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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像感测装置以及摄像设备-CN201280050669.0无效
发明人：岸隆史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像感测装置，包括具有微透镜的像素；配置在像素中的多个光电转换区域；以及第一相加部件，用于将来自配置在相同像素中的多个光电转换区域的信号相加；其中，像素配置在行方向和列方向上，在像素间混合有由第一相加部件进行相加的相加读取区域和不由第一相加部件进行相加的独立读取区域，并且从至少一个光电转换区域读取信号，并且独立读取区域中水平方向上像素的数量在行方向上恒定。
图像装置以及摄像设备

[发明专利]相位型衍射元件、其制造方法及摄像装置-CN201080006577.3无效
发明人：赤尾壮介;系井健 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：上述固体化液晶层的特征在于，其由周期性地形成的第1区域(3a)和第2区域(3i)构成，上述第1区域为光学各向异性，上述第2区域为光学各向同性，面内的平均折射率在上述第1区域和上述第2区域中不同。
相位衍射元件制造方法摄像装置

[发明专利]发射辐射的半导体芯片和用于制造发射辐射的半导体芯片的方法-CN201180036778.2无效
发明人： D.艾斯勒;A.普勒斯尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：说明一种发射辐射的半导体芯片（1），其具有载体（5）和布置在载体上的具有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括被设置用于产生辐射的活性区域（23）、n导通区域（21）和布置在n导通区域的背向活性区域在覆盖层上布置用于在外部电接触n导通区域的接触结构（4），并且覆盖层具有至少一个空隙（3），接触结构通过所述空隙延伸至n导通区域。此外说明一种用于制造半导体芯片的方法。
发射辐射半导体芯片用于制造方法

[发明专利]逆变器装置-CN201180035048.0无效
发明人：佐藤正一;南谷佳彦;近藤龙哉 -专利权人：爱信艾达株式会社
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：与逆变器电路被平面配置而形成的逆变器电路单元（3）平行设置的控制电路基板（1）在与基板面的垂直方向观察下，在与逆变器电路单元（3）中的各开关元件的安装区域重叠的区域（14）配置驱动电路，在与上段臂以及下段臂中任意一方的安装区域重叠的区域（15）配置温度检测电路，在与上段臂以及下段臂中任意另一方的安装区域重叠的区域（16）配置电流检测电路（2）。
逆变器装置

[发明专利]成份分析-CN02800115.X无效
发明人： G·W·卢卡森;G·J·普佩尔斯;P·J·卡斯佩尔斯;M·范德沃特;E·伦德林克;M·B·范德马克;R·F·M·亨德里克斯;J·S·科亨 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2002-01-11 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：激发系统发射一个激发光束，以在一个激发周期中激发一个靶区域。监视系统发射一个监视光束，以在一个监视周期中成像靶区域。激发周期和监视周期基本上重叠。因此，可以所激发把靶区域加以成像，形成一个既可显示靶区域也可显示激发区域的成像。根据这一成像，可以把激发光束精确地瞄准于靶区域。
成份分析

[发明专利]聚合物光波导-CN01814594.9无效
发明人： S·弗莱明;I·巴瑟特;M·希斯;M·樊艾克伦伯格 -专利权人：悉尼大学
申请日： 2001-07-20 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G02B6/16 文献下载
摘要：用光纤形式的光波导(10)，有至少部分由聚合物材料构成的至少一种纵向延伸的导光纤芯区域(11)，由聚合物材料构成的纵向延伸纤芯包层区域(12)，和位于纤芯包层区域中的诸如通道状开孔的多个限光元件(15)，该限光元件在纤芯区域的纵向方向延伸并分布在纤芯区域的周围，以及至少大多数的限光元件具有的折射率小于构成纤芯包层区域的聚合物材料折射率。
聚合物波导

[发明专利]信息记录介质及其控制方法-CN200480032921.0无效
发明人：宗广和;须藤正人;井上信治;前田卓治;藤村一哉;井上由纪子;越智诚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：信息记录介质(100)包括：在与数据处理装置(200)之间进行通信的主机接口部(110)；具有用于储存数据的多个记录区域(#1、…、#N)的数据储存部(130)；和储存了与数据储存部的各个记录区域有关的信息的区域信息储存部区域信息储存部(124)储存与数据储存部(130)的各个记录区域的地址属性有关的信息。与地址属性有关的信息是表示，向记录区域存取时被指定的地址的单位(扇区单位或字节单位)的信息。
信息记录介质及其控制方法

