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[发明专利]易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法-CN201610693560.9有效
发明人：杨万民;杨芃焘 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤本发明了提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钆钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钆钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钆钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钆钡铜氧超导及其制备方法

[发明专利]降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法-CN201310304068.4有效
发明人：杨万民;王妙;李佳伟;杨志娟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded-Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材，将Gd2O3、无水BaO以及CuO三种金属氧化物，在高温状态下直接熔化反应，并在籽晶诱导下进行外延生长，完成单畴钆钡铜氧超导块材生长，整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体，在不降低超导块材性能的前提下，大大缩短了制备时间，简化了操作步骤，提高了超导块材的制备效率，降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
降低单畴钆钡铜氧超导成本制备方法

[发明专利]一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法-CN202010917730.3在审
发明人：王妙;王小梅;杨万民;冯忠岭 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，通过将废弃钆钡铜氧超导块材表面磨平抛光做为固相源坯块，采用顶部籽晶熔渗生长法，固相源坯块在籽晶的作用下重新诱导液相源进行二次单畴化生长。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO2粉，简化了实验环节，最大程度上降低了钆钡铜氧超导块材的制备成本，对于钆钡铜氧高温超导块材今后的发展应用有着重大影响
一种二次化生长钆钡铜氧超导方法

[发明专利]基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN201810059617.9有效
发明人：王妙;王小梅;高平;杨万民 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法，采用顶部籽晶熔渗生长法，通过具有浓度梯度的固相先驱块在径向上存在的温度梯度，使钆钡铜氧超导块材在生长的过程中有效地抑制了Gd/Ba本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO₂粉，简化了实验环节，提高了制备效率，降低了制备成本，达到了制备大尺寸、高性能单畴钆钡铜氧超导块材的目的。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
制备单畴钆钡铜氧超导块材浓度梯度钆钡铜氧超导块制备高性能可用高温超导块材超导性能顶部籽晶固态反应实验环节温度梯度生长有效地熔渗替换

[发明专利]一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN202111402222.2在审
发明人：杨万民;武婷婷;申婷婷 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧GdBCO超导块材的方法，包括如下步骤：步骤一、配制固相源粉；步骤二、配制液相源粉；步骤三、压制固相先驱块；步骤四、压制液相源先驱块；步骤五、压制氧化钇Y2O3传输层；步骤六、压制支撑块；步骤七、压制固相圆柱形支柱过渡层；步骤八、制备钕钡铜氧籽晶；步骤九、装配先驱块；步骤十、渗氧处理；该单籽晶制备小批量的钆钡铜氧GdBCO超导块材，不仅大大提高了单个钕钡铜氧NdBCO籽晶的利用率，也提高了钆钡铜氧GdBCO超导块材的制备效率。
一种籽晶批量制备单畴钆钡铜氧超导方法

[发明专利]用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN200910024034.3有效
发明人：杨万民;李国政 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法，由配制Gd₂BaCuO₅先驱粉、配制液相源粉、压制Gd₂BaCuO₅先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。采用了Yb₂O₃制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导方法

[发明专利]单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法-CN200910024036.2有效
发明人：杨万民;李国政 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Gd₂BaCuO₅先驱粉、配制液相源粉、压制Gd₂BaCuO₅先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。采用Y₂O₃制备液相源粉，提高了液相源粉的利用率，采用了Yb₂O₃制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
单畴钆钡铜氧超导制备方法

[发明专利]简化制备单畴YBCO超导块材的方法-CN201310303997.3有效
发明人：杨万民;李佳伟;蒲茹;杨志娟;王妙;马斌;李哲;刘赢;杨媚 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：一种简化制备单畴YBCO超导块材的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded–Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴YBCO块材，直接采用Y2O3、BaO以及CuO三种金属氧化物，在晶体生长的升温阶段通过固相反应自行合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5，在随后的降温过程中，在籽晶诱导下进行外延生长织构长成单畴块材。本发明在整个超导块材生长过程中不用单独合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5两种先驱粉体，而是将先驱粉体的合成与单畴块材的生长两个环节综合在一个热处理过程中，简化了工艺步骤，节约了时间和能源。本发明可用于制备YBCO超导块材，也可用于制备同一系列的其他高温超导块材，如：钆钡铜氧、钐钡铜氧、钕钡铜氧、镱钡铜氧等。
简化制备 ybco 超导方法

