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[发明专利]半导体集成器件-CN200510096685.5无效
发明人：大泽隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体集成器件，其包括：具有支撑衬底和包埋绝缘膜的SOI(绝缘体上硅)衬底；在SOI衬底上彼此分开形成的NMOSFET、PMOSFET和FBC(浮体元件)；沿着NMOSFET下方支撑衬底中的包埋绝缘膜形成的
半导体集成器件

[发明专利]一种功率集成器件-CN201410037695.0在审
发明人：郑玉宁;陈建国;张枫 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种功率集成器件。该功率集成器件包括半导体层图案和金属层图案，以及位于半导体层图案和金属层图案之间的介质层。通过设置半导体层图案和金属层图案之间的介质层包括抗可动离子绝缘层，使得可动电荷与离子不容易穿透介质层，影响半导体的特性，提高了功率集成器件对于可动电荷与离子的抵抗能力，从而改善了功率集成器件的可靠性。
一种功率集成器件

[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法-CN202210571693.4有效
发明人：胡万春;许亮亮;张留杰;付世启 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，且所述衬底上设置有多个半导体器件；在所述半导体器件上形成介质覆盖层和介质层；蚀刻所述介质覆盖层和所述介质层，形成多个开口，并在所述开口内形成金属层；通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，提高半导体集成器件的性能。
一种半导体集成器件及其制作方法

[实用新型]半导体器件及电子设备-CN202220564646.2有效
发明人：周晟娟 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开涉及电子设备技术领域，具体是关于一种半导体器件及电子设备，所述半导体器件包括：第一集成器件层和第二集成器件层，所述第一集成器件层中设置有第一IPD电容；所述第二集成器件层堆叠于所述第一集成器件层，所述第二集成器件层中设置有第二IPD电容，所述第一IPD电容和所述第二IPD电容经由连接走线相互连接，能够提高半导体器件的IPD电容容值。
半导体器件电子设备

[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法-CN202311061983.5在审
发明人：陈维邦 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件包括：衬底，包括多个有源区；浅沟槽隔离结构，设置在所述有源区之间，所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构高出所述衬底表面，所述第二浅沟槽隔离结构低于所述衬底表面通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，提高半导体集成器件的设计多元化，并提高半导体集成器件的性能。
一种半导体集成器件及其制作方法

[发明专利]半导体集成器件及其形成方法-CN201110382840.5有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体集成器件及其形成方法，其中，半导体集成器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与第一区域对应的第二区域；位于第一区域的半导体衬底表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的栅金属层；位于所述栅介质层和栅金属层两侧的半导体衬底内的源极区和漏极区；位于所述第二区域的半导体衬底表面的电阻，且所述栅介质层和所述栅金属层的总厚度为电阻的厚度的1.1倍至2倍；位于所述栅介质层和栅金属层两侧的半导体衬底表面、且覆盖所述电阻的阻挡层。本发明实施例的半导体集成器件形成方法工艺简单、集成度高，本发明实施例的半导体集成器件性能优良。
半导体集成器件及其形成方法

[发明专利]高压集成器件及其制备方法-CN202011114623.3有效
发明人：刘森;史林森;向可强;刘海彬;刘筱伟 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成器件及其制备方法，高压集成器件包括：半导体基底、低压半导体器件、第一隔离结构、第二隔离结构以及高压器件引出结构，半导体基底包括自下而上设置的半导体衬底、第一绝缘层、中间器件功能层、第二绝缘层以及顶层器件功能层。本发明将低压器件集成在顶层器件功能层中，将高压器件集成在中间器件功能层中，采用双浅沟槽隔离技术及基于半导体基底中的绝缘层，使得高压器件可以不干扰其他区域的器件，中间器件功能层可以集成更高电压的电子器件。另外，基于本发明高压器件与低压器件的设计，不消耗芯片面积，大大增加集成度。
高压集成器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法-CN202310760445.9有效
发明人：陈兴;黄普嵩 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件包括：衬底，且所述衬底上设置有驱动晶体管、负载晶体管和传输晶体管；凹部，设置在所述衬底中，且所述凹部位于所述驱动晶体管和所述负载晶体管的有源区所在的所述衬底中；第一外延层，设置在所述凹部中通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，可提高半导体集成器件的性能和稳定性。
一种半导体集成器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体集成器件的制作方法-CN202210663773.2有效
发明人：林政纬;王振择;杨智强;刘贲 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件的制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有多个半导体器件；在所述半导体器件上形成介质层；蚀刻所述介质层，形成第一类型开口和第二类型开口，所述第一类型开口的深宽比大于所述第二类型开口的深宽比通过本发明提供的一种半导体集成器件的制作方法，提高半导体集成器件的性能。
一种半导体集成器件制作方法

