“单畴钇钡铜氧”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1100848个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]无磁性立方织构铜镍合金基带及其制备方法-CN01141893.1有效
发明人：杨坚;史锴;刘慧舟;舒勇华;胡广勇 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2001-09-18 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：一种多晶立方织构无磁性铜镍合金基带，其特征在于该铜镍合金基带中的镍的含量小于40重量％，该基带在涂层超导带材应用条件下不具有磁性；该基带具有单一组分立方织构或双轴织构{100}。其方法将高纯度铜和镍采用中频感应熔炼成锭坯；室温下锻造成坯料；定向轧制总加工率≥95％，道次变形量为10％－20％；高温高真空或者N2或A2中结晶退火，退火温度为750℃－1000℃。该基带以满足在此类基带上外延生长高质量钇钡铜氧YBCO厚膜的需要。
磁性立方织构铜镍合金基带及其制备方法

[发明专利]一种有效保护超薄钇钡铜氧薄膜的方法-CN202210319028.6在审
发明人：王丝爽;杨超;王建东;刘雨晴;熊杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供的一种有效保护超薄钇钡铜氧薄膜的方法，属于高温超导薄膜技术领域，利用ALD技术，在100～150℃、0.15Torr下，先充入氧源0.015s，经氩气冲洗60s后，再充入铝源0.003s，之后氩气冲洗
一种有效保护超薄钇钡铜氧薄膜方法

[发明专利]一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法-CN202211707633.7在审
发明人：谭杨;谢修敏;徐强;蒋若梅;黄帅;陈剑;胡卫英;张伟;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法，在薄膜表面首先铺AAO模板，而后确定打孔区域，最后通过刻蚀，在选定的多个打孔区域内形成指定孔径和周期的多孔结构；薄膜为钇钡铜氧YBCO或氮化铌NbN。
一种超导薄膜新型纳米结构制备方法

[发明专利]一种在非织构基底上制备取向高温超导膜层的方法-CN99107799.7无效
发明人：周岳亮;王荣平;王焕华;潘少华;吕惠宾;陈正豪;崔大复;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1999-05-28 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明采用在电场中淀积的方法，在织构或非织构金属基底上制备钇钡铜氧高温超导膜层，使高温超导膜层的取向获得明显改善，超导膜层质量明显提高，从而获得了高临界电流密度。
一种非织构基底制备取向高温超导方法

[发明专利]a轴取向的钇钡铜氧超导厚膜的氧气氛控制制备方法-CN200610117890.X无效
发明人：姚忻;蔡衍卿 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种a轴取向的钇钡铜氧YBCO超导厚膜的氧气氛控制制备方法，利用液相外延生长装置，在纯氧气氛中得到高结晶品质的a轴取向的YBCO厚膜。按照3∶5的钡铜原子比例配置Ba－Cu－O粉末，经研磨煅烧后，放在Y₂O₃坩埚内加热熔化，得到Y－Ba－Cu－O熔体。本发明仅仅通过气氛环境中氧含量的改变，使得在原本处于大气环境下不适合a轴取向厚膜生长的3∶5熔体环境中能在一个较宽的温度范围内得到a轴YBCO厚膜。
取向钇钡铜氧超导氧气控制制备方法

[发明专利]一种高温超导体的制备工艺-CN88102995.5无效
发明人：石万全;柳雪君;刘世祥;伍勇 -专利权人：中国科技大学研究生院
申请日： 1988-05-24 - 公布日： 1991-08-21 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备钇-钡-铜氧化物超导材料的工艺，这种工艺采用在940℃至1050℃之间恒温小于一小时一次烧结的快速烧结方法。
一种高温超导体制备工艺

[发明专利]一种光响应的聚硅氧烷液晶弹性体及其制备方法-CN202310327497.7在审
发明人：黄帅;孙俊杰;黄银亮;杨洪;李全 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08G77/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光响应的聚硅氧烷液晶弹性体及其制备方法，所述聚硅氧烷液晶弹性体为单畴的双网络液晶聚合物，所述单畴的双网络液晶聚合物由多畴的液晶聚合物经偏振紫外光处理后得到；所述多畴的液晶聚合物由液晶聚合物主链
一种响应聚硅氧烷液晶弹性体及其制备方法

[发明专利]钇-钡-铜-氧系超导带材的制造方法-CN87101174.3无效
发明人：赵昌森 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 1987-12-17 - 公布日： 1995-09-27 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明为Y-Ba-Cu-O系超导带材的制造方法，用于制造在液氮温区下工作的Y-Ba-Cu-O系超导带材。本方法采用先将Y-Ba-Cu-O预烧结粉末与基体(镍或镍合金或不锈钢管)通过热轧结合在一起再进行烧结的工艺，与先将预烧结粉末烧结再破碎、轧制的已有工艺比较，省去了破碎工序和相应设备；同时还可采用再加工的方法消除超导带材上的微细裂纹和孔隙，提高已具有超导性能的超导带材的零电阻温度和临界电流密度。
超导制造方法

