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[发明专利]一种铈锌共掺NiFe₂O₄纳米粉体及其制备方法-CN201610435603.3在审
发明人：罗驹华;颜柱;王旭;翟雪松;姜翠凤 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C04B35/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种铈锌共掺NiFe₂O₄纳米粉体，属于吸波材料技术领域，其通式为：Ni_1‑_xCe_{x铈锌共掺NiFe₂O₄纳米粉体的制备方法。本发明的一种铈锌共掺NiFe₂O₄纳米粉体，不仅产率高，而且纯度高，粒径小且均匀；本发明的另一目的是提供铈锌共掺NiFe₂O₄纳米粉体的制备方法，该方法操作简单且易于实现规模化生产，利用溶胶凝胶‑自蔓延法制备Ce、Zn共掺NiFe₂O₄纳米，为大规模生产Ce、Zn共掺NiFe}
一种铈锌共掺 nife sub 纳米及其制备方法

[发明专利]一种氮铈共掺二氧化钛空心球光催化剂及其制备方法-CN201210235525.4有效
发明人：刘辉;李广军;董晓楠;李军奇;朱振峰 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮铈共掺二氧化钛空心球光催化剂及其制备方法，该空心球光催化剂的壁厚可控，单分散性良好，空心球的直径为300~500nm，壁厚为10~50nm，并且该光催化剂材料对水体中模拟有机污染物罗丹明通过原位水解技术，先制备出二氧化硅微球，然后在其表面包覆一层氮铈共掺二氧化钛，最后用腐蚀剂腐蚀的方法去除二氧化硅模板，最终制备出氮铈共掺二氧化钛光催化剂材料，利用该方法制得的氮铈共掺二氧化钛空心球光催化剂
一种氮铈共掺二氧化空心球光催化剂及其制备方法

[发明专利]离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法-CN201410108556.2有效
发明人：夏长泰;狄聚青;赛青林;吕正勇;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法，在铝酸钙钆基质中掺入铬铈钕等离子，采用提拉法或浮区法生长出优质的铬铈钕共掺或铈钕，铬钕双掺的铝酸钙钆激光晶体。
离子掺杂铝酸钙钆激光晶体制备方法

[发明专利]一种铈铝共掺制备掺杂石英砂的方法-CN201911080861.4在审
发明人：张华;徐传龙;唐明亮;郑海;胡增涵;陈圆圆 -专利权人：南京工业大学东海先进硅基材料研究院
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C03C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铈铝共掺制备掺杂石英砂的方法，其具体步骤为：按配方精确称量氯化铈、氯化铝粉末，溶于无水乙醇，通过磁力搅拌形成前驱溶液；按配方称量高纯石英砂（125‑250 um），分批加入前驱溶液中，并加入适量无水乙醇，形成悬浊液，搅拌浸泡30 min后，烘干去除乙醇，得到干燥的铈铝共掺石英砂精样；将精样按配方进行放大，强力干混2 h，最后在旋转电炉中、氧化气氛下高温煅烧，得到铈铝掺杂石英砂。本发明先制备精样再放大，湿法混合与干法混合相结合，制备了掺杂均匀的铈铝掺杂石英砂，达到了连熔生产掺杂石英玻璃的原料要求。本发明技术简单，精样制备精确可靠，制备的掺杂石英砂具有很强的针对性和可靠性。
石英砂掺杂制备精样铈铝前驱溶液无水乙醇共掺配方放大高纯石英砂氯化铝粉末磁力搅拌干法混合高温煅烧配方称量湿法混合石英玻璃氧化气氛原料要求氯化铈悬浊液电炉烘干乙醇称量干混去除浸泡生产

[发明专利]一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法-CN201810370782.6有效
发明人：彭方;郭玉勇;王晓梅;马孙明 -专利权人：安徽晶宸科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法，该闪烁晶体化学式：La
晶体生长硅酸钇镥闪烁材料共掺生长退火高温固相合成保护气体等径生长发光光谱冷等静压闪烁晶体闪烁性能自动降温自动控温多晶料晶体的空位多晶格位熔融掺杂压制保证

[发明专利]掺入稀土离子的碱金属硅酸盐发光玻璃及其制备方法-CN201080068026.X无效
发明人：周明杰;乔延波;马文波 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种掺入稀土离子的碱金属硅酸盐发光玻璃的制备方法，其包括如下步骤:步骤一：将铈的源化合物，铽的源化合物以及碱金属的源化合物混合溶入溶剂中形成混合溶液；步骤二：将纳米微孔玻璃浸入到步骤一中的混合溶液浸泡；步骤三：将步骤二中浸泡之后的纳米微孔玻璃在还原气氛中烧结，冷却至室温后，即制得铈和铽共掺碱金属硅酸盐发光玻璃。在所制备的发光玻璃中，由于共掺入了铈离子，在紫外光激发下，铈离子将吸收的能量传递给铽离子，因而，该发光玻璃与铽单掺的玻璃相比具有更高的发光强度。
掺入稀土离子碱金属硅酸盐发光玻璃及其制备方法

