“前级晶体管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5044517个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自整角机模块用高可靠性达林顿管及其制作方法-CN200810156868.5无效
发明人：龚利汀;钱晓平;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体晶体管技术领域，具体涉及到一种自整角机模块用高可靠性达林顿管及其制作方法。按照本发明提供的技术方案，所述管芯包括形成于集电区的高阻第二外延层内的前级晶体管基区与后级晶体管基区，在前级晶体管基区内有前级晶体管发射区，在后级晶体管基区内有后级晶体管发射区，其特征是：在后级晶体管发射区旁边的后级晶体管基区内有电压保护环，在集电区的高阻第二外延层、前级晶体管基区与后级晶体管基区及前级晶体管发射区与后级晶体管发射区的同一侧的表面设置起保护作用的二氧化硅膜；并在所述二氧化硅膜的上面对应于前级晶体管基区的部位设置基极金属连线的基极铝层
整角机模块可靠性达林顿管及其制作方法

[实用新型]双电阻PNP型达林顿功率晶体管-CN201420744837.2有效
发明人：龚利汀;易琼红;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，形成于P型衬底背面的背面金属层，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区和后级晶体管T2的N型基区,以及形成前级晶体管T1和后级晶体管T2隔离区中的一级电阻的N型区；在前级晶体管T1的N型基区内形成有前级晶体管T1的P+型发射区；在后级晶体管T2的N型基区内形成有后级晶体管T2的P+型发射区；在P型衬底的正面覆盖有氧化层；P型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的P+型发射区和后级晶体管T2的N型基区的连接金属层。该双电阻达林顿晶体管具有热稳定性好，开关时间速度快、抗烧毁性强等特点。
电阻 pnp 型达林顿功率晶体管

[实用新型]高压无阻达林顿功率晶体管-CN201420532835.7有效
发明人：龚利汀;易琼红;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括一N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区和后级晶体管T2的P型基区；在前级晶体管T1的P型基区内形成有前级晶体管T1的N+型发射区；在后级晶体管T2的P型基区内形成有后级晶体管T2的N+型发射区；在N型衬底的正面覆盖有氧化层；N型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区和后级晶体管T2的P型基区的连接金属层；衬底的正面最外层覆盖有聚酰亚胺有机薄膜钝化层。该高压无阻达林顿晶体管具有击穿电压高、控制范围大、二次击穿耐量高、抗烧毁性强等特点。
高压无阻达林顿功率晶体管

[发明专利]用于半导体电力开关的驱动器电路-CN201280009957.1有效
发明人：尼尔·D·克莱蒙斯 -专利权人：迪尔公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种用于控制半导体电力开关(Q7)的驱动器电路(10)，包括第一功率驱动器晶体管(QS)和与第一功率驱动器晶体管(08)互补的第二功率驱动器晶体管(Q5)。两个功率驱动器晶体管(Q5，Q6)的输出端连接至半导体电力开关(Q7)的输入端(34)。第二功率驱动器晶体管(Q5)的输入端连接至半桥电路，该半桥电路包括第一前级驱动器晶体管(Q3)和与第一前级驱动器晶体管(Q3)互补的第二前级驱动器晶体管(Q4)。第一前级驱动器晶体管和第二前级驱动器晶体管(Q3，Q4)二者的输出端(18)连接至第二功率驱动器晶体管(Q5)的输入端。这在低的功耗下为前级驱动器晶体管(Q3，Q4)提供了快速的切换时间。
用于半导体电力开关驱动器电路

[实用新型]发电机励磁装置用单电阻达林顿管-CN200920045884.7无效
发明人：龚利汀;钱晓平;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体晶体管技术领域，具体地说是一种发电机励磁装置用单电阻达林顿管。按照本实用新型提供的技术方案，在N⁺衬底扩散层的下面有背面金属化银层，在N⁺衬底扩散层的上面有N^-单晶材料层，并在N^-单晶材料层的上面形成前级晶体管的基区与后级晶体管的基区，在所述前级晶体管的基区与后级晶体管的基区的上面有二氧化硅层；在前级晶体管的基区内形成前级晶体管的发射区，在后级晶体管的基区内形成后级晶体管的发射区；所述金属化银层形成前级晶体管和后级晶体管共接的集电极
发电机装置电阻达林顿管

