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[发明专利]结合结构搜索装置、结合结构搜索方法以及介质-CN202010186715.6在审
发明人：佐藤博之 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G16B30/10 文献下载
摘要：结合结构搜索装置被配置成搜索分子的稳定结合结构，其包括创建单元，其中，将分子以至少一个分割点进行分割，并且视为具有包括一个分割点的一个线性分子单元和包括该一个分割点的另一线性分子单元的结构，线性分子单元和其他线性分子单元被布置在作为一组晶格的三维晶格空间的每个晶格点处，包括相同分割点的线性分子单元被布置成彼此不交叠，并且还被布置成使得相同分割点位于相同晶格点处，并且创建单元被配置成在三维晶格空间中创建分子的立体结构。
结合结构搜索装置方法以及介质

[发明专利]作为电光材料的复合有机-无机钙钛矿结构晶体-CN202080102036.4在审
发明人：舒尔德·霍格兰;格兰特·威廉·沃尔特斯;袁高;爱德华·哈特利·萨金特 -专利权人：华为技术加拿大有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：一类晶体包括无机晶格，有机分子嵌入所述无机晶格中，从而实现宏观电光响应。所述晶格基于金属卤化物钙钛矿结构。所述有机分子可以具有本征偶极子，使得当在所述无机晶格中对齐和固定到位时，它们在宏观晶体中产生电光响应。或者，所述有机分子仅仅存在于结构中就可以在支架本身中产生足够的极性，以获得类似的响应。所述分子本身可以包括完全导电、部分导电或不导电的碳链，以及实现与晶格键合和增强极性的零个、一个或两个官能团。
作为电光材料复合有机无机钙钛矿结构晶体

[发明专利]InAs/InAsSb II类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器-CN202011445045.1有效
发明人：杜鹏 -专利权人：湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种InAs/InAsSb II类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器。InAs/InAsSb II类超晶格材料，包括层叠设置的InAs层和InAsSb层；InAsSb层包括至少一个单分子层，每个单分子层均包括InAs部分和InSb部分。InAs/InAsSb II类超晶格材料的制备方法：采用分子束外延方法在衬底上生长InAs层，然后在InAs层上生长InAsSb层。红外波段探测器，其吸收区材料包括InAs/InAsSb II类超晶格材料。本申请提供的InAs/InAsSb II类超晶格材料，具有束缚态载流子效应，可以抑制俄歇效应和非辐射复合过程，达到提升超晶格材料发光性能的目的。
inas inassb ii 晶格材料及其制备方法红外波段探测器

[发明专利]基于晶格常数的单晶材料势函数修正方法-CN202111678438.1在审
发明人：徐西鹏;林佳明;姜峰;田子歌;吴跃勤 -专利权人：华侨大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了基于晶格常数的单晶材料势函数修正方法，包括：步骤一，建立块体纳米材料分子动力学仿真模型；步骤二，设置分子动力学计算参数，它包括势函数参数；步骤三，依据设置的计算参数采用分子动力学模拟的方法计算并且输出体系总势能；步骤四，调整晶格参数并计算总势能，直至获得最低总势能，计算该最低体系总势能所对应的晶格常数；步骤五，判断步骤四所计算得到的晶格常数是否符合晶体数据库中的晶格常数值，如不符合，则执行步骤六，如果符合，则执行步骤七它具有如下优点：能提高分子动力学仿真中势函数的计算精度。
基于晶格常数材料函数修正方法

[发明专利]一种温度刺激响应型智能超支化阻垢剂及其应用-CN201910157241.X有效
发明人：陈华林;丁克毅;刘军 -专利权人：西南民族大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C08F220/06 文献下载
摘要：为了解决温度升高阻垢剂阻垢效果下降的问题，本发明提供了一种超支化聚合物，所述超支化聚合物为端羧基超支化聚合物，具有温度刺激响应性能，随温度升高，超支化聚合物的分子内空腔增大，分子体积产生显著增加。该超支化聚合物有大量的端羧基官能团，端羧基官能团与水中成垢离子可形成稳定的可溶性鳌合物，从而提高水中成垢盐的溶解性；即便在高温的情况下，水中成垢离子逐渐形成晶格，超支化聚合物分子内空腔增大，分子中分子链段伸展，以及分子具有柔性性能，更有利于占据晶格的点阵；更有甚者，在形成较为稳固晶格，形成一定厚度后，因超支化聚合物分子体积的增加，致使已形成的晶格破裂、破碎，使成垢层的生长受到抑制。
一种温度刺激响应智能超支化阻垢剂及其应用