[发明专利]一种Al、Ga/Ce共掺硅酸钇镥闪烁晶体材料及退火方法-CN202210679395.7有效
发明人：丁雨憧;岑伟;屈菁菁;王强 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种Al、Ga/Ce共掺硅酸钇镥闪烁晶体材料及退火方法，闪烁晶体材料的化学通式为：（MexCeyLu掺铈硅酸钇镥闪烁晶体中掺入Al或Ga元素，或者同时掺入这两种元素，可以使晶体中的铈离子价态更稳定，在1100℃~1800℃氧化气氛条件下退火不会因铈离子变价而发黄。本发明的退火方法可以对尺寸20mm（最短的方向）以上的Al、Ga与Ce共掺的硅酸钇镥闪烁晶体充分退火，消除氧空位缺陷，获得高的光输出。
一种 al ga ce 硅酸闪烁晶体材料退火方法

[发明专利]铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法-CN200810044613.X无效
发明人：廖家轩;李恩求;潘笑风;王洪全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法，属于无机电子功能材料技术领域。铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料，主体成分为Ba_xSr_1－xTiO₃(0.2≤x≤0.8)，部分Ba²⁺离子和Sr铈钇的前驱液，然后将这三种前驱液混合加热搅拌得铈钇共掺的BST溶胶；最后将BST溶胶制成BST纳米薄膜或BST纳米粉。
铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种铈、铽共掺三硼酸镧锶基蓝绿光荧光粉及其制备方法-CN201710388039.9在审
发明人：武秀兰;焦叶辉;任强;海鸥;林飞;李欢欢;白文妮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种铈、铽共掺三硼酸镧锶基蓝绿光荧光粉，以Sr3La(BO3)3为基体，化学通式为Sr2.92‑yLa(BO3)30.08Ce,yTb，其中0≤y≤0.15，通过掺杂激活离子Ce3+和Tb3+制备得到铈、铽共掺三硼酸镧锶基蓝绿光荧光粉，可在近紫外激发下获得主峰位于456nm、547nm附近发光强度较强、色纯度较高的蓝绿光，化学性质稳定，发光性能好，发光强度高，显色性好，可满足白光LED照明领域的应用要求是一种发光性能优良的蓝绿光荧光粉；本发明还公开了其制备方法，将SrCO3、La2O3、H3BO3、CeO2和Tb4O7混合研磨，5％H2+95％Ar还原气氛下煅烧，保温，随炉冷却后再进行研磨，最后得到铈、铽共掺三硼酸镧锶基蓝绿光荧光粉，基于固相合成法来制备，操作性强，升温过程简单，方法简单易行，重现性好，制备周期短。
一种铽共掺三硼酸镧锶基蓝绿荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种锂、铈、钽共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法-CN201410128634.5有效
发明人：朱建国;王亚丹;陈强;彭志航;肖定全 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂、铈、钽共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该压电陶瓷材料由通式Ca_1-x(Li,Ce)_x/2Bi₂Nb_2-yTa_yO₉表示，0.02≤x≤0.15，0.01≤y≤0.3，其中X表示A位锂、铈元素的摩尔分数，Y表示B位钽元素的摩尔分数。采用固相法制备A位锂、铈(Li，Ce)，B位钽(Ta)不同掺杂量的铌酸铋钙(CBN)陶瓷粉体材料；再通过造粒、压片、排胶、烧结、被银、极化的工艺制备锂、铈、钽共掺杂CBN基压电陶瓷材料。结果表明在较低的烧结温度（～1100）℃下制备得到的锂、铈、钽共掺杂CBN基压电陶瓷材料，其晶粒比较致密、晶粒均匀，提高了烧结活性及陶瓷的致密性，使得烧结效果更好；压电性能大大提高，并降低其介电损耗。
一种钽共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种锂、铈、钨共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法-CN201410128596.3无效
发明人：朱建国;王亚丹;陈强;彭志航;肖定全 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂、铈、钨(Li，Ce，W)共掺的铌酸铋钙(CBN)基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该压电陶瓷材料由通式Ca_1-x(Li,Ce)_x/2Bi₂Nb_2-yW_yO₉表示，0.02≤x≤0.15，0.01≤y≤0.1，其中X表示A位锂、铈元素的摩尔分数，Y表示采用固相法制备A位锂、铈(Li，Ce)，B位钨(W)不同掺杂量的铌酸铋钙(CBN)陶瓷粉体材料；再通过造粒、压片、排胶、烧结、被银、极化的工艺制备锂、铈、钨共掺杂CBN基压电陶瓷材料。结果表明在较低的烧结温度（～1100）℃下制备得到的锂、铈、钨共掺杂CBN基压电陶瓷材料，其晶粒比较致密、晶粒均匀，提高了烧结活性及陶瓷的致密性，使得烧结效果更好；压电性能大大提高，并降低其介电损耗。
一种钨共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种测定掺铈稀土硅酸盐闪烁晶体中铈含量的方法-CN201711305631.4在审
发明人：陈继;刘郁;李德谦;常永青;邓岳锋;刘川楹;郑睿;谢庆国;李福建 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所;华中科技大学;赣州稀土（龙南）有色金属有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种精确度高、灵敏度高、选择性好、方便快捷准确、具有很强应用性的测定掺铈稀土硅酸盐闪烁晶体中铈含量的方法。本发明提供的测定掺铈稀土硅酸盐闪烁晶体中铈含量的方法是通过对晶锭进行切割，经过研磨，碱熔，酸浸，氧化等步骤配制成待测溶液，根据绘制的铈标准曲线，利用朗伯比尔定律计算得出掺铈稀土硅酸盐闪烁晶体中的铈离子浓度该方法精确度好，灵敏度高，选择性好，是一种方便快捷准确的具有很强应用性的测试方法，有利于对多种掺铈稀土硅酸盐闪烁晶体中铈含量的分析测试，对掺铈稀土硅酸盐闪烁晶体性能的理论研究和功能改进具有重要的应用意义
一种测定稀土硅酸盐闪烁晶体含量方法