[发明专利]一种钙钛矿-半导体材料的制备方法和应用-CN202210199900.8在审
发明人：陈宇;李梓宁;钟海政 -专利权人：致晶科技（北京）有限公司;北京理工大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿‑半导体集成器件的制备方法，并进一步公开了利用该方法获得的钙钛矿‑半导体集成器件，以及该集成器件的应用。采用本申请所述的制备方法，能够获得均匀、单分子层的硅烷偶联剂修饰层，并进一步利用该修饰层将钙钛矿生长在半导体上。该方法具有工艺简单，制备的集成器件稳定性强，结合能力好等特点，可广泛用于光电探测，照明显示和太阳能光伏等领域，具有优异的应用前景和价值。
一种钙钛矿半导体材料制备方法应用

[实用新型]芯片组合型半导体集成器件-CN201120138544.6无效
发明人：史济云;史骏 -专利权人：史济云;史骏
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：芯片组合型半导体集成器件，该芯片组合型半导体集成器件包括一个塑封体（1）和多个引脚（2），该塑封体（1）内的框架上封装有至少两个相同或不同的半导体器件芯片。本实用新型设计独特、结构新颖，其与现有普通半导体器件制造工艺技术及设备具有很好的继承性、兼容性，它独立于半导体分立器件和集成电路之外，填补了半导体器件的一个空白。
芯片组合半导体集成器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110336426.4在审
发明人：杨昌易;庄博尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：方法包括：形成包括金属化图案的再分布结构；将半导体器件附接到再分布结构的第一侧；用第一密封剂密封半导体器件；在第一密封剂中形成开口，开口暴露再分布结构的金属化图案；在开口中形成导电材料，包括用导电膏至少部分地填充开口；在形成导电材料之后，将集成器件附接到再分布结构的第二侧；用第二密封剂密封集成器件；以及在密封集成器件之后，在导电材料上形成预焊料材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法-CN200810081344.4有效
发明人：拉齐夫·V·约什;许履尘;欧阳旭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：公开了半导体器件和在同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法。该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道，其包括在半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域、以及在半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域，其中第一晶体取向表面与第二晶体取向表面形成夹角，并且器件沟道至少覆盖夹角的交叉点
半导体器件同一芯片集成角形器件平面方法

[发明专利]一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法-CN200410009859.5无效
发明人：赵谦;潘教清;周帆;王宝军;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：a)将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器在同一磷化铟衬底上进行单片集成；b)采用选择区域生长法一次外延生长出铟镓砷磷集成器件多量子阱有源区；c)在集成器件的末级套刻出光窗口，在随后的接触层外延生长中本发明集成器件可作为超短光脉冲光源用于光时分复用(OTDM)和光孤子通信系统。
一种产生超短脉冲单片集成器件制作方法

[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法-CN202310042314.7有效
发明人：张二冬;赖国文;林子荏;徐钲竤;杨智强 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体集成器件包括：衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；多个阱区，设置在所述衬底内；栅极氧化层，设置在所述阱区上；第一栅极结构通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，可提高半导体集成器件的性能和制作良率。
一种半导体集成器件及其制作方法

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