、结晶度高、薄膜厚度易于控制的优点
  • 一种溶液化学原位反应合成硫化铅薄膜方法
  • [发明专利]一种激光原位合成洋葱碳的制备方法-CN202210757772.4在审
  • 战再吉;武龙鹏;曹海要 - 燕山大学
  • 2022-06-29 - 2022-11-04 - B22F1/16
  • 本发明涉及一种激光原位合成洋葱碳的制备方法,属于激光加工与材料合成技术领域,步骤包括:(1)原料粉末的配制:原料粉末由金属Ni粉和碳化物SiC粉末组成;(2)金属基板的预处理:选用纯铜基板,进行表面处理,用试样袋封装,避免表面氧化;(3)激光原位合成洋葱碳的制备:将步骤(1)所得的原料粉末预置在步骤(2)所得的金属基板表面,并在氩气保护气氛中进行激光加工,在金属基板表面进行原位合成反应生成洋葱碳。本发明利用激光加工技术和原位合成反应,在镍金属中合成了纳米/微米级洋葱碳,制备的洋葱碳在金属基体中均匀分散,结构完整,其直径从400纳米到2微米。
  • 一种激光原位合成洋葱制备方法
  • [实用新型]一种基于芯片的合成组件及合成机构-CN202220227960.1有效
  • 仇春松;吴丹;赵昕 - 苏州硅基生物科技有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-07-05 - B01J19/00
  • 本实用新型公开了一种基于芯片的合成组件及合成机构,包括进样盖、高通量合成芯片与反应腔体,反应腔体由进样盖覆盖于高通量合成芯片上形成,进样盖上设置多个输液孔,用于供原料试剂加入反应腔体,高通量合成芯片上表面具有与反应腔体对应设置的工作区域,用于原位合成核酸;基于芯片的合成组件还包括第一密封部,设置于进样盖的内侧面与高通量合成芯片的上表面之间,第一密封部的内部边缘与反应腔体的边缘相对应。本实用新型采用高通量合成芯片,无需复杂操作,能够高效快速地原位合成大量目标产物,提高合成通量以及生产效率,降低生产成本;同时,采用第一密封部密封反应腔体,避免外部污染,保证目标产物的纯度和产率。
  • 一种基于芯片合成组件机构

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