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[发明专利]六配位钳状配合物及其应用-CN201980036434.8在审
发明人： T·A·施梅达克;M·G·沃尔特;张勇;M·科切尔加 -专利权人：北卡罗来纳大学夏洛特分校
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本文描述了具有有利于电子和/或光电应用的电子结构的多种六配位钳状配合物。在一些实施例中，钳状配合物是发光的，表现出荧光和/或磷光。简而言之，六配位配合物包含选自硅、锗和锡的中心原子，以及结合至该中心原子的两个钳状配体，其中六配位配合物是发光的。在另一方面，六配位配合物包含选自硅、锗和锡的中心原子，以及结合至中心原子的两个钳状配体，其中六配位配合物的最高占据分子轨道(HOMO)与最低未占据分子轨道(LUMO)之间的差至少为1.5eV。
六配位钳状配合及其应用

[发明专利]一种六配位镍金属配合物及其合成方法和应用-CN201910550141.3有效
发明人：江名;盖爽爽;覃逸明;蒋才云;蓝峻峰;蓝雅惠 -专利权人：广西科技师范学院
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C07D215/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种六配位镍金属配合物及其合成方法和应用。本发明的六配位镍金属配合物化学式为C32H20Cl2N4本发明的配合物是以2‑喹啉甲醛和2‑氨基‑5‑氯苯酚为配体，以镍离子作为中心离子与2个配体合成六配位的镍配合物，收率可达95％以上。本发明的六配位镍金属配合物对不同来源肝癌细胞株的活性具有很强的抑制作用，证明本发明的六配位镍金属配合物具有很强的抗肝癌作用。
一种六配位镍金属配合及其合成方法应用

[发明专利]一种六氟磷酸盐的制备方法-CN202211139519.9有效
发明人：王驰伟 -专利权人：安徽新宸新材料有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01D15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种六氟磷酸盐的制备方法，所述制备方法包括将六氟磷酸水溶液采用弱碱性离子交换树脂吸附后，经非配位性溶剂洗涤干燥、配位性溶剂洗脱，得到六氟磷酸有机溶液的步骤。本发明通过利用配位性树脂实现了六氟磷酸水溶液到有机溶液的转化，使得后续制备过程安全可控，打破了以五氟化磷作为原料制备六氟磷酸盐的固定思维，避免了发烟硫酸脱水的腐蚀性强、安全性差、副产复杂等缺陷，值得推广
一种磷酸盐制备方法

[发明专利]铜‑环三磷腈六羧酸衍生物配位框架材料及其制备与应用-CN201510572507.9有效
发明人：李宝;陈熙;李钊;张天乐 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜‑环三磷腈六羧酸衍生物配位框架材料、以及制备方法与应用，该配位框架材料采用包括铜离子和配体L在内的原料反应形成，其中所述配体L为六‑(4‑羧酸苯氧基)环三磷腈，其化学式为C42H30O18N3P3；此外，该配位框架材料为三维框架材料，并且具有一维直线形孔道。本发明通过对配位框架材料的组成及结构、制备方法中的各种参数等进行改进，能够获得结构有序的铜‑环三磷腈六羧酸衍生物配位框架材料，并且该系列材料的制备方法能够有效的保证反应产率，便于实用应用。
环三磷腈六羧酸衍生物框架材料及其制备应用

[发明专利]一种钝化钛硅沸石六配位钛物种的方法-CN202011252243.6在审
发明人：郭洪臣;王刚 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：一种钝化钛硅沸石六配位钛物种的方法，属于沸石分子筛改性技术领域。含有六配位钛的钛硅沸石TS‑1在紫外拉曼光谱上存在较强的归属于六配位钛物种的共振信号峰(～700cm‑1)。在对所说的钛硅沸石TS‑1用醇胺类化合物水溶液进行适当的水热处理之后，其紫外拉曼光谱上的六配位钛物种的共振信号峰基本消失。
一种钝化钛硅沸石六配位钛物种方法

[发明专利]一种六氮配位的钌配合物及制备与应用-CN201711249020.2有效
发明人：余正坤;王连弟 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种六氮配位的钌配合物及其制备和应用。以NNN三价钌金属配合物与吡啶衍生物在有机溶剂中发生配位反应，反应结束后经简单后处理，得到具有高催化活性的六氮配位的钌配合物。
一种六氮配位配合制备应用

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201310008686.4有效
发明人：五十岚信行;鬼泽岳;西藤哲史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种表面只含骨架内六配位Ti的Ti-MCM-41分子筛及其制备方法、深度脱硫应用-CN202210864544.7在审
发明人：陈丽华;余申;李小云;李昱;阳晓宇;苏宝连 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面只含骨架内六配位Ti的Ti‑MCM‑41分子筛的制备方法，将二乙胺和水、十六烷基三甲基溴化铵混合均匀，然后加入钛酸四丁酯和硅酸四乙酯充分水解；再加入过氧化氢水溶液搅拌均匀；将前述所得溶液晶化处理，所得固体产物再进行焙烧，得到表面只含高活性骨架内六配位钛物种的Ti‑MCM‑41介孔分子筛。相较于传统技术，该Ti‑MCM‑41介孔分子筛具备介孔结构，能有效满足大尺寸噻吩类硫化物的脱硫需求；合成环境中过氧化氢的引入促使骨架内六配位钛物种的形成，并且新型的骨架内六配位钛物种能高效催化氧化脱硫。本发明将表面含高活性骨架内六配位钛物种的Ti‑MCM‑41介孔分子筛应用在二苯并噻吩的氧化脱硫反应中，取得了极为优异的催化效果。
一种表面骨架内六配位 ti mcm 41 分子筛及其制备方法深度脱硫应用

