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[发明专利]一种二硅化钼包覆硼化钽-碳化铪球形粉体及其制备方法-CN202110664756.6有效
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;高丽红;朱时珍;委思豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及复合粉体材料技术领域，提供了一种二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体及其制备方法。本发明通过球磨和喷雾干燥造粒制备硼化钽‑碳化铪团聚粉体，然后将团聚粉体进行感应等离子球化处理，实现粉体的烧结致密化，之后在所得硼化钽‑碳化铪球形粉体表面包覆一层二硅化钼包覆层，得到核壳结构的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体。本发明制备的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体致密度以及内聚力高，球形度高，流动性好，满足等离子喷涂对于粉体的要求，且二硅化钼的熔点低于硼化钽，在等离子喷涂过程中，可以熔化的更加充分，提高涂层的致密性，二硅化钼包覆层还可以抑制等离子喷涂过程中碳化铪的挥发，降低碳化铪的损失。
一种二硅化钼包覆硼化钽碳化球形及其制备方法

[发明专利]宽温域抗氧化二氧化硅包覆二硅化钼粉体的制备方法-CN202210902938.7有效
发明人：张睿;郑添;汪奇尧;金双玲;王晓瑞;金鸣林 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温域抗氧化高发射率二氧化硅包覆二硅化钼粉体的制备方法：①将二硅化钼粉末分散在由乙醇、氨水和导向剂四丙基溴化铵组成的溶液中；②将四乙氧基硅烷用一定量乙醇稀释；③搅拌条件下将步骤②所得的溶液滴加到步骤①所得分散液中，其中，四乙氧基硅烷水解缩聚形成二氧化硅并包覆在二硅化钼颗粒外表面；④经离心分离，水和乙醇洗涤，并烘干得到二氧化硅包覆二硅化钼样品；⑤将步骤④得到的样品在空气中高温热处理得到二氧化硅包覆二硅化钼粉体
宽温域抗氧化二氧化硅包覆二硅化钼粉体制备方法

[发明专利]一种碳纤维粉增强二硅化钼基复合材料的制备方法-CN201710764465.8有效
发明人：孙卫康;董会娜;张东生;姚栋嘉;牛利伟;吴恒;刘喜宗 -专利权人：巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明属于二硅化钼基复合材料的制备领域，公开了一种碳纤维粉增强二硅化钼基复合材料的制备方法。将液态酚醛树脂分散于无水乙醇中；将MoSi2粉加入所得溶液中，40~60℃搅拌均匀；将碳纤维粉加入所得溶液中，60~80℃继续搅拌，直至浆料粘稠不能搅拌为止；将浆料烘干，造粒过筛，将所得颗粒粉置于模具中，压制成型，得到坯体；用硅粉和钛粉的混合粉包覆坯体，置于石墨坩埚中，在真空1550~1650℃下反应1~3 h，即得到碳纤维增强二硅化钼基复合材料。本发明具有工艺简单、操作方便等优点，C/MoSi2同时具有碳纤维和二硅化钼的优点，并且克服了MoSi2脆性较大等缺陷。
一种碳纤维增强二硅化钼基复合材料制备方法

[发明专利]一种选区自蔓延合成二硅化钼粉体的方法-CN201610729103.0有效
发明人：武洲;曹维成;王娜 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种选区自蔓延合成二硅化钼粉体的方法，具体按照以下步骤实施：分别称取钼粉、硅粉及PVA粉；将称取的PVA粉添加到去离子水中形成PVA溶胶；将称取的钼粉和硅粉添加到PVA溶胶中，形成钼硅粉PVA料浆；利用旋转雾化干燥设备对得到的钼硅粉PVA料浆进行旋转喷雾干燥造粒处理，得到硅粉‑钼粉混合颗粒；对得到的硅粉‑钼粉混合颗粒进行脱胶处理；对脱胶后的颗粒物进行选区自蔓延合成，得到二硅化钼；对得到二硅化钼依次进行破碎、球磨、筛分处理得到二硅化钼粉体。本发明的方法能制备出单相高纯二硅化钼粉体，具有合成率高、球磨处理时间短、效率高及品质高的特点。
一种选区蔓延合成二硅化钼粉体方法

[发明专利]一种焰流自反应生成硼化钼碳化钼涂层的等离子喷涂材料-CN202011360021.6在审
发明人：黄新春;李朝雄;黄章峰;杨现猛;王卫泽 -专利权人：安徽盈锐优材科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种焰流自反应生成硼化钼碳化钼涂层的等离子喷涂材料，包括钼粉复合包覆碳化硼粉末，所述钼粉复合包覆碳化硼粉末在等离子焰流中的反应制备出硼化钼碳化钼复合耐磨涂层；所述钼粉复合包覆碳化硼粉末为核壳结构式钼粉复合包覆碳化硼粉末，且所述钼粉复合包覆碳化硼粉末的核芯为碳化硼，表面包覆超细钼粉。本发明提供的一种焰流自反应生成硼化钼碳化钼涂层的等离子喷涂材料与传统的固态产品相比，本发明以采用该粉末制备的硼化钼碳化硼复合耐磨涂层红硬性好，耐高温耐磨，涂层致密，气孔率低，抗热振性能好等特点；同时该方法具有工艺简单
一种反应生成硼化钼碳化涂层等离子喷涂材料