[发明专利]铈、铽或铕共掺激活的硅铝酸盐蓝绿色荧光粉及其制备方法-CN201410116833.4有效
发明人：邹海峰;袁博;宋艳华;盛野;郑克岩;秦绪明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：铈、铽及铈、铕共掺激活的硅铝酸盐蓝绿色荧光粉及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域，其表示成分及摩尔组成的化学式为Ca_2-x-y-zMg_0.25Al_{其制备采用高温固相法：选择上述结构式中的氢氧化物、氧化物、碳酸盐或者相应的盐类为原料，在还原气氛下于1350～1450℃下烧结2～4h，冷却得到铈、铽、铕共掺激活的硅铝酸盐蓝绿色荧光粉。}
铕共掺激活硅铝酸盐蓝绿色荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种利用铝灰制备耐火砖的方法及其产品-CN202310446443.2有效
发明人：黄涛;陈忠元;王振;范孜耘;杨明珠;何丽娜;刘万辉;李爱英;宋东平;张树文 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用铝灰制备耐火砖的方法，包括以下步骤：将硫酸铈和铝灰，混合，搅拌均匀，得到铈载铝灰；所述硫酸铈和铝灰的质量比为0.5~11.5:100；将铈载铝灰与水混合，搅拌，固液分离，得到的固体为释气铈铝灰泥；将释气铈铝灰泥与油焦、黏土混合，搅拌均匀，得到铈铝掺混合泥料；将铈铝掺混合泥料进行养护，得到铈铝掺泥砖坯料；将铈铝掺泥砖坯料进行高温煅烧，得到耐火砖。本发明制备过程简单，通过铈铝混掺、提前释气、预制泥砖坯料、高温煅烧制备高性能耐火砖，所制备耐火砖常温耐压强度最高为54.53MPa，所制备耐火砖0.2MPa荷重软化温度最高为1487℃。
一种利用制备耐火砖方法及其产品

[发明专利]无水掺铈溴化镧及其制备方法-CN201811635107.8在审
发明人：魏建德;佘建军;方声浩;叶宁;张志诚 -专利权人：厦门中烁光电科技有限公司;中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种无水掺铈溴化镧的制备方法，包括：(1)使铈源和镧源在溴离子存在下进行反应；(2)使步骤(1)得到的反应产物熔融、冷却，得到无水掺铈溴化镧；其中，步骤(1)和步骤(2)在保护气氛或真空条件下进行本发明提供了一种无水掺铈溴化镧，其水含量低于100ppm。本发明的制备方法有效避免了固体与固体混合不均匀的问题，并且操作步骤简单，反应条件易达成，生产成本低。本发明的无水掺铈溴化镧可直接用于掺铈溴化镧闪烁晶体生长，得到晶体铈分布均匀，性能更加优异。
溴化镧无水制备生产成本低反应条件固体混合闪烁晶体真空条件不均匀溴离子熔融铈源镧源冷却生长

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