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- [发明专利]器件结构及其制造方法-CN202110587540.4在审
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吴东骏
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2021-05-27
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2021-09-10
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H01L27/088
- 在半导体衬底上的半导体器件上方沉积平坦化介电层。形成穿过平坦化介电层的器件接触通孔结构。在平坦化介电层上方形成平坦介电间隔件衬垫,并且图案化平坦介电间隔件衬垫以在器件接触通孔结构上方的提供开口。在平坦介电间隔件衬垫上方形成蚀刻停止介电衬垫和通孔级介电层。可以通过第一各向异性蚀刻工艺形成穿过通孔级介电层互连通孔腔,第一各向异性蚀刻工艺可以对蚀刻停止介电衬垫具有选择性,并且可以随后通过蚀刻蚀刻停止介电衬垫的第二各向异性蚀刻工艺来延伸互连通孔腔。可以在互连通孔腔中形成互连通孔结构。互连通孔结构的底部外围可以与平坦介电间隔件衬垫中的开口自对准。本申请的实施例还涉及器件结构及其制造方法。
- 器件结构及其制造方法
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