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[发明专利]硅酸钆单晶体的生长方法-CN200310108771.4无效
发明人：赵广军;徐军;何晓明;介明印;曾雄辉;张连翰;周圣明;庞辉勇;周国清 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种硅酸钆单晶体的生长方法，其特征在于该方法的关键是在提拉法生长硅酸钆单晶体的收尾阶段采用如下程序：在GSO晶体生长后期，即晶体等径部分的长度达到预定尺寸后，按5－50℃/h的升温程序进行晶体的升温生长，晶体的直径逐渐变细，待晶体尾部直径达到与籽晶尺寸相同时，恒温生长约5－30mm长度后，再开始采用缓慢的降温程序将GSO晶体降至室温，最后取出GSO晶体。本发明一方面避免了单晶生长结束时快速提拉或手动提拉造成晶体的开裂；另一方面，由于收尾程序使晶体尾部的形状与肩部对称一致，极大地提高了晶体散热的均匀性，减少了GSO晶体的开裂和解理的几率。从而极大地提高了GSO以及Ce:GSO等晶体的成品率。
硅酸单晶体生长方法

[发明专利]具有抗光降解性的乙二酸氟罗沙星药物盐单晶体-CN202310581668.9在审
发明人：张羽男;孙久乂;刘立新 -专利权人：佳木斯大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07D215/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有抗光降解性的乙二酸氟罗沙星药物盐单晶体，具体地说涉及具有抗光降解性的乙二酸氟罗沙星药物盐单晶体的制备方法及用途。将氟罗沙星与乙二酸按一定摩尔比例溶于水、乙醇和甲醇中的一种、两种或两种以上溶剂混合而成的溶液中，在40‑80℃下恒温水浴并搅拌1‑5小时，待充分反应后，将混合溶液置于适宜环境下挥发，1‑30天后得到无色块状晶体，即为具有抗光降解性的乙二酸氟罗沙星药物盐单晶体。制备所得的具有抗光降解性的乙二酸氟罗沙星药物盐单晶体的化学式为C17H19F3
具有光降解乙二酸氟罗沙星药物单晶体

[发明专利]一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法-CN200410044323.7无效
发明人：李国辉;苏根博;庄欣欣;李征东;贺友平 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，涉及大口径磷酸二氢钾(KH₂PO₄，简称KDP)单晶体的快速生长法。通过在饱和溶液中添加小量的螯合剂磺基水杨酸，通过络合反应使溶液中的影响晶体在高过饱和度下快速生长的三价金属离子(主要是Fe³⁺、Cr³⁺、Al³⁺)形成稳定的络合物，从而提高晶体快速生长的稳定性和晶体的光学质量，使晶体快速生长在普通的慢速生长槽中和纯度较低的原料情况下亦可实现。
一种口径磷酸二氢钾单晶体速生长法

[发明专利]一种掺铥氟化钇钠激光晶体及其制备方法-CN201410060594.5无效
发明人：夏海平;李珊珊;符立;董艳明;唐磊;汪沛渊;彭江涛;张约品 -专利权人：宁波大学
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铥氟化钇钠激光晶体及其制备方法。在NaYF₄晶体中掺入Tm³⁺稀土离子，生成化学式为NaY_(1-α)Tm_αF₄的单晶体。该氟化钇锂单晶体对Tm³⁺离子的溶解度大，具有好的热学、机械与化学稳定性。掺杂于该单晶的稀土离子发光效率高；本发明制备方法采用绝水、绝氧的密封坩埚下降法技术，并对原料进行高温氟化处理，得到几乎不含氢氧根离子与氧化物的高质量晶体。在800nm波长的LD激发下，具有强的1.8μm荧光发射，获得的晶体在1.8μm波段的荧光寿命长，可作为中红外激光晶体应用于激光器件中。
一种氟化激光晶体及其制备方法