[发明专利]视频解码过程中隐藏错误的方法及装置-CN200580038156.8无效
发明人：张大庆 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H04N7/68 文献下载
摘要：本发明所述的一种视频解码过程中隐藏错误的方法，其中该方法包括步骤：接收一帧视频图像，该视频图像中包括一个存在错误的图像区域及一个相邻图像区域；根据一个预定的条件，在该视频图像的一帧参考图像中搜寻该相邻图像区域所对应的一个相似图像区域；和如果没有搜寻到该相似图像区域，则利用该视频图像中的信息来隐藏所述存在的错误，如果搜寻到所述的相似图像区域，则利用该参考图像中的信息来隐藏所述存在的错误。
视频解码过程隐藏错误方法装置

[发明专利]用于制造氢气的方法-CN200780016666.4无效
发明人： J·A·富尔塞斯;R·N·哈珀 -专利权人：英国石油有限公司
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： C01B3/50 文献下载
摘要：描述了用于在包含被选择性氢气可渗透膜分开的第一和第二区域的反应器中由含氢化合物制备氢气的方法，其中产生氢气的反应发生在第一区域和氢气从第一区域通过选择性氢气可渗透膜渗透到第二区域，其中吹扫气物流与渗透的氢气在第二区域中结合，其中在反应器的第二区域中的分压被维持在大于30psi(207kPa)的水平。
用于制造氢气方法

[发明专利]色修正方法以及色修正装置-CN200480043367.6无效
发明人：坂口隆明;青木透;的场成浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H04N9/64 文献下载
摘要：在把色平面区域分割为多个区域，对每个所分割的区域用不同的方法进行修正的色修正方法中，防止由于变换色信号矢量而产生的色偏。判定输入色信号矢量属于由通过色信号平面的原点的区域边界线所分割的色信号平面的哪一个区域，对于判定为输入色信号矢量所属的区域，使用预先设定的修正矩阵，对输入色信号矢量进行变换，从而修正输入色信号矢量，此时
修正方法以及装置

[发明专利]通过地层坍塌接近地下资源-CN200580048366.5无效
发明人： J·A·祖帕尼克 -专利权人： CDX天然气有限公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：通过形成从地面12延伸进入地下区域14的井筒10可以从地面12接近地下区域14。井筒10内提供管柱32，扩孔器40通过管柱32到达地下区域14的特定位置。运行扩孔器在井筒内形成了扩大腔体44，管柱32周围的地下区域14坍塌。可以降低扩大腔体44内的压力以利于地下区域14在管柱32周围坍塌。来自地下区域14的流体可以通过管柱32抽出。
通过地层坍塌接近地下资源

[发明专利]感兴趣区域的视频图像处理用的布尔互补方法和系统-CN200680035329.5无效
发明人： K·L·库尔特纳 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：响应于对数据进行编译，在数据之中至少一个非感兴趣区域可以被识别。随后，与视频图像相关联的至少一个感兴趣区域可以被设计，使得感兴趣区域等效于指示视频图像的数据减去非感兴趣区域，从而允许定义感兴趣区域用以使其图像处理操作集中在视频图像上。感兴趣区域可以包括几何规则形状或不规则形状。
感兴趣区域视频图像处理布尔互补方法系统

[发明专利]制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法-CN200680033944.2无效
发明人：罗伯特·J·P·兰德;马克·范达尔;雅各布·C·胡克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：薄的半导体层(26)被形成在栅极电介质(24)上并且被形成图案于第一区域(16)而不是第二区域(18)中。然后，金属(30)被淀积并被形成图案于第二区域而不是第一区域中。然后，执行全硅化物栅极工艺从而产生在第一区域中的全硅化物栅极结构和在包括淀积金属(30)上全硅化物栅极结构的第二区域中的栅极结构。
制造具有不同金属栅极半导体器件方法

[发明专利]在基板上制造多层器件的方法和系统-CN200380109044.8无效
发明人：萨迪克·M·法里斯 -专利权人：瑞威欧公司
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：多层微机电与微流体器件被制造于具有预定弱粘结区域及强粘结区域的层体的基板上，而器件解构层位于弱粘结区域处或在弱粘结区域上。还公开了在基板上制造具有预定弱粘结区域及强粘结区域的多层集成电路。
基板上制造多层器件方法系统

[发明专利]光学信息存储介质及在其上记录数据的方法-CN03817367.0无效
发明人：李坰根;朴仁植;尹斗燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-07-21 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： G11B7/0045 文献下载
摘要：在该光学信息存储介质中，仅再现区域和可记录区域被包括在除用户数据区域以外的区域中。每次用户数据被完全地记录时，新的关于盘状态的数据被记录在可记录区域中。因此，当新数据被记录时，拾取器能够快速地访问准确的其中将记录新数据的区域。
光学信息存储介质记录数据方法

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