[实用新型]后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管-CN201420746089.1有效
发明人：龚利汀;易琼红;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，形成于P型衬底背面的背面金属层，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区和后级晶体管T2的N型基区；前级晶体管T1的N型基区和后级晶体管T2的N型基区间形成有P+型发射区隔离墙；在前级晶体管T1的N型基区内形成有前级晶体管T1的P+型发射区；在后级晶体管T2的N型基区内形成有后级晶体管T2的P+型发射区；在T2管的基区和发射区之间形成有P+型发射区电阻；在P型衬底的正面覆盖有氧化层；具有击穿电压高、电流大、二次击穿耐量高、饱和压降小、开关时间短、抗烧毁性强、可靠性高等特点。
后级单电阻 pnp 型达林顿功率晶体管

[发明专利]一种输出驱动电路-CN201710262766.0有效
发明人：邹文安;邱卫斌 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明主要是关于用于半导体电力开关的驱动器电路，设计一种带有前级驱动器的输出驱动器电路，前级驱动器输出的第一驱动信号用于驱动输出级的上拉晶体管以及前级驱动器输出的第二驱动信号用于驱动输出级的下拉晶体管，该前级驱动器设计了延迟单元，从而在控制输出级的互补晶体管阶段可以避免输出级的互补晶体管同时导通。
一种输出驱动电路

[实用新型]一种用于点火器的高压达林顿晶体管-CN201820056116.0有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种用于点火器的高压达林顿晶体管，在晶体管俯视平面上，晶体管元胞单元包括后级晶体管T2和分布在后级晶体管T2的右上部的前级晶体管T1，两者间通过V型隔离槽隔离，且周围包裹钝化层；在晶体管剖视截面上，在N‑型第二衬底子层内设有前级P型基区和后级P型基区，在前级P型基区内形成前级N+型发射区，在前级P型基区上方设有前级基极金属层和连接金属层；在后级P型基区内形成后级N+型发射区，在后级P型基区上方设有后级基极金属层和后级发射极金属层；本实用新型制造方便，具有热稳定性好，压降小，放大倍数大，可靠性高等特点。
前级晶体管点火器达林顿晶体管本实用新型后级晶体管基极金属发射区发射极金属层半导体器件连接金属层前级晶体管热稳定性底子层钝化层压降元胞俯视制造放大隔离

[实用新型]低噪声放大器-CN202223245227.1有效
发明人：宋楠;李镁钰;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低噪声放大器，前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端，每一所述前级放大晶体管的输出端相连；偏置单元包括偏置电流源和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路；所述偏置电流源被配置为输出偏置电流，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接，所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端,以避免低噪声放大器中不同路径之间的前级放大晶体管的相互干扰，减少占用面积和损耗，进而优化低噪声放大器的整体性能。
低噪声放大器

[实用新型]NPN型大电流高增益达林顿晶体管-CN201520674610.X有效
发明人：龚利汀;陈丽兰;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本实用新型提供一种汽车空调调速装置用NPN型大电流高增益达林顿晶体管，此产品为两个芯片组合的金封管，芯片包括一N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层；在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区和后级晶体管T2的P型基区；在前级晶体管T1的P型基区内形成有前级晶体管T1的N+型发射区；在后级晶体管T2的P型基区内形成有后级晶体管T2的N+型发射区；在N型衬底的正面覆盖有氧化层；N型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区和后级晶体管T2的P型基区的连接金属层。该双电阻达林顿晶体管具有热稳定性好，开关时间速度快、抗烧毁性强、放大倍数大等特点。
npn 电流增益达林顿晶体管