[发明专利]一种有长余辉MOF材料及其制备方法和应用-CN202211250742.0在审
发明人：何军;王爽;廖伟名;陈松 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开一种有长余辉MOF材料及其制备方法和应用，选用具有多配位点的苯六甲酸作为配体，通过与多配位数的Zn离子结合构筑一种紧密聚集的三维单晶配位MOF材料，具备五配位和六配位双锌离子配位中心；该长余辉
一种余辉 mof 材料及其制备方法应用

[实用新型]一种汽车电器零部件的老化测量装置-CN202320778064.9有效
发明人：曹必涛;李碧巧;李微音 -专利权人：上海埃嘉电子技术有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种汽车电器零部件的老化测量装置，包括汽车电器零部件、对配接插件、对配接插件端子、铜段端子、PCB板、长六角螺柱、短六角螺柱、电源接插件。对配接插件端子的端子压接位同铜段端子的焊接位一压接并焊接后，焊接位二插入PCB板的焊接孔组。短六角螺柱安装在第一层，长六角螺柱装在两层PCB板之间，长六角螺柱和PCB板可多层叠加。汽车电器零部件的接插件插入对配接插件。另外，可设置加强板。本实用新型解决了专用测量模块设计、制作费用高、生产周期长的问题。并且，可解决同类专用测量模块设计、制造费用高，生产周期长的问题。
一种汽车电器零部件老化测量装置

[发明专利]磷光金属配位化合物，含其的发射辐射元件和其制备方法-CN201410389275.9有效
发明人：于尔根·阿德勒;安德烈亚斯·卡尼茨;京特·施米德;奥克萨娜·弗赖登宗;安娜·马尔滕贝格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷光金属配位化合物，该化合物包含金属中心原子M和至少一个与该金属中心原子M配位的配体，其中一个金属中心原子M和配体形成六元金属环。还公开了一种含有金属配位化合物的发射辐射的元件，以及一种制备该金属配位化合物的方法。
磷光金属化合物发射辐射元件制备方法

[发明专利]磷光金属配位化合物，含有磷光金属配位化合物的发射辐射的元件和制备磷光金属配位化合物的方法-CN200880025525.3有效
发明人：于尔根·阿德勒;安德烈亚斯·卡尼茨;京特·施米德;奥克萨娜·弗赖登宗;安娜·马尔滕贝格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：公开了一种磷光金属配位化合物，该化合物包含金属中心原子M和至少一个与该金属中心原子M配位的配体，其中一个金属中心原子M和配体形成六元金属环。还公开了一种含有金属配位化合物的发射辐射的元件，以及一种制备该金属配位化合物的方法。
磷光金属化合物含有发射辐射元件制备方法

[发明专利]低检出限离子电位分析仪-CN201410300690.2在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：低检出限离子电位分析仪，主要包括：进样装置，样品预处理装置，样品电极装置，标准电极装置，酸碱电极装置，氧化电极装置，还原电极装置，配位电极装置，络合电极装置，离子电位分析装置，电位信号转换装置，电位信号显示与记录装置；其中，酸碱电极装置含有酸碱离子分析电极，该电极材料为三吡啶五苄胺二钆硼六钇的纳米复合电极材料，还原电极装置含有离子还原电极，该电极材料为五甲酯二腈三乙酰六氟铼镉的纳米复合电极材料；配位电极装置含有离子配位电极，该电极材料为三甲酸六乙酮三琥珀酰五硅锇钾纳米复合电极材料。
检出离子电位分析

[实用新型]溶液离子电位分析仪-CN201420352444.7有效
发明人：储冬红;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：衢州普林千叶电子科技有限公司
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：溶液离子电位分析仪，主要包括：进样装置，样品预处理装置，样品电极装置，标准电极装置，酸碱电极装置，氧化电极装置，还原电极装置，配位电极装置，络合电极装置，离子电位分析装置，电位信号转换装置，电位信号显示与记录装置；其中，酸碱电极装置含有酸碱离子分析电极，该电极材料为三吡啶五苄胺二钆硼六钇的纳米复合电极材料，还原电极装置含有离子还原电极，该电极材料为五甲酯二腈三乙酰六氟铼镉的纳米复合电极材料；配位电极装置含有离子配位电极，该电极材料为三甲酸六乙酮三琥珀酰五硅锇钾纳米复合电极材料。
溶液离子电位分析

[发明专利]混合溶液的处理方法-CN201480051798.0有效
发明人：内野雄贵;鸟居宽三;森本亚季 -专利权人：三和油化工业株式会社
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：在包含选自由六氟磷酸锂、四氟硼酸锂、六氟磷酸钠、六氟砷酸锂和六氟锑酸锂组成的组中的一种以上的化合物和碳酸酯类的混合溶液中添加四甲基铵化合物(但不包括氟配位的四甲基铵盐。)，使氟配位的四甲基铵盐析出之后，去除所得析出物。
混合溶液处理方法

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