[发明专利]一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法-CN201210069257.3有效
发明人：陈源清;钱大强;赵万富 -专利权人：江苏天诚线缆集团有限公司;西安理工大学
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法，先制备低氟钆钡铜氧溶液，该溶液采用氧化钆或醋酸钆、醋酸钡、醋酸铜作为起始原料，并采用络合剂，将起始原料溶于溶剂中形成钆钡铜氧含氟溶液，再进行凝胶薄膜的制备及干燥利用本发明提供的方法制备的薄膜表面光滑，具有良好的超导特性，且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制；热处理工艺周期大大缩短，其他方法制备的少氟钆钡铜氧溶液相比，氟含量更低，使得可以通过不到2小时的快速热处理即可完成薄膜的预处理
一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜方法

[发明专利]一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法-CN201210015152.X有效
发明人：陈源清;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法，先制备低氟钆钡铜氧溶液，该溶液采用氧化钆或醋酸钆、醋酸钡、醋酸铜作为起始原料，并采用络合剂，将起始原料溶于溶剂中形成钆钡铜氧低氟溶液，再进行凝胶薄膜的制备及干燥利用本发明提供的方法制备的薄膜表面光滑，具有良好的超导特性，且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制；热处理工艺周期大大缩短，其他方法制备的少氟钆钡铜氧溶液相比，氟含量更低，使得可以通过不到2小时的快速热处理即可完成薄膜的预处理
一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜方法

[发明专利]用于储氢和回收氢的组合物及方法-CN200410103188.9无效
发明人： J·P·莱蒙;W·P·明尼尔;L·N·布鲁尔;S·H·汤森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：这里公开了一种储氢组合物，其包含分布在储存组合物上的催化剂组合物；其中该催化剂组合物包括钙、钡、铂、钯、镍、钛、铬、锰、铁、钴、铜、硅、锗、铑、铑、钌、钼、铌、锆、钇、钡、镧、铪、钨、铼、锇、铱的合金，
用于回收组合方法

[实用新型]超导微波滤波器-CN91218254.7无效
发明人：曹效能;杨彩炳;方希曾;施雁阳 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 1991-07-18 - 公布日： 1992-05-27 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种超导微波滤波器在氧化锆衬底1上沉积有钆钡铜氧模2，所说的钆钡铜氧模2制成切比雪夫型，单元之间为高低阻抗型，将钆钡铜氧模2悬空插入钩槽波导4内。
超导微波滤波器

[发明专利]镨掺杂硅酸氧钇上转换发光材料、制备方法及其应用-CN201310206369.3无效
发明人：周明杰;陈吉星;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：一种镨掺杂硅酸氧钇上转换发光材料，其化学式为Me₂Y₈(SiO₄)₆O₂：xPr³⁺，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素，钙元素，锶元素和钡元素中的一种。该镨掺杂硅酸氧钇上转换发光材料的光致发光光谱中，镨掺杂硅酸氧钇上转换发光材料的激发波长为578nm，在483nm波长区由Pr³⁺离子³P_{0氧钇上转换发光材料的制备方法及使用该镨掺杂硅酸氧钇上转换发光材料的有机发光二极管。}
掺杂硅酸氧钇上转换发光材料制备方法及其应用

[发明专利]钬掺杂硅酸氧钇盐上转换发光材料、制备方法及有机发光二极管-CN201310206312.3无效
发明人：周明杰;陈吉星;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：一种钬掺杂硅酸氧钇上转换发光材料，具有如下化学通式Me₂Y₈(SiO₄)₆O₂：xHo³⁺，其中，x为0.01～0.06，Me为镁元素，钙元素，锶元素和钡元素中的一种。该钬掺杂硅酸氧钇盐上转换发光材料的光致发光光谱中，钬掺杂硅酸氧钇盐上转换发光材料可实现由红外至绿光的长波辐射激发，在490nm的发光峰分别对应的是Ho³⁺离子⁵F₃→⁵I₈的跃迁辐射形成发光峰，本发明还提供该钬掺杂硅酸氧钇盐上转换发光材料的制备方法及使用该钬掺杂硅酸氧钇盐上转换发光材料的有机发光二极管
掺杂硅酸氧钇盐上转换发光材料制备方法有机发光二极管

[发明专利]一种二代高温超导过渡层锆酸镧的制备方法-CN201710036366.8在审
发明人：索红莉;贾强;王毅;马麟;刘敏;郝善朋 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：大大提高了成膜速率，制备成本低，获得的过渡层厚度高具有纳米结构，并且性能稳定，适合未来企业快速生产，为钇钡铜氧高温超导体的产业化应用提供了技术支持。
一种二代高温超导过渡层锆酸镧制备方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top