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- [发明专利]抛光半导体晶片两面的方法-CN200910207281.7有效
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J·施万德纳
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硅电子股份公司
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2009-10-23
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2010-06-09
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B24B29/02
- 本发明涉及抛光半导体晶片两面的方法，其包括以下规定顺序的步骤：a)在抛光垫上抛光半导体晶片的背面，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的背面和抛光垫之间引入不含固体的抛光剂溶液；b)在抛光垫上一次抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入不含固体的抛光剂溶液；c)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，由半导体晶片的正面除去微粗糙和微损伤，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液；d)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，精整抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫不含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液
- 抛光半导体晶片两面方法
- [发明专利]生产半导体晶片的方法-CN201080038036.9有效
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J·施万德纳
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硅电子股份公司
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2010-08-11
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2012-05-30
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H01L21/02
- 本发明涉及生产半导体晶片的方法，其包括以下给定顺序的步骤：(a)对从单晶切割出的半导体晶片进行双面去除材料式加工；(b)对半导体晶片的边缘进行倒圆；(c)磨削半导体晶片的正面和背面，其中分别利用晶片固定器将半导体晶片的一个面固定，同时利用磨削工具对另一面进行加工；(d)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片的至少一个面进行抛光；(e)使用蚀刻介质对半导体晶片的双面进行处理，且半导体晶片每一面的材料去除量不大于1μm；(f)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片正面进行抛光，同时使用不含磨料的抛光布但是在将含有磨料的抛光剂引入抛光布与半导体晶片背面之间的情况下对半导体晶片背面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)使用含有牢固粘结的磨料的抛光布对半导体晶片背面进行抛光，同时使用不含牢固粘结的磨料的抛光布在将含有磨料的抛光剂引入抛光布与半导体晶片正面之间的情况下对半导体晶片正面进行抛光。
- 生产半导体晶片方法
- [发明专利]化学机械抛光方法和装置-CN202011042568.1有效
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沙酉鹤;谢越
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上海新昇半导体科技有限公司
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2020-09-28
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2022-02-01
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B24B1/00
- 本发明公开了一种化学机械抛光方法和装置。所述方法包括提供待抛光的半导体晶圆；对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。根据本发明，将半导体晶圆上升到一定高度远离抛光垫进行悬空处理步骤，使半导体晶圆旋转，半导体晶圆表面的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物，脱离半导体晶圆表面，从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤
- 化学机械抛光方法装置
- [发明专利]半导体晶片的生产方法和处理方法-CN201010143294.5有效
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G·皮奇
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硅电子股份公司
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2010-03-17
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2010-12-22
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B24B29/02
- 本发明涉及处理半导体晶片的方法，其包括抛光处理A和抛光处理B；抛光处理A对半导体表面的两侧同时进行材料去除处理，其中使用不含具有研磨作用的物质的抛光衬垫，并加入含有具有研磨作用的物质的抛光剂；抛光处理B对半导体晶片的一侧或两侧进行材料去除处理，其中使用具有微结构表面且不含与半导体晶片接触并比半导体材料更硬的材料的抛光衬垫，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物质的抛光剂。本发明还涉及生产半导体晶片的方法，其包括下列顺序的步骤：(a)将半导体单晶分成晶片；(b)借助于除碎屑处理同时处理半导体晶片的两侧；(c)抛光半导体晶片，其包括抛光处理A和抛光处理B；(d)化学机械抛光半导体晶片的一侧
- 半导体晶片生产方法处理
- [发明专利]一种半导体材料晶片的抛光方法-CN202211359644.0在审
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李伟;高苗苗
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深圳市冠禹半导体有限公司
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2022-11-02
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2023-01-13
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H01L21/02
- 本发明涉及抛光技术领域，且公开了一种半导体材料晶片的抛光方法，包括以下步骤：步骤1)处理包括调配、检测、过滤和加热等工序，步骤4)浸泡抛光，步骤5)喷洗抛光，步骤6)清洗和干燥，步骤7)抛光液的回收。该半导体材料晶片的抛光方法，通过在对半导体材料晶片抛光处理前对抛光液进行处理和检测，包括过滤和加热，使得抛光液保持在较好的状态，在对半导体材料晶片进行抛光打磨，从而提高半导体材料晶片的打磨效果和状态，然后经过两侧的抛光呈现出较好的抛光效果，其次在抛光对半导体材料晶片进行干燥处理以及对抛光液的回收处理，都提高了半导体材料晶片的抛光效果和质量以及方便程度。
- 一种半导体材料晶片抛光方法
- [发明专利]半导体样品的抛光方法-CN201811322962.3有效
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刘慧
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无锡华润上华科技有限公司
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2018-11-08
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2022-03-11
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B24B1/00
- 本发明涉及一种半导体样品的抛光方法，所述方法包括：提供半导体样品和硅片；所述半导体样品内形成有孔结构；所述孔结构内填充有硬度大于预设值的金属材料；在所述半导体样品的表面固定所述硅片；利用绒布对所述半导体样品和所述硅片抛光，直到露出所述半导体样品的孔结构；所述硅片至少覆盖住被抛光掉的所述半导体样品。上述半导体样品的抛光方法，利用绒布抛光该半导体样品时，因半导体样品的表面固定有硅片，故能增大该半导体样品的受力时跟绒布的接触面积，在绒布抛光至该样品的孔结构时，孔结构底部被磨圆的情况可以得到改善，降低对孔结构宽度测量的影响
- 半导体样品抛光方法
- [发明专利]生产半导体晶片的方法-CN201010193354.4有效
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J·施万德纳
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硅电子股份公司
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2010-05-27
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2010-12-29
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H01L21/02
- 一种生产半导体晶片的方法，包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片。b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片的正面和背面为平面，而边缘区域为圆整倾斜表面。c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学-机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8-15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5-5psi。
- 生产半导体晶片方法
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