[发明专利]一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法-CN200810150939.0无效
发明人：徐晓燕;卢亚锋;冯建情;张翠萍;于泽铭;熊晓梅 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法，其特征在于采用添加了MgO粉末的钕钡铜氧作为籽晶，采用Sm₂BaCuO₅相、BaCuO₂相和CuO相按一定摩尔比配制同时添加适量CeO₂粉末，混合均匀后单轴向压制成钐钡铜氧预熔块，经粉末熔化工艺生长成为具有单畴组织的钐钡铜氧Sm－Ba－Cu－O块材，后经氧退火处理成单畴钐钡铜氧超导块材采用此方法制备钐钡铜氧超导块材的工艺重复性好，对设备的最高温度要求相对较低，且比较容易获得具有单畴组织形貌的块材样品。
一种单畴钐钡铜氧超导制备方法

[发明专利]易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法-CN201610693174.X有效
发明人：杨万民;杨芃焘;王孝江 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb₂O₃支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钇钡铜氧超导及其制备方法

[发明专利]一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法-CN201710161868.3有效
发明人：杨万民;杨芃焘;李佳伟;陈森林 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及到一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱环、压制固相支撑层、压制液相源先驱块、压制Yb₂O₃支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴稀土钡铜氧超导环、渗氧处理步骤。本发明的底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴稀土钡铜氧超导环的生长；不仅大大简化了环状超导体的制备过程，避免了由块状超导体加工至环状超导体过程中样品被破坏的可能性
一种底部籽晶生长法制备单畴稀土钡铜氧超导方法及其制备

[发明专利]大直径钇钡铜氧超导单畴块材的制备方法-CN200910200509.X无效
发明人：徐克西;吴兴达;左鹏翔 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种大直径钇钡铜氧超导单畴块材的制备方法，属超导陶瓷材料制备技术领域。本发明提供了一种改进型顶部籽晶熔融织构生长大尺寸高温超导单畴块材的方法。本发明采用了一个大尺寸的钐钡铜氧(Sm-Ba-Cu-O)籽晶和一个按照特定化学组分配制而成的钇钡铜氧(Y-Ba-Cu-O)预成型坯体，将前者放置于后者的顶部上面，在高温条件下进行熔融织构法生长。本发明方法能够克服小尺寸籽晶熔融织构法生长过程中容易出现自发成核的难题，有效地实现顶部籽晶熔融织构法生长大尺寸高温超导钇钡铜氧单畴块材。
直径钇钡铜氧超导单畴块材制备方法

[发明专利]可抑制裂纹产生的单畴钐钡铜氧块材的制备方法-CN201310030069.4有效
发明人：杨万民;高洁;王妙;李佳伟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种可抑制裂纹产生的单畴钐钡铜氧块材的制备方法，其采用顶部籽晶熔渗生长法，通过在液相块与固相块之间增加BaCuO2粉压制成的薄片，大大降低了在钐钡铜氧超导块生长阶段液相块与固相块材料因收缩系数不同而产生的相互作用力，从而有效解决了常规方法制备钐钡铜氧超导块过程中出现严重裂纹的问题，制备出表面金属光泽度好、表面四径清楚，径线呈辐射状且无裂纹的单畴钐钡铜氧超导块材，本发明在整个熔渗生长过程仅需制备BaCuO2一种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了效率，而且采用了Yb2O3制备支撑块，在钐钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的坯块，并有效阻止液相的流失。
可抑制裂纹产生单畴钐钡铜氧块材制备方法

[发明专利]一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法-CN201210069257.3有效
发明人：陈源清;钱大强;赵万富 -专利权人：江苏天诚线缆集团有限公司;西安理工大学
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法，先制备低氟钆钡铜氧溶液，该溶液采用氧化钆或醋酸钆、醋酸钡、醋酸铜作为起始原料，并采用络合剂，将起始原料溶于溶剂中形成钆钡铜氧含氟溶液，再进行凝胶薄膜的制备及干燥利用本发明提供的方法制备的薄膜表面光滑，具有良好的超导特性，且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制；热处理工艺周期大大缩短，其他方法制备的少氟钆钡铜氧溶液相比，氟含量更低，使得可以通过不到2小时的快速热处理即可完成薄膜的预处理
一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜方法

[发明专利]一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法-CN201210015152.X有效
发明人：陈源清;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法，先制备低氟钆钡铜氧溶液，该溶液采用氧化钆或醋酸钆、醋酸钡、醋酸铜作为起始原料，并采用络合剂，将起始原料溶于溶剂中形成钆钡铜氧低氟溶液，再进行凝胶薄膜的制备及干燥利用本发明提供的方法制备的薄膜表面光滑，具有良好的超导特性，且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制；热处理工艺周期大大缩短，其他方法制备的少氟钆钡铜氧溶液相比，氟含量更低，使得可以通过不到2小时的快速热处理即可完成薄膜的预处理
一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜方法

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