[发明专利]栅极数组移位缓存器-CN201010521802.9有效
发明人：王柏凯;黄俊豪;彭中宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器的栅极数组移位缓存器，包含信号输入单元、控制晶体管以及三个以上的稳定模块。信号输入单元，接收并提供前级输入信号。控制晶体管的控制端电性耦接至信号输入单元以接收前级输入信号，并且控制晶体管根据前级输入信号而于移位缓存器的输出端输出对应的输出信号。稳定模块电性耦接至控制晶体管的控制端与移位缓存器的输出端，以稳定控制晶体管所产生的对应的输出信号。
栅极数组移位缓存

[发明专利]驱动电路-CN202111457902.4有效
发明人：林钰凯 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种驱动电路，包含驱动器、驱动晶体管、重置晶体管与发光二极管。驱动器用于根据扫描信号以储存数据电压，并根据数据电压、前级发射信号与后级发射信号以决定是否提供电源供应电压。驱动晶体管耦接于驱动器，并用于根据后级发射信号以输出电源供应电压。重置晶体管耦接于驱动晶体管，并用于根据发射信号以输出第一下拉信号。发光二极管耦接于驱动晶体管，并用于接收电源供应电压以进行发光，其中前级发射信号、发射信号及后级发射信号对应第1级至第n级信号，n为大于1的正整数。
驱动电路

[发明专利]低噪声放大电路及低噪声放大器结构-CN202210509848.1在审
发明人：李镁钰;宋楠;丁团结;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声放大电路，包括前级放大单元和调节单元，所述前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入节点与对应的一个射频输入端连接，每一所述前级放大晶体管的输出节点相连接；每一所述前级放大晶体管的接地节点相连接形成连接路径，并通过所述调节单元耦合至接地端，所述调节单元包括至少两个调节电感，每一所述调节电感的第一端与所述连接路径上的不同节点相连接，每一所述调节电感的第二端与接地端连接，从而使每一所述前级放大晶体管的输出节点至接地端的电感量之间的差值尽可能小，保证了每一前级放大晶体管的各项性能指标(特别是增益大小)尽可能保持相同，以优化低噪声放大电路的整体性能。
噪声放大电路低噪声放大器结构

[发明专利]带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片及制作方法-CN202210679672.4在审
发明人：伏思燕;苏彬;顾浩;张蕾;陈晶;苏舟;裴德礼 -专利权人：锦州辽晶电子科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片及制作方法，晶体管的特性参数一致性较好、饱和压降低、抗二次击穿能力强。包括N+型或P+型硅片衬底，在所述硅片衬底表面设有与其同型的高阻层，在高阻层的正面设有前级晶体管T1和后级晶体管T2的基区以及电阻R1和R2，在基区内设有前级晶体管T1及后级晶体管T2的发射区，在后级晶体管T2发射区极条之间的基区与后级晶体管T2的集电极之间寄生形成续流保护二极管，其特殊之处是：所述硅片衬底为重掺杂硅片衬底，所述高阻层为高阻外延层且在所述硅片衬底和高阻外延层之间设有与所述硅片衬底同型的缓冲低阻外延层，在所述高阻外延层的正面位于前级晶体管T1的基区下面设有箝位二极管。
箝位功能双层外延达林顿晶体管芯片制作方法

[实用新型]带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片-CN202221503077.7有效
发明人：伏思燕;苏彬;顾浩;张蕾;陈晶;苏舟;裴德礼 -专利权人：锦州辽晶电子科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片，晶体管的特性参数一致性较好、饱和压降低、抗二次击穿能力强。包括N+型或P+型硅片衬底，在所述硅片衬底表面设有与其同型的高阻层，在高阻层的正面设有前级晶体管T1和后级晶体管T2的基区以及电阻R1和R2，在基区内设有前级晶体管T1及后级晶体管T2的发射区，在后级晶体管T2发射区极条之间的基区与后级晶体管T2的集电极之间寄生形成续流保护二极管，其特殊之处是：所述硅片衬底为重掺杂硅片衬底，所述高阻层为高阻外延层且在所述硅片衬底和高阻外延层之间设有与所述硅片衬底同型的缓冲低阻外延层，在所述高阻外延层的正面位于前级晶体管T1的基区下面设有箝位二极管。
箝位功能双层外延达林顿晶体管芯片

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条