[发明专利]一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法-CN201510706665.9在审
发明人：王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友 -专利权人：合肥龙多电子科技有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料，该碳化硅基陶瓷基板以微米级的碳化硅粉体与纳米量级的氧化铝粉体复合使用，使得坯体密度更高，烧结稳定性更佳，加入的叶腊石可有效的降低烧结温度，纳米二硅化钼有良好的补强增韧功效，其能增进导热能力，不破坏基板的绝缘性，而含有纳米陶瓷粉透明液体的聚乙二醇复合溶剂对粉体间的浸润性和粘结能力强，可使得各物料间均匀分散包覆，形成具有均匀结构的坯体，在相对较低的烧结温度下即可得到高致密度
一种纳米二硅化钼增强导热碳化硅陶瓷电路板板材料及制备方法

[发明专利]一种钴镍钼包覆球形碳化锆粉体及其制备方法-CN202210044320.1在审
发明人：曹其政;陈海䶮;董丽华 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴镍钼包覆球形碳化锆粉体的制备方法，将碳化锆粉体和钴镍钼混合粉末通过三喷头等离子球化装置进行等离子体球化；所述的钴镍钼混合粉末中，混合质量比为钴：镍：钼＝(3‑5):(3‑5):2；所述的碳化锆粉体和钴镍钼混合粉末的质量比为2:(3‑4)；所述的三喷头等离子球化装置包含：球化发生室、RF电源系统、高压气流送粉器、三个等离子气体喷射器、冷却水系统。本发明通过钴镍钼对碳化锆粉体的包覆，提高了碳化锆粉体的抗氧化性能和硬度；通过三喷头等离子球化装置，使等离子气体与粉料从不同入口进入，且等离子气体从3个方向喷射到球化发生室，大大减少了卡门涡街的影响，使粉末集中到球化发生室，提高球化效果。
一种钴镍钼包覆球形碳化锆粉体及其制备方法

[发明专利]一种内嵌式碳纳米管/二硅化钼复合材料及其制备方法-CN201410315657.7在审
发明人：古思勇;张厚安;吴和尖;吴艺辉;吴学文 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌式碳纳米管/二硅化钼复合材料的制备方法，包括如下步骤：(1)合成碳纳米管/钼复合粉体；(2)碳纳米管/钼复合粉体与硅粉混合；(3)合成内嵌式碳纳米管/二硅化钼复合粉末；(4)真空烧结：将碳纳米管/二硅化钼复合粉末压制成型，置于真空烧结炉中在1400-1500℃下保温2-4h烧结制备出内嵌式的碳纳米管/二硅化钼复合材料。本发明实现了碳纳米管在二硅化钼材料中的纳米层次的均匀分散，使碳纳米管的强韧化作用得到充分发挥。
一种内嵌式碳纳米二硅化钼复合材料及其制备方法

[发明专利]一种二硅化钼发热元件制备方法-CN201410482725.9无效
发明人：周宏明;朱慧娟;易丹青;夏庆路;简帅;胡雪仪 -专利权人：中南大学
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硅化钼发热元件制备方法，首先取铝硅酸盐与Mo粉、Si粉进行湿式球磨混料；然后，进行练泥、制坯，烧结，得到二硅化钼发热元件；本发明采用铝硅酸盐与Mo粉、Si粉直接进行球磨混合、成型、烧结的一体化工艺，确保成型坯体中各组分分布均匀、粒度合适，烧结过程中，Mo粉与Si粉直接反应生成均匀分布的二硅化钼组分。制备的二硅化钼发热元件致密度高、强度高、使用温度高、使用寿命长，克服了现有技术存在生产工艺复杂，生产周期长，粉体损失大，易引入杂质，降低粉体纯度而导致的发热元件强度不够，使用温度降低，寿命短等缺点。适于工业化生产，可替代现有二硅化钼发热元件制备工艺。
一种二硅化钼发热元件制备方法