[实用新型]一种单晶体硅棒运输设备-CN201420353284.8有效
发明人：张忠安;张忠华 -专利权人：江西豪安能源科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶体硅棒运输设备，包括推车和冷却装置，所述支腿有四个对称安装在车主板的四个角上，所述万向轮安装在支腿上，所述推手有两个焊接在车主板的右侧，所述却装置，是一个柱形框，柱形框由四条竖向框条和三条横向框条围成该单晶体硅棒运输设备，硅单晶生长炉生产的硅棒放到本实用新型的硅棒冷却装置中冷却，可延缓硅棒冷却时间，防止硅棒产生内裂，同时也防止硅棒局部冷却过快造成该局部切片时容易产生碎片和月牙片，影响硅片质量，推车可以及时的将单晶体硅棒运到仓库
一种单晶体运输设备

[发明专利]一种钒硼酸锂钡固溶体及其单晶体制备方法与用途-CN202011445447.1有效
发明人：王坤鹏;范立群;张建秀;任衍彪;李凤丽;刘泳;周利 -专利权人：枣庄学院
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒硼酸锂钡固溶体及其单晶体制备方法与用途,将锂源、钡源、硼酸和五氧化二钒按摩尔比Li:Ba:B:V=2:2:1:1进行配料，于玛瑙坩埚中充分研磨，在马弗炉中煅烧24小时；取出重新研磨，在马弗炉进行高温固相反应，得到纯相的钒硼酸锂钡固溶体；得到的纯相钒硼酸锂钡固溶体破碎，加入助熔剂，在玛瑙坩埚中充分研磨混合均匀，制作晶体生长料棒；料棒引入光学浮区炉，采用助熔剂高压浮区技术生长该固溶体的单晶体，晶体尺寸达到厘米级本发明中的钒硼酸锂钡固溶体及其单晶材料为纯相的低对称单斜结构，无杂质相，非线性光学性能优异。
一种硼酸固溶体及其单晶体制备方法用途

[发明专利]非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法-CN200610024952.2无效
发明人：吴锋;夏长泰;徐军;裴广庆;张俊刚;吴永庆 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al₂O₃)_n，其中n＝1.3，1.53.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al₂O₃原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体选择适当的n值，晶体可形成不同的光学效应和作为不同的材料用途，尤其在n＝3尖晶石同GaN材料之间的晶格失配小，易于加工，可以形成高质量的GaN衬底材料。
化学计量尖晶石单晶体制备方法

[发明专利]生产超纯金属以及由其制造的单晶体的方法-CN200680056690.6无效
发明人：奥列格·弗拉基米罗维奇·阿尼西莫夫;阿纳托利·弗拉基米罗维奇·波波夫;尼古拉·尼古拉耶维奇·斯卡尔金;谢尔盖·谢苗诺维奇·特卡乔夫 -专利权人：先进合金有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C30B30/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产超纯金属以及由其制造的单晶体的方法。本发明涉及冶金和铸造工程，具体涉及生产单晶结构以及与其相关的金属精炼。本发明生产超纯金属和由其制造的单晶体的方法包括当熔体中过冷值大于亚稳度生长范围时在离心压力场中结晶，其中以在熔体中能形成足够的过冷值的方式对引力因子进行选择，所述引力因子等于对应于晶体的线性生长速度的最佳过冷值和生长亚稳度范围之间的差值，其由以右公式确定其中参数A、B、L和M，引力因子Kg，凝固温度T和熔体过冷值ΔT₀是实验获得的，为了实施晶体生长和熔体精炼工艺，熔体的体积以0.02～0.08℃/秒的速度冷却。
生产金属以及制造单晶体方法

