专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种内置电容及其制备方法-CN201210282288.7在审
  • 陈冲;刘德波;彭勤卫;孔令文 - 深南电路有限公司
  • 2012-08-09 - 2014-02-12 - H01G4/002
  • 本发明公开了一种内置式电容,其包括第一电极、第二电极和设于第一电极和第二电极之间的和第一电极之间设有第一过渡和第二电极之间设有第二过渡的材料为无机材料,第一过渡和第二过渡的材料均为环氧树脂或聚酰亚胺本发明还公开了相应的制备方法。由于本发明在和电极之间设有过渡,过渡没有采用无机/有机复合材料,省去了制备复合材料的环节,降低了原材料混入杂质的可能性,有利于制备高品质电容。另一方面,本发明可以采用喷墨打印的工艺制备过渡,以及采用磁控溅射的工艺制备,使得过渡的厚度可以得到精确控制,提高了生产高品质内置电容的成品率。
  • 一种内置电容及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202010315712.8在审
  • 张国伟;许宗能 - 合肥晶合集成电路有限公司
  • 2020-04-21 - 2020-08-11 - H01L21/768
  • 本发明是涉及一种半导体结构的制备方法。此半导体结构的制备方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成一;在所述上形成;在所述上形成第一保护;微影蚀刻所述第一保护,以形成一图案化第一保护;形成一金属掩模于所述图案化第一保护上;进行平坦化步骤;形成第二保护;形成第一孔洞;去除剩余所述第二保护;形成第二孔洞;刻蚀所述第一孔洞及所述第二孔洞,形成第一通孔。本发明解决了传统半导体结构的制备方法中易导致蚀刻深度差异过大、对电阻值控制困难等问题。
  • 一种半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]一种材料的制备方法及半导体结构-CN202110320623.7在审
  • 狄增峰;刘冠宇;薛忠营;田子傲;张苗 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2021-03-25 - 2021-07-06 - H01L21/02
  • 本发明提供一种材料的制备方法及半导体结构,该制备方法包括以下步骤:提供一基底,并依次形成石墨烯、至少一材料及支撑;将由材料及支撑组成的叠结构从石墨烯表面机械剥离;将叠结构转移至目标衬底,材料与目标衬底的表面接触;去除支撑,并使材料留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作材料,利用石墨烯与材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点,实现任意材料的剥离,并转移至任意目标衬底形成范德华接触,扩展了材料的可应用范围,减少了材料制作过程对目标衬底材料的损伤,有助于提高器件性能,并降低材料的制作成本。
  • 一种材料制备方法半导体结构

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