[发明专利]一种硫化钼掺杂的硅碳负极材料及其制备方法和应用-CN202310253998.5在审
发明人：徐政和;房大维;姜峰;李超磊;张洪岩;邱伟;王晗 -专利权人：南方科技大学嘉兴研究院
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池材料领域，公开了一种硫化钼掺杂的硅碳负极材料及其制备方法和应用。硫化钼掺杂的硅碳负极材料具有双重核壳结构，该结构包括核结构和包覆核结构的碳壳层结构；核结构包括硫化钼纳米片和分散于硫化钼纳米片中的碳包覆纳米硅颗粒。制备方法：制备碳包覆纳米硅颗粒；将碳包覆纳米硅颗粒分散于硫化钼纳米片中，得前驱体；将前驱体、有机溶剂和离子液体混合，得前驱体悬浮液；加入有机碳源，喷雾干燥，碳化，形成硫化钼掺杂的硅碳负极材料。本发明制备的硫化钼掺杂的硅碳负极材料比容量高、膨胀率低、具有优异的循环稳定性、倍率性能和电化学性能。
一种硫化掺杂负极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种低氧含量钼铌合金的制备方法-CN202010066341.4有效
发明人：吴小超;杨凯军;李庆奎;郭茫茫;张静;李丽娜;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：一种低氧含量钼铌合金的制备方法，包括：(1)铌粉体放置在包括含碳气体和惰性气体的环境中，在第一温度下反应第一时间，铌粉颗粒表面生成碳化铌层，得到碳化铌包覆铌粉体；(2)碳化铌包覆铌粉体与钼粉体混合，在第二温度下反应第二时间，得到钼铌合金。制备方法简单，有效除去了金属铌、金属钼烧结制备钼铌合金中的氧元素。产物中氧含量低，杂质含量小，得到了致密度高、氧含量低的钼铌合金。
一种低氧含量合金制备方法

[发明专利]一种低成本二硅化钼及其制备方法-CN201610007014.5有效
发明人：张国华;孙国栋;王璐;郑伟伟;周国治 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本二硅化钼及其制备方法，属于材料制备技术领域。现有技术制备二硅化钼的方法是用Mo粉和Si粉作为原料，由于Mo粉的价格较高，所以现有技术生产二硅化钼的成本比较高。本发明采用价格较低的MoS2粉和Si粉作为原料。首先将MoS2粉和Si粉按一定摩尔比配料混合，均匀混合，压块，焙烧，得到二硅化钼。本发明直接采用MoS2粉和Si粉制备二硅化钼，成本低，操作简单，反应易于控制，解决了现有技术制备二硅化钼成本高的问题。
一种低成本二硅化钼及其制备方法

[发明专利]导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法及其应用-CN201910543993.X有效
发明人：姜林文;冯均利;李江涛;杨俊凡 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法及其应用，制备方法包括如下几个方面：颗粒尺寸均匀的钼坡莫粉体的制备，质子化的聚合物单体制备以及导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备。本发明通过原位化学氧化聚合的方法将高复磁导率的钼坡莫合金粉体与高复介电常数的导电聚合物单体进行有机复合，二者具有匹配的电磁性能，使得导电聚合物包覆钼坡莫复合材料具有优异的微波吸收性能，同时还可以通过调节聚合物单体的质子化程度来调控导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的高频电磁参数
导电聚合物包覆钼坡莫复合材料制备方法及其应用

[发明专利]软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及制备方法和应用-CN202010153328.2在审
发明人：潘明军;刘柏男;罗飞 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及其制备方法和应用。所述硅基负极材料为粉体材料,粉末电导为2.0S/cm‑6.0S/cm；软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料包括：90wt％‑99.49wt％的硅基粉体材料、0.01wt％‑3wt％的掺杂在硅基粉体材料中的掺杂材料和0.5wt％‑7wt％的软碳材料；硅基粉体材料具体为含有电化学活性粉体材料，包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅、改性氧化亚硅、掺杂氧化亚硅、无定型硅合金中的一种或者几种；掺杂材料包括硼化钛、氮化硼、三氯化硼、硼酸、三氧化二硼、四苯硼钠、硼氢化钠、或硼酸钠中的一种或多种；软碳材料包覆在硅基粉体材料外表面,构成所述硼掺杂硅基负极材料的包覆碳层。
软碳包覆掺杂负极材料制备方法应用

[发明专利]一种三氧化二铝和二硅化钼复合材料及其制备方法-CN201310033707.8在审
发明人：冯培忠;王建栋;郭瑞霞;宋彬彬;牛继南;强颖怀 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种三氧化二铝和二硅化钼复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域。三氧化二铝和二硅化钼复合材料为MoSi2/XAl2O3，其中X处于0～30mol%的范围之内。将钼粉、硅粉、铝粉、三氧化钼粉按照14.8～33.3mol％Mo、51.9～66.7mol％Si、0～22.2mol％Al、0～11.1mol％MoO3摩尔比例混合均匀，然后压制成坯体，再将坯体放入反应釜中，在保护性气氛或真空中点燃，发生化学反应合成三氧化二铝和二硅化钼复合材料。通过三氧化二铝复合化提高了二硅化钼材料的力学性能。与已有技术相比，本发明通过一步法合成三氧化二铝原位改性二硅化钼基复合材料，有利于消除增强相分布不均匀现象，并减少界面产物，本发明还具有工艺和设备简单、省时、节能、成本低的优点。
一种氧化二硅化钼复合材料及其制备方法

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