[发明专利]用TiO₂超细粉焰熔法人工合成金红石单晶的方法和设备-CN03117997.5无效
发明人：卢铁城;承刚;林理彬;杜斌;邵建军;陈小晋 -专利权人：四川大学;中航电测仪器股份有限公司
申请日： 2003-06-02 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：用TiO₂超细粉焰熔法人工合成金红石单晶体的方法和设备，属于单晶生长及粉体制备技术领域。本发明采用共沉淀法制备了锐钛矿相TiO₂超细粉体。提出了前驱体合成、焙烧等过程中提高粉体纯度、分散性及流动性的技术方案；采用的焰熔法生长技术对现有宝石焰熔炉人工合成方法提出了一整套工艺技术，包括燃烧器、炉煲改造，单晶生长过程及技术参数以及晶体氧化退火脱色工艺等采用本发明提出的TiO₂超细粉体制备技术、焰熔炉及单晶生长相关工艺方法，能合成直径为Φ25－27mm、长度为40－50mm、可见波段光学透过率达60％－70％的大尺寸金红石单晶体。
tio sub 超细粉焰熔法人合成金红石方法设备

[发明专利]SiC籽晶及其制造方法、使该SiC籽晶进行生长而得到的SiC晶锭及其制造方法、以及由该SiC晶锭制造的SiC晶片、具有外延膜的SiC晶片及它们的制造方法-CN202080055202.X在审
发明人：金子忠昭;小岛清 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。
sic 籽晶及其制造方法进行生长得到以及晶片具有外延它们

[实用新型]常温高导电线电缆-CN200420052086.4无效
发明人：曹秉营 -专利权人：山东华能线缆有限公司
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种常温高导电线电缆，该电线电缆导体采用单晶体结构金属材料，因单晶体结构的材料电阻小，能使电线电缆的截流量得到大幅度的提高，能降低电能的传输损耗和衰减。
常温导电电缆

[发明专利]一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用-CN202011437250.3有效
发明人：王坤鹏;张建秀;范立群;任衍彪;李凤丽;刘泳;周利;姚永峰 -专利权人：枣庄学院
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用，将锂源、氧化钆、氧化锆按摩尔比Li:Gd:Zr=7‑15:3:2进行配料，加入助熔剂，于玛瑙坩埚中充分研磨，置于马弗炉中，快速升温至500‑900oC，恒温10‑48小时，以50‑200 oC/h的降温速率冷却到室温，得到纯相的锆酸钆锂微米级的单晶颗粒；得到的纯相锆酸钆锂微米级的单晶颗粒，在玛瑙坩埚中充分研磨混合均匀，制作晶体生长料棒；料棒引入光学浮区炉，采用助熔剂光学浮区技术生长该化合物的单晶体，晶体尺寸达到厘米级。本发明中的锆酸钆锂化合物及其单晶材料为纯相的石榴石结构，无杂质相，电化学性能优异。
一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法应用

[发明专利]钽酸锂单晶体衬底、粘结衬底、粘结衬底的制造方法、和使用粘结衬底的表面声波器件-CN201811245902.6在审
发明人：丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由则;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y‑49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO₃单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的
衬底衬底表面粘结钽酸锂单晶体切向表面声波器件泄漏表面声波表面声波晶体取向浓度差异浓度分布单晶体单偏振波长扩散传播展示制造

[发明专利]具有单晶和多晶体声波谐振器的滤波器及电子设备-CN202110248367.5在审
发明人：班圣光;庞慰 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种滤波器，包括多个体声波谐振器，所述多个体声波谐振器包括至少一个单晶体声波谐振器和至少一个多晶体声波谐振器。所述多个体声波谐振器包括处于滤波器的并联支路上的并联谐振器和处于滤波器的串联支路上的串联谐振器；在所述滤波器的天线端的并联谐振器和/或串联谐振器为单个的单晶体声波谐振器。
具有多晶体声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]一种小檗碱-肉桂酸衍生物单晶体及其制备方法、应用-CN202010743167.2在审
发明人：何勇;杨士伟;高永好;周密;于艳英;张亮亮;方宗华;彭扶云;吴宗好 -专利权人：合肥华方医药科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C07D455/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种小檗碱‑肉桂酸衍生物单晶体及其制备方法、应用，小檗碱‑肉桂酸衍生物单晶体的结构式为：一种小檗碱肉桂衍生物单晶体及其制备方法应用