[发明专利]计算硅锗超晶格材料界面热阻的方法-CN200910217466.6无效
发明人：孙兆伟;张兴丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：计算硅锗超晶格材料界面热阻的方法，涉及计算硅锗超晶格材料界面热阻，解决了目前通过理论和实验方法不能准确分析硅锗超晶格材料传热机理的问题，具体步骤如下：A建立硅锗超晶格材料的非平衡态分子动力学导热模型；B设定导热模型粒子的初始状态，将系统温度调整到要求温度，标定硅锗超晶格材料中粒子在要求温度下的速度；C确定粒子间的作用势能；D计算硅锗超晶格材料中粒子间的作用力；E根据牛顿第二定律，求得硅锗超晶格材料中粒子的运动方程，积分运动方程，求得硅锗超晶格材料中粒子的运动速度；F运用非平衡态分子动力学方法求解硅锗超晶格结构的界面热阻。本发明适用于硅锗超晶格材料热导率研究领域，评价不同因素对界面热阻的影响。
计算硅锗超晶格材料界面方法

[发明专利]一种III-V族半导体超晶格量子点的制备方法-CN202110966566.X有效
发明人：赵鸿滨;屠海令 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种III‑V族半导体超晶格量子点的制备方法，包括：(1)通过分子束外延法(MBE)在衬底表面外延生长缓冲层，在所述缓冲层表面生长至少一层的超晶格外延层；(2)在超晶格外延层表面沉积III族金属液滴，通过升高衬底温度，实现金属液滴向下刻蚀；(3)通入V族分子束流后，冷却至室温，获得超晶格量子点。本发明方式灵活、简单，通过控制金属液滴尺寸可实现对量子点尺寸分布的控制，且改变金属液滴种类及所刻蚀的超晶格材料体系，可获得不同种类的超晶格量子点材料。
一种 iii 半导体晶格量子制备方法

[发明专利]采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法-CN201810440768.9有效
发明人：刘斌;李振华;谢自力;吴耀政;陶涛;修向前;施毅;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除Al晶格插入层的外延生长。
采用分子外延技术生长用于缓解消除铝镓氮薄膜表面裂纹晶格插入方法

[发明专利]一种基于晶体对称性的材料表面高对称吸附位点自动搜索方法-CN202311019923.7在审
发明人：张瑞丰;刘昭睿 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：首先根据用户给出材料类型不同搜索二维材料最小表面重复周期作为参考晶格，或还原晶体表面结构作为参考晶格。然后检索参考晶格转换为将标准晶胞晶格，获取标准晶胞晶格中的高对称位点，获取参考晶格对应位点的重复度和wyckoff符号，通过二者评价位点对称性，将标准晶胞晶格中的高对称位点映射回表面模型，获取各个高对称位点在表面对应的坐标最后置换小分子与高对称位点，即可获取吸附小分子的表面结构。本发明方便用户构建大量模型，以分析材料催化反应机理，对新材料设计提供预测与指导。
一种基于晶体对称性材料表面对称吸附自动搜索方法

[发明专利]镶嵌离子的三晶格式石墨烯载体及其镶嵌方法-CN201710290483.7在审
发明人：柯良节;梁思敬;司徒若祺 -专利权人：柯良节;梁思敬;司徒若祺
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开一种镶嵌离子的三晶格式石墨烯载体及其镶嵌方法，该石墨烯载体包括十三个碳原子，十三个碳原子之间相互成键组合成包括三个正六边形的三晶格式的石墨烯结构，其中的九个碳原子上与碳原子相结合形成两条碳碳双键，其中的另外四个碳原子上与碳原子相结合形成三条碳碳双键；三晶格式的石墨烯结构的构造为三晶格处于同一平面上，且两晶格在上另一晶格在下或一晶格在上另两晶格在下的分子结构，由于所有物质的电子相位的特性，同样的物质在反应过程中都有同相排斥现象，不同的物质在反应过程中有异相相吸引现象，利用石墨烯晶格为载体，在三个晶格内装入不同镶嵌离子，相位不同的镶嵌离子在三晶格上依次排布形成稳定的分子团结构。
镶嵌离子晶格石墨载体及其方法

[发明专利]一种MoS2/C超晶格异质结纳米片自组装纳米管及其制备方法和应用-CN201510563691.0有效
发明人：许俊;史正添;蒋淼;见文静 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种MoS2/C超晶格异质结纳米片自组装纳米管及其制备方法和应用，其特征在于纳米管是由纳米片自组装构成，纳米片是由二维MoS2分子层叠加构成，相邻MoS2分子层之间嵌有C原子层，形成MoS2/C超晶格异质结。本发明的MoS2/C超晶格异质结可作为高循环稳定性和倍率性能的钠离子电池的负极材料。本发明通过溶剂热反应使辛胺分子嵌入在MoS2层间，并使其层间距变宽，随后辛胺分子在MoS2层间碳化转变成C，形成MoS2/C超晶格结构。与普通MoS2材料相比较，本发明的MoS2/C超晶格异质结纳米管具有导电性好、纳米管结构稳定且不易聚集等优点。
一种 mos sub 晶格异质结纳米组装及其制备方法应用

[发明专利]一种自支持少层无机纳米颗粒超晶格的制备方法-CN201910261226.X有效
发明人：董安钢;张先锋;杨东;陈晓;蔡青福;胡建华 -专利权人：佛山市格瑞芬新能源有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G49/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支持少层无机纳米颗粒超晶格的制备方法，通过将无机纳米颗粒改性并分散在溶剂中，在高分子膜上涂布无机纳米颗粒液，挥干溶剂后纳米颗粒自组成形成薄膜，烧蚀去除高分子膜即可得到自支持少层无机纳米颗粒超晶格本发明的制备方法操作简单，经济、可以快速制备得到大量自支持的单层或少层纳米颗粒超晶格材料，如四氧化三铁纳米颗粒超晶格。
一种支持无机纳米颗粒晶格制备方法

[发明专利]可吸收波的功能性石墨烯及其制备方法-CN201710454366.X在审
发明人：柯良节;梁思敬;司徒若祺 -专利权人：柯良节;梁思敬;司徒若祺
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开一种可吸收波的功能性石墨烯及其制备方法，功能性石墨烯包括铅离子石墨烯、锡离子石墨烯以及铅锡离子石墨烯；铅离子石墨烯包括铅离子以及石墨烯分子，所述铅离子镶嵌在石墨烯的分子晶格上，该铅离子石墨烯用于吸收核辐射以及吸收宇宙射线锡离子石墨烯包括锡离子以及石墨烯分子，所述锡离子镶嵌在石墨烯的分子晶格上，该锡离子石墨烯用于吸收红外线以及紫外线。铅锡离子石墨烯包括铅离子、锡离子以及石墨烯分子，所述铅离子以及锡离子均镶嵌在石墨烯的分子晶格上，该锡离子石墨烯用于屏蔽干扰波。
吸收功能石墨及其制备方法

[实用新型]一种可避免非绝热跃迁的静电晶格-CN202120383908.0有效
发明人：张楠楠;仲秋阳;孙诗韵;林靖;李胜强 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可避免非绝热跃迁的静电晶格，涉及芯片相关领域；该静电晶格包括微阱，所述微阱沿纵向和径向的方向阵列复制有多个，微阱由弧形电极和环形电极组成，所述弧形电极设在环形电极中，相邻两个所述环形电极之间通过连接口连接，所述弧形电极上开设有裂缝且弧形电极的圆心处为阱中心；本实用设置的静电晶格结构可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，无需加外磁场，对所有弱场搜寻态的冷极性分子是普遍适用的；解决了现有的静电晶格方案，每个微阱的阱中心的场强均为0，无法避免非绝热跃迁导致的阱中分子的逃逸，即使加了外磁场，也只对个别分子可以解决此问题，因此适用性不高的问题。
一种避免绝热跃迁静电晶格

[发明专利]一种高效的二维超晶格异质结光伏器件及其制备-CN201810689047.1有效
发明人：汤乃云 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效的二维超晶格异质结光伏器件及其制备，其制备方法具体为：a)取由衬底(1)、二氧化硅层(2)和多层二维材料复合而成的器件结构浸入到含有机分子的电解质溶液中；b)在多层二维材料上制作三电极体系并施加负电压，使带正电荷的有机分子插入到多层二维材料的部分区域内，形成二维超晶格结构(4)，进一步得到二维超晶格异质结构；c)最后，在二维超晶格异质结构的两端生长金属电极，即完成。与现有技术相比，本发明开发了一类二维材料和有机分子层相互交替的稳定超晶格材料。该超晶格材料和二维多层材料构成异质结光伏器件，其结果等效于多个二维材料异质结并联，光吸收效率高，具有优异的迁移性和稳定性。
一种高效二维晶格异质结光伏